|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 06.06.2012 № 6/15 "О внесении изменений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"< Главная страница Стр. 5Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | ¦ ¦Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к цифровым ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофонам на магнитной ленте, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанным для телевизионной ¦ ¦ ¦ ¦записи, использующим формат сигнала, который ¦ ¦ ¦ ¦может включать сжатие формата сигнала, ¦ ¦ ¦ ¦стандартизированный или рекомендуемый для ¦ ¦ ¦ ¦применения в гражданском телевидении ¦ ¦ ¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦ ¦ ¦Международной электротехнической комиссией, ¦ ¦ ¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино и ¦ ¦ ¦ ¦телевидения, Европейским союзом ¦ ¦ ¦ ¦радиовещания, Европейским институтом ¦ ¦ ¦ ¦стандартов по телекоммуникациям или ¦ ¦ ¦ ¦Институтом инженеров по электротехнике и ¦ ¦ ¦ ¦радиоэлектронике ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.3. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 800 0;¦ ¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, использующие ¦8521 10 ¦ ¦ ¦принципы спирального сканирования или ¦ ¦ ¦ ¦принципы фиксированной головки и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную способность ¦ ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или ¦ ¦ ¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.2.1.3 не применяется к устройствам ¦ ¦ ¦ ¦записи данных на магнитной ленте, оснащенным ¦ ¦ ¦ ¦электронными блоками для преобразования в ¦ ¦ ¦ ¦цифровую запись высокой плотности и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенным для записи только цифровых ¦ ¦ ¦ ¦данных ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная в ¦ ¦ ¦ ¦целях переделки цифровых видеомагнитофонов ¦ ¦ ¦ ¦на магнитной ленте для использования их как ¦ ¦ ¦ ¦устройств записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦цифровую форму и записи переходных ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦процессов, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦ ¦ ¦ ¦200 млн. проб в секунду или более и ¦ ¦ ¦ ¦разрешение 10 бит или более; и ¦ ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность 2 ¦ ¦ ¦ ¦Гбит/с или более ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦ ¦ ¦параллельной шине непрерывная пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность - произведение наибольшего ¦ ¦ ¦ ¦объема слов на количество бит в слове. ¦ ¦ ¦ ¦2. Непрерывная пропускная способность - ¦ ¦ ¦ ¦наивысшая скорость передачи данных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры, с которой информация поступает в ¦ ¦ ¦ ¦запоминающее устройство без потерь при ¦ ¦ ¦ ¦сохранении скорости выборки и ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифрового преобразования ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.6. ¦Устройства записи данных цифровой ¦8471 50 000 0;¦ ¦ ¦аппаратуры, использующие способ хранения на ¦8471 60; ¦ ¦ ¦магнитном диске, имеющие все следующие ¦8471 70 200 0;¦ ¦ ¦характеристики: ¦8471 70 300 0;¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦8471 70 500 0;¦ ¦ ¦100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит ¦8519 81 950 0;¦ ¦ ¦или более; и ¦8519 89 900 0;¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность не ¦8521 90 000 9;¦ ¦ ¦менее 1 Гбит/с или более ¦8522 90 410 0;¦ ¦ ¦ ¦8522 90 490 0;¦ ¦ ¦ ¦8522 90 800 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.2. ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.1. ¦Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦способность 3 дБ для ширины полосы ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦пропускания более 10 МГц в любой точке ¦ ¦ ¦ ¦частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 37,5 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.2. ¦Анализаторы сигналов, имеющие ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦воспроизводимый на дисплее средний уровень ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦шума (ВСУШ) меньше (лучше) - 150 дБм/Гц в ¦ ¦ ¦ ¦любой точке частотного диапазона выше 43,5 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 70 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.3. ¦Анализаторы сигналов, способные ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦анализировать сигналы с частотой выше 70 ГГц ¦9030 89 300 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.4. ¦Динамические анализаторы сигналов с полосой ¦9030 20 300 9;¦ ¦ ¦частот в реальном масштабе времени, ¦9030 32 000 9;¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц ¦9030 39 000 9;¦ ¦ ¦ ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦ ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.2.2.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦динамическим анализаторам сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующим только фильтры с полосой ¦ ¦ ¦ ¦пропускания фиксированных долей (известны ¦ ¦ ¦ ¦также как октавные или дробно-октавные ¦ ¦ ¦ ¦фильтры) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.3. ¦Генераторы сигналов синтезированных частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦формирующие выходные частоты с управлением ¦ ¦ ¦ ¦по параметрам точности, кратковременной и ¦ ¦ ¦ ¦долговременной стабильности на основе или с ¦ ¦ ¦ ¦помощью внутреннего задающего эталонного ¦ ¦ ¦ ¦генератора и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) определенные для создания длительности ¦ ¦ ¦ ¦импульса менее 100 нс в любом месте ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 70 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.3 ¦ ¦ ¦ ¦длительность импульса определяется как ¦ ¦ ¦ ¦временной интервал между передним фронтом ¦ ¦ ¦ ¦импульса, достигающим 90% от максимума, и ¦ ¦ ¦ ¦задним фронтом импульса, достигающим 10% от ¦ ¦ ¦ ¦максимума; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, ¦ ¦ ¦ ¦отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в ¦ ¦ ¦ ¦любом месте диапазона синтезированных частот ¦ ¦ ¦ ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) время переключения частоты, определенное ¦ ¦ ¦ ¦любым из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦менее 312 пс; ¦ ¦ ¦ ¦менее 100 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 10,6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 250 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 500 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 56 ГГц; или ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 56 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 70 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦г) при синтезированных частотах выше 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающих 70 ГГц, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующее: ¦ ¦ ¦ ¦фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(126 + 20 log F - 20 log f) для 10 Гц < ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 10 кГц; и ¦ ¦ ¦ ¦фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше - ¦ ¦ ¦ ¦(114 + 20 log F - 20 log f) для 10 кГц < F ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦< 500 кГц; или ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение ¦ ¦ ¦ ¦от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая ¦ ¦ ¦ ¦частота в МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦д) максимальную синтезированную частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 70 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов синтезированных частот включают в ¦ ¦ ¦ ¦себя генераторы импульсов произвольной формы ¦ ¦ ¦ ¦и генераторы функций ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Генераторы импульсов произвольной формы и ¦ ¦ ¦ ¦генераторы функций обычно определяются ¦ ¦ ¦ ¦частотой выборки (например, Гвыб./с), ¦ ¦ ¦ ¦которая преобразовывается в радиочастотную ¦ ¦ ¦ ¦область посредством коэффициента Найквиста - ¦ ¦ ¦ ¦2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов ¦ ¦ ¦ ¦имеет возможность прямого вывода 500 МГц или ¦ ¦ ¦ ¦при использовании выборки с запасом по ¦ ¦ ¦ ¦частоте дискретизации максимальная ¦ ¦ ¦ ¦возможность прямого вывода пропорционально ¦ ¦ ¦ ¦ниже. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуре, в которой выходная частота ¦ ¦ ¦ ¦создается либо путем сложения или вычитания ¦ ¦ ¦ ¦частот с двух или более кварцевых ¦ ¦ ¦ ¦генераторов, либо путем сложения или ¦ ¦ ¦ ¦вычитания с последующим умножением ¦ ¦ ¦ ¦результирующей частоты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.4. ¦Схемные анализаторы, имеющие любое из ¦9030 40 000 0 ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц, и выходную мощность, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦ ¦ ¦уровня 1 мВт); или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦70 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.5. ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦8517 69 390 0 ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦ ¦ ¦и фазу ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.6. ¦Атомные эталоны частоты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.1. ¦Пригодные для применения в космосе ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также ¦ ¦ ¦ ¦пункт 3.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.2. ¦Не являющиеся рубидиевыми эталонами и ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦имеющие долговременную стабильность меньше ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(лучше) 1 x 10 в месяц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.3. ¦Рубидиевые эталоны, непригодные для ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦применения в космосе и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность меньше ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(лучше) 1 x 10 в месяц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.3. ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0;¦ ¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9;¦ ¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 8 ¦ ¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦ ¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦ ¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов в пределах их рабочего ¦ ¦ ¦ ¦диапазона, а также специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для них компоненты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.1. ¦Оборудование, разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.1. ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦ ¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания атомного слоя ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.2. ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы ¦ ¦ ¦ ¦металлоорганических соединений, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для выращивания кристаллов ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединений с ¦ ¦ ¦ ¦использованием материалов, определенных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 ¦ ¦ ¦ ¦раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.3. ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием газообразных ¦ ¦ ¦ ¦или твердых источников ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.2. ¦Оборудование, разработанное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦ ¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально разработанное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦ ¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу ¦ ¦ ¦ ¦тока пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦ ¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.3. ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦8456 90 800 0;¦ ¦ ¦плазменного травления, разработанное или ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦оптимизированное для создания всего ¦ ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) критических размеров 65 нм или менее; и ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренней неоднородности пластины ¦ ¦ ¦ ¦(подложки), равной или меньше 10% (3сигма), ¦ ¦ ¦ ¦измеренной, за исключением контура (кромки), ¦ ¦ ¦ ¦равного 2 мм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.4. ¦Оборудование химического осаждения из ¦8419 89 300 0;¦ ¦ ¦паровой фазы с применением плазменного ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦разряда, ускоряющего процесс: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.1. ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты ¦ ¦ ¦ ¦в кассету и шлюзовой загрузкой, ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 65 нм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.2. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦систем, определенных в пункте 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 65 нм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.5. ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦системы с центральным транспортно- ¦8456 90 800 0;¦ ¦ ¦загрузочным устройством для пластин ¦8479 50 000 0;¦ ¦ ¦(подложек), имеющие все следующее: ¦8486 20 900 2;¦ ¦ ¦а) средства сопряжения для загрузки и ¦8486 20 900 3 ¦ ¦ ¦выгрузки пластин (подложек), разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для возможности присоединения более двух ¦ ¦ ¦ ¦отличных по функциональным возможностям ¦ ¦ ¦ ¦инструментов для обработки полупроводников, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.2, ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.3 или пункте 3.2.1.4; и ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанные для создания ¦ ¦ ¦ ¦интегрированной системы последовательной ¦ ¦ ¦ ¦многопозиционной обработки пластин ¦ ¦ ¦ ¦(подложек) в вакууме ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для ¦ ¦ ¦ ¦обработки полупроводников относятся к ¦ ¦ ¦ ¦инструментам модульной конструкции, которые ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивают такие отличные по ¦ ¦ ¦ ¦функциональности физические процессы ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводников, как осаждение, ¦ ¦ ¦ ¦травление, ионная имплантация или ¦ ¦ ¦ ¦термообработка. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная ¦ ¦ ¦ ¦обработка пластин (подложек) означает ¦ ¦ ¦ ¦возможность обрабатывать каждую пластину ¦ ¦ ¦ ¦(подложку) с помощью различных инструментов ¦ ¦ ¦ ¦для обработки полупроводников, например, ¦ ¦ ¦ ¦путем передачи каждой пластины (подложки) от ¦ ¦ ¦ ¦первого инструмента ко второму и далее к ¦ ¦ ¦ ¦третьему посредством автоматически ¦ ¦ ¦ ¦загружаемых многокамерных систем с ¦ ¦ ¦ ¦центральным транспортно-загрузочным ¦ ¦ ¦ ¦устройством ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.5 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦автоматическим роботизированным системам для ¦ ¦ ¦ ¦загрузки-разгрузки пластин (подложек), ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанным для параллельной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин (подложек) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.6. ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.1. ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 390 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно ¦ ¦ ¦ ¦на пластине) или сканированием (сканер), ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 95 ¦ ¦ ¦ ¦нм и менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента ¦ ¦ ¦ ¦(МРР) рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦ ¦ ¦МРР = (длина волны источника света в ¦ ¦ ¦ ¦нанометрах) x (К фактор) / (числовая ¦ ¦ ¦ ¦апертура), где К фактор = 0,35 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.2. ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦ ¦ ¦способное создавать элементы размером 95 нм ¦8486 20 900 ¦ ¦ ¦или менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦ ¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦ ¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦ ¦ ¦тиснения; ¦ ¦ ¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦ ¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.3. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3;¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦ ¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦ ¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦ ¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦ ¦ ¦возможность формирования рисунка с размером ¦ ¦ ¦ ¦элементов менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦точность совмещения слоев лучше +/-0,20 мкм ¦ ¦ ¦ ¦(3 сигма) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.7. ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным ¦ ¦ ¦ ¦шаблонам с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦ ¦ ¦разработанным для изготовления запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств, не определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.9. ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2.2. ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦ ¦ ¦схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0;¦ ¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3. ¦Материалы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦ ¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.1. ¦Кремний (Si) ¦3818 00 100 0;¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.2. ¦Германий (Ge) ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.3. ¦Карбид кремния (SiC); или ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.4. ¦Соединения III - V на основе галлия или ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦индия ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2. ¦Резисты, определенные ниже, а также ¦ ¦ ¦ ¦подложки, покрытые ими: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, разработанные для ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.2. ¦Все резисты, разработанные для использования ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦при экспонировании электронными или ионными ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦или лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.3. ¦Все резисты, разработанные для использования ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦при экспонировании рентгеновскими лучами, с ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦резисты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Технология силилирования - процесс, ¦ ¦ ¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, ¦ ¦ ¦ ¦для повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.5. ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦приспособленные для применения с ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦ ¦ ¦определенным в пункте 3.2.1.6.2 и ¦ ¦ ¦ ¦использующим процесс термообработки или ¦ ¦ ¦ ¦светоотверждения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3. ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3.1. ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 90 ¦ ¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦ ¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3.2. ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 90 ¦ ¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦основы неорганического элемента более ¦ ¦ ¦ ¦99,999% ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.3.3 применяется только к ¦ ¦ ¦ ¦соединениям, металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦ ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0;¦ ¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, ¦ ¦ ¦ ¦содержащим 20% или более молей инертных ¦ ¦ ¦ ¦газов или водорода ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.5. ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦ ¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦ ¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦ ¦ ¦более 100 Ом·м при 20 °C ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.6. ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния ¦ ¦ ¦ ¦(SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида ¦ ¦ ¦ ¦алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия ¦ ¦ ¦ ¦(AlGaN) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, определенного в ¦ ¦ ¦ ¦пунктах 3.1.1.2 - 3.1.2.7 или пункте 3.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦определенного в пунктах 3.2.1.1 - 3.2.1.6 ¦ ¦ ¦ ¦или пункте 3.2.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4.3. ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки процессов ¦ ¦ ¦ ¦литографии, травления или осаждения в целях ¦ ¦ ¦ ¦воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топографические рисунки на проводниках, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриках или полупроводниках ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.4.3 понимается использование ¦ ¦ ¦ ¦вычислений для определения ¦ ¦ ¦ ¦последовательности физических факторов и ¦ ¦ ¦ ¦результатов воздействия, основанных на ¦ ¦ ¦ ¦физических свойствах (например, температура, ¦ ¦ ¦ ¦давление, коэффициент диффузии и ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковые свойства материалов) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующие данные для разработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4.4. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки оборудования ¦ ¦ ¦ ¦(систем), определенного в пункте 3.1.3 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.5. ¦Технология ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определенного в пункте 3.1 или ¦ ¦ ¦ ¦3.2, или материалов, определенных в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.5.1 не применяется к технологиям ¦ ¦ ¦ ¦для: ¦ ¦ ¦ ¦а) производства оборудования (систем) или ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, определенных в пункте 3.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработки или производства интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, определенных в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.10 и имеющих все следующее: ¦ ¦ ¦ ¦использующих технологии при разрешении 0,130 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦содержащих многослойные структуры с тремя ¦ ¦ ¦ ¦металлическими слоями или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.5.2. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню другие по сравнению с теми, которые ¦ ¦ ¦ ¦определены в пункте 3.5.1, для разработки ¦ ¦ ¦ ¦или производства ядра микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессора, микроЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, имеющих арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 ¦ ¦ ¦ ¦бит или более и любые из нижеприведенных ¦ ¦ ¦ ¦особенностей или характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) блок векторного процессора, ¦ ¦ ¦ ¦предназначенный для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦вычислений с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Блок векторного процессора является ¦ ¦ ¦ ¦процессорным элементом со встроенными ¦ ¦ ¦ ¦операторами, которые выполняют ¦ ¦ ¦ ¦многочисленные вычисления с векторами для ¦ ¦ ¦ ¦операций с плавающей запятой (одномерными ¦ ¦ ¦ ¦32-разрядными или более массивами) ¦ ¦ ¦ ¦одновременно, имеющим, по крайней мере, одно ¦ ¦ ¦ ¦векторное арифметико-логическое устройство; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанных для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦64-разрядных или более операций с плавающей ¦ ¦ ¦ ¦запятой, проходящих за цикл; или ¦ ¦ ¦ ¦в) разработанных для выполнения более ¦ ¦ ¦ ¦четырех 16-разрядных операций умножения с ¦ ¦ ¦ ¦накоплением с фиксированной запятой, ¦ ¦ ¦ ¦проходящих за цикл (например, цифровая ¦ ¦ ¦ ¦обработка аналоговой информации, которая ¦ ¦ ¦ ¦была предварительно преобразована в цифровую ¦ ¦ ¦ ¦форму, также известная как цифровая ¦ ¦ ¦ ¦обработка сигналов) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.5.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦технологиям мультимедийных расширений ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.5.2 не применяется к технологиям ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства ядер ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессоров, имеющих все следующее: ¦ ¦ ¦ ¦использующих технологии с разрешением 0,130 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦содержащих многослойные структуры с пятью ¦ ¦ ¦ ¦или менее металлическими слоями. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.5.2 включает технологии для ¦ ¦ ¦ ¦процессоров цифровой обработки сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦цифровых матричных процессоров ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.5.3. ¦Прочие технологии разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких как транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью электронов, биполярных ¦ ¦ ¦ ¦транзисторов на гетероструктуре, приборов с ¦ ¦ ¦ ¦квантовыми ямами или приборов на ¦ ¦ ¦ ¦сверхрешетках ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "б" пункта 3.5.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦технологиям для транзисторов с высокой ¦ ¦ ¦ ¦подвижностью электронов (ТВПЭ), работающих ¦ ¦ ¦ ¦на частотах ниже 31,8 ГГц, и биполярных ¦ ¦ ¦ ¦транзисторов на гетероструктуре (ГБТ), ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек из алмазных пленок для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, в которых диэлектриком является ¦ ¦ ¦ ¦диоксид кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦ж) электронных вакуумных ламп, работающих на ¦ ¦ ¦ ¦частотах 31,8 ГГц или выше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ КАТЕГОРИЯ 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, задействованные в ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникациях или локальных ¦ ¦ ¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также ¦ ¦ ¦ ¦проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 1 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦2. Устройства управления, которые ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связывают шины или каналы ¦ ¦ ¦ ¦центральных процессоров, устройства ¦ ¦ ¦ ¦оперативной памяти или дисковые контроллеры, ¦ ¦ ¦ ¦не рассматриваются как телекоммуникационное ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, описанное в части 1 категории ¦ ¦ ¦ ¦5 (Телекоммуникации) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанного для коммутации пакетов, ¦ ¦ ¦ ¦следует применять пункт 5.4.1. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, выполняющие функции ¦ ¦ ¦ ¦криптографии, криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦ ¦ ¦многоуровневой защиты информации или ¦ ¦ ¦ ¦сертифицируемые функции изоляции ¦ ¦ ¦ ¦пользователей либо ограничивающие ¦ ¦ ¦ ¦электромагнитную совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦ ¦ ¦быть также проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 2 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Защита информации) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.1. ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные, чтобы отвечать любому из ¦ ¦ ¦ ¦нижеприведенных условий, а также электронные ¦ ¦ ¦ ¦сборки и специально разработанные компоненты ¦ ¦ ¦ ¦для них: ¦ ¦ ¦ ¦а) быть определенными изготовителем для ¦8471 ¦ ¦ ¦работы при температуре внешней среды ниже ¦ ¦ ¦ ¦228 К (-45 °C) или выше 358 К (85 °C); или ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "а" пункта 4.1.1 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦ЭВМ, специально разработанным для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей, железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов или гражданских летательных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) быть радиационно стойкими при превышении ¦ ¦ ¦ ¦любого из определенных ниже требований: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦1) общей дозы 5 x 10 Гр (по кремнию) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад]; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦2) мощности дозы 5 x 10 Гр (по кремнию)/с ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад/с]; или ¦ ¦ ¦ ¦ -8 ¦ ¦ ¦ ¦3) сбоя от однократного события 10 ¦ ¦ ¦ ¦ошибок/бит/день ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "б" пункта 4.1.1 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦ЭВМ, специально разработанным для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских летательных аппаратов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для ЭВМ и относящегося к ним электронного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, выполняющих или включающих ¦ ¦ ¦ ¦функции по защите информации, см. часть 2 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5. ¦ ¦ ¦ ¦2. В отношении ЭВМ и сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, соответствующих требованиям ¦ ¦ ¦ ¦подпункта "б" пункта 4.1.1, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦4.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2. ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, определенные ¦ ¦ ¦ ¦ниже, а также специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦них компоненты: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) векторные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦б) матричные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦в) процессоры цифровой обработки сигналов; ¦ ¦ ¦ ¦г) логические процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦д) оборудование для улучшения качества ¦ ¦ ¦ ¦изображения; ¦ ¦ ¦ ¦е) оборудование для обработки сигналов. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования, описанных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 4.1.2, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом другого оборудования или других ¦ ¦ ¦ ¦систем в том случае, если: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование необходимы для работы другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или других систем; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование не являются основным элементом ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования или других систем; и ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов или улучшения качества изображения, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанного для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования с функциями, ограниченными ¦ ¦ ¦ ¦функциональным назначением другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом такого оборудования, даже если ¦ ¦ ¦ ¦первое превосходит критерий основного ¦ ¦ ¦ ¦элемента. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования ¦ ¦ ¦ ¦для телекоммуникационной аппаратуры см. ¦ ¦ ¦ ¦часть 1 категории 5 (Телекоммуникации) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦в) технология цифровых ЭВМ и сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования подпадает под действие пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.5 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2.1. ¦Разработанные или модифицированные для ¦8471 60; ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости ¦8471 70; ¦ ¦ ¦ ¦8471 80 000 0;¦ ¦ ¦ ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование не считаются ¦ ¦ ¦ ¦разработанными или модифицированными для ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости, если в них ¦ ¦ ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ¦ ¦ ¦ ¦ошибок, хранимые в оперативной памяти; ¦ ¦ ¦ ¦б) соединение двух цифровых вычислительных ¦ ¦ ¦ ¦машин такое, что если происходит отказ ¦ ¦ ¦ ¦активного центрального процессора, то ¦ ¦ ¦ ¦холостой зеркальный центральный процессор ¦ ¦ ¦ ¦может продолжить функционирование системы; ¦ ¦ ¦ ¦в) соединение двух центральных процессоров ¦ ¦ ¦ ¦посредством каналов передачи данных или с ¦ ¦ ¦ ¦применением разделяемой памяти, для того ¦ ¦ ¦ ¦чтобы обеспечить одному центральному ¦ ¦ ¦ ¦процессору возможность выполнять некоторую ¦ ¦ ¦ ¦работу, пока не откажет другой центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор; тогда первый центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор принимает его работу на себя, ¦ ¦ ¦ ¦чтобы продолжить функционирование системы; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦г) синхронизация двух центральных ¦ ¦ ¦ ¦процессоров, объединенных посредством ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения так, что один ¦ ¦ ¦ ¦центральный процессор распознает, когда ¦ ¦ ¦ ¦отказывает другой центральный процессор, и ¦ ¦ ¦ ¦восстанавливает задачи, выполнявшиеся ¦ ¦ ¦ ¦отказавшим процессором ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2.2. ¦Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую ¦8471 60; ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 1,5 ¦8471 70; ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) ¦8471 80 000 0;¦ ¦ ¦ ¦8471 90 000 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2.3. ¦Электронные сборки, специально разработанные ¦8471 60; ¦ ¦ ¦или модифицированные для повышения ¦8471 70; ¦ ¦ ¦производительности путем объединения ¦8471 80 000 0;¦ ¦ ¦процессоров таким образом, чтобы ППП ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, определенное в пункте 4.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.2.3 применяется только к ¦ ¦ ¦ ¦электронным сборкам и программируемым ¦ ¦ ¦ ¦взаимосвязям, не превышающим пределы, ¦ ¦ ¦ ¦определенные в пункте 4.1.2.2, при поставке ¦ ¦ ¦ ¦в виде необъединенных электронных сборок. Он ¦ ¦ ¦ ¦неприменим к электронным сборкам, ¦ ¦ ¦ ¦конструкция которых пригодна только для ¦ ¦ ¦ ¦использования в качестве сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определенного в пункте ¦ ¦ ¦ ¦4.1.2.4. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 4.1.2.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦электронным сборкам, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанным для отдельных изделий или ¦ ¦ ¦ ¦целого семейства изделий, максимальная ¦ ¦ ¦ ¦конфигурация которых не превышает пределы, ¦ ¦ ¦ ¦определенные в пункте 4.1.2.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2.4. ¦Оборудование, выполняющее аналого-цифровые ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦преобразования, превосходящее пределы, ¦8543 90 000 9 ¦ ¦ ¦определенные в пункте 3.1.1.1.4 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.2.5. ¦Устройства, специально разработанные для ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦получения общей производительности цифровых ¦8517 61 000 1;¦ ¦ ¦ЭВМ, объединенных с помощью внешних ¦8517 62 000 2;¦ ¦ ¦соединений, которые имеют однонаправленную ¦8517 62 000 3 ¦ ¦ ¦скорость передачи данных, превышающую 2,0 ¦ ¦ ¦ ¦Гбайт/с на канал ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 4.1.2.5 не применяется к внутренним ¦ ¦ ¦ ¦(например, соединительные платы, шины) или ¦ ¦ ¦ ¦пассивным устройствам связи, контроллерам ¦ ¦ ¦ ¦доступа к сети или контроллерам каналов ¦ ¦ ¦ ¦связи ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.3. ¦ЭВМ, определенные ниже, и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное сопутствующее оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и компоненты для них: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.3.1. ¦ЭВМ с систолической матрицей ¦8471 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.3.2. ¦Нейронные ЭВМ ¦8471 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.1.3.3. ¦Оптические ЭВМ ¦8471 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус программного обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦для разработки, производства или применения ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, указанного в других ¦ ¦ ¦ ¦категориях, определяется по описанию ¦ ¦ ¦ ¦соответствующей категории ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.4.1. ¦Программное обеспечение следующих видов: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.4.1.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦разработки, производства или применения ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦определенного в пункте 4.1 или 4.4 ¦ ¦ ¦ ¦соответственно ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.4.1.2. ¦Программное обеспечение иное, чем ¦ ¦ ¦ ¦определенное в пункте 4.4.1.1, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую ¦ ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 0,25 ¦ ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для ¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения процессоров таким образом, чтобы ¦ ¦ ¦ ¦ППП объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, указанное в подпункте "а" пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.4.1.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦4.4.1 раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦поддержки технологии, определенной в пункте ¦ ¦ ¦ ¦4.5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для программного обеспечения, выполняющего ¦ ¦ ¦ ¦или включающего функции по защите ¦ ¦ ¦ ¦информации, см. часть 2 категории 5 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.5. ¦Технология ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или применения оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, определенного в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 4.1 или 4.4 соответственно ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 4.5.2. ¦Технологии иные, чем определенные в пункте ¦ ¦ ¦ ¦4.5.1, специально разработанные или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированные для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую ¦ ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 0,25 ¦ ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для ¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения процессоров таким образом, чтобы ¦ ¦ ¦ ¦ППП объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, указанное в подпункте "а" пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.5.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении технологий, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 раздела ¦ ¦ ¦ ¦2 ¦ ¦ ¦------------+---------------------------------------------+--------------- Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП). ППП - приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой. Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании: n - количество процессоров в цифровой ЭВМ; i - номер процессора (i, ... n); t - время цикла процессора (t = 1/F );
i i i
F - частота процессора;
i
R - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой;
i
W - коэффициент согласования с архитектурой.
i
12
ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) - триллионах (10 )
приведенных операций с плавающей запятой в секунду.
Схема способа вычисления ППП: 1. Для каждого процессора i определяется максимальное количество
64-разрядных или более операций с плавающей запятой (ОПЗ ), выполняемых за
i
цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.
Примечание. При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и (или) умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, не способных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю. 2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора: R = ОПЗ / t .
i i i
3. Вычисляется ППП следующим образом: ППП = W x R + W x R + ... + W x R .
1 1 2 2 n n
4. Для векторных процессоров W = 0,9, для невекторных процессоров W
i i
= 0,3.
Примечания: 1. Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие как сложение и умножение, считается каждая операция. 2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости. 3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы. 4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными/выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы). 5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода/вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения. 6. Значения ППП должны вычисляться для: а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или б) многочисленных комбинаций память/процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств. 7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий по крайней мере два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью по крайней мере 64 элемента каждый. ---------------+-------------------------------------------+---------- ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦ Код ТН ВЭД ¦ ¦ ¦ ¦ <**> ¦ +--------------+-------------------------------------------+--------------+ ¦ КАТЕГОРИЯ 5 ¦ ¦ Часть 1. Телекоммуникации ¦ +--------------+-------------------------------------------+--------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. В части 1 категории 5 определяется ¦ ¦ ¦ ¦контрольный статус компонентов, ¦ ¦ ¦ ¦испытательного и производственного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, а также программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения для них, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных для телекоммуникационного ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или систем ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для лазеров, специально разработанных ¦ ¦ ¦ ¦для телекоммуникационного оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦систем, см. пункт 6.1.5. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для оборудования, компонентов и ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, включающих ¦ ¦ ¦ ¦функции защиты информации, см. также часть ¦ ¦ ¦ ¦2 категории 5. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2. В тех случаях, когда для ¦ ¦ ¦ ¦функционирования или поддержки ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационного оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦описанного в этой категории, и его ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения важное значение имеют цифровые ¦ ¦ ¦ ¦ЭВМ, сопутствующее оборудование или ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, последние ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваются в качестве специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных компонентов при условии, что ¦ ¦ ¦ ¦они являются стандартными моделями, обычно ¦ ¦ ¦ ¦поставляемыми производителем. Это относится¦ ¦ ¦ ¦к компьютерным системам, реализующим ¦ ¦ ¦ ¦функции управления, сетевого ¦ ¦ ¦ ¦администрирования, технического ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
