Право
Загрузить Adobe Flash Player
Навигация
Новые документы

Реклама

Законодательство России

Долой пост президента Беларуси

Ресурсы в тему
ПОИСК ДОКУМЕНТОВ

Постановление Совета Министров Союзного государства № 4 "О внесении изменений в научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

Текст документа с изменениями и дополнениями по состоянию на ноябрь 2013 года

< Главная страница


Вступило в силу 26 марта 2012 года


Совет Министров Союзного государства ПОСТАНОВЛЯЕТ:

1. Внести изменения в научно-техническую программу Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения", утвержденную постановлением Совета Министров Союзного государства от 23 апреля 2010 г. N 7 (далее - Программа), без изменения общего объема финансирования Программы, изложив ее в новой редакции (прилагается).

2. Настоящее постановление вступает в силу со дня его подписания.



Председатель Совета Министров Союзного государства В.Путин



                                                  УТВЕРЖДЕНО
                                                  Постановление
                                                  Совета Министров
                                                  Союзного государства
                                                  23.04.2010 N 7
 


НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКАЯ ПРОГРАММА СОЮЗНОГО ГОСУДАРСТВА "РАЗРАБОТКА И ОСВОЕНИЕ СЕРИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ДЛЯ АППАРАТУРЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ И ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ"

СОДЕРЖАНИЕ

1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы

2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации программы

3. Система программных мероприятий

4. Ресурсное обеспечение программы

5. Механизмы реализации программы

6. Организация управления программой и контроля за ходом ее реализации

7. Оценка эффективности социально-экономических и экологических последствий от реализации программы

Паспорт программы

Приложение 1. Индикатор и показатели реализации мероприятий программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"

Приложение 2. Технико-экономическое обоснование программы Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения"



1. Содержание проблемы, обоснование ее актуальности и необходимости разработки программы для решения проблемы

Программа Союзного государства "Разработка и освоение серий интегральных микросхем и полупроводниковых приборов для аппаратуры специального назначения и двойного применения" (далее - Программа) разработана в соответствии с постановлением Совета Министров Союзного государства от 19 августа 2008 года N 35.

Основной проблемой, на решение которой направлена Программа, является обеспечение стратегически значимых радиоэлектронных систем государств - участников Союзного государства электронной компонентной базой (ЭКБ) специального назначения и двойного применения, разработанной на предприятиях электронной промышленности Беларуси и России.

Основными причинами ее возникновения являются:

постоянное повышение доли устаревшей специальной ЭКБ в системах вооружения, военной и специальной техники (ВВСТ);

рост применения зарубежных электронных компонентов при одновременном снижении уровня обеспеченности отечественными электронными компонентами ведущихся разработок и серийного производства систем ВВСТ (как отмечено в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 г., во вновь разрабатываемых отечественных системах ВВСТ применяется до 70% иностранных электронных компонентов);

действие за рубежом ограничений на поставку в Россию специальных электронных компонентов, в силу чего разработчикам радиоэлектронных систем приходится довольствоваться не соответствующей необходимым требованиям заказчиков номенклатурой импортной ЭКБ, что приводит к целому ряду негативных моментов и, в частности, к дополнительным затратам на вынужденную проверку изделий при ее применении;

утрата технологии производства ЭКБ разработки 70 - 80-х годов, хотя и устаревшей, но являющейся основой находящихся в настоящее время на вооружении образцов ВВСТ, причем наиболее существенные потери понесло производство радиационно-стойкой компонентной базы;

значительное ослабление или полное отсутствие производственной кооперации и координации работ организаций электронной промышленности России со значительной частью крупных организаций отрасли, оставшихся за ее пределами.

Таким образом, широкое применение в создаваемых системах ВВСТ зарубежной ЭКБ и ослабление государственного контроля в этой области в сочетании с утратой Россией и Беларусью передовых научно-технических позиций в сфере разработки и производства специальной ЭКБ создало реальную угрозу национальной безопасности государств - участников Союзного государства.

Поэтому в Основах политики Российской Федерации в области развития электронной компонентной базы на период до 2010 года и дальнейшую перспективу и в Государственной программе развития и повышения эффективности работы микроэлектронной отрасли Республики Беларусь на 2001 - 2010 годы ставится задача по достижению технологической независимости от иностранных государств в разработке, производстве и применении ЭКБ, используемой в электронных системах, имеющих стратегическое значение для национальной безопасности России и Беларуси.

Основные принципы решения этой задачи определены в Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, а базовым инструментом ее решения является федеральная целевая программа "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы.

Однако ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы не предусматривает разработку конкретных типономиналов ЭКБ. Ее основными задачами являются разработка базовых промышленных технологий и базовых конструкций радиоэлектронных компонентов и приборов, техническое перевооружение предприятий и организаций радиоэлектронного комплекса на основе передовых технологий, опережающее развитие вертикально интегрированных систем автоматизированного проектирования сложных электронных компонентов, аппаратуры и систем.

Поэтому проблема разработки и освоения производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ, в частности интегральных микросхем (ИМС) и полупроводниковых приборов, является актуальной и стратегически важной для создания конкурентоспособных радиоэлектронных систем и систем ВВСТ государств - участников Союзного государства.

Особенности специальной ЭКБ:

широкая номенклатура ЭКБ;

повышенные требования по эксплуатации (температура, влажность, радиационная стойкость, повышенная надежность, устойчивость к механическим воздействиям и так далее);

относительно небольшие объемы выпуска заказываемой продукции;

требуемый длительный жизненный цикл поставляемых изделий, включая необходимость воспроизводства в течение 10 - 15 лет.

В силу этого российские производители ЭКБ, являющиеся, как правило, акционерными обществами, в которых значительно ослаблено государственное влияние и контроль за деятельностью, не проявляют заинтересованности в разработке специальной ЭКБ за счет собственных средств. Ведущее предприятие электронной промышленности Беларуси ОАО "ИНТЕГРАЛ" не может на равных условиях участвовать в реализации федеральных целевых программ по развитию ЭКБ.

Поэтому непринятие межгосударственных мер по решению проблемы разработки специальной ЭКБ в Беларуси и России (инерционный сценарий) приведет к дальнейшему увеличению доли импортной ЭКБ в радиоэлектронных военных комплексах и в системах ВВСТ, что негативно отразится на состоянии обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.

Наиболее эффективным путем решения этой проблемы является активный сценарий, связанный с принятием комплексно-целевой программы Союзного государства по разработке и освоению производства серии конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения. Это позволит, во-первых, оптимизировать номенклатуру разрабатываемых микросхем и полупроводниковых приборов и исключить дублирование работ; во-вторых, будут выработаны и согласованы с разработчиками радиоэлектронных систем и средств ВВСТ общие технические требования к разрабатываемой ЭКБ, в том числе в части стойкости к внешним воздействующим специальным факторам; в-третьих, в полной мере будет задействован научно-технический и производственный потенциал белорусского ОАО "ИНТЕГРАЛ" для разработки и освоения широкой номенклатуры специальной ЭКБ в интересах российских потребителей; в-четвертых, будет предусмотрена возможность изготовления опытных образцов и освоения производства отдельных типов разрабатываемой ЭКБ на действующих и создаваемых в России производственных линиях высокого технологического уровня; наконец, будет оказана необходимая государственная финансовая поддержка предприятиям электронной промышленности Беларуси и России в разработке конкретных типов специальной ЭКБ.

Ожидаемый результат - разработка и освоение производства конкретных типономиналов специальной ЭКБ для вновь разрабатываемых стратегически значимых радиоэлектронных систем управления, связи, обработки и защиты информации, систем радиоэлектронной борьбы и электронного противодействия, систем ВВСТ, что полностью соответствует приоритетам государственной политики по укреплению обороноспособности и информационной безопасности государств - участников Союзного государства.

Целесообразность программного решения проблемы на союзном уровне обусловлена следующими причинами:

межотраслевым, межведомственным и межгосударственным характером проблемы, так как в разрабатываемой специальной ЭКБ заинтересован целый ряд министерств и ведомств России и Беларуси, в том числе силовых;

необходимостью принятия решений на уровне Совета Министров Республики Беларусь, Правительства Российской Федерации и Совета Министров Союзного государства, поскольку номенклатура (типономиналы) разрабатываемой специальной ЭКБ и ее основные технические характеристики будут во многом определять тактико-технические характеристики вновь разрабатываемых систем ВВСТ государств - участников Союзного государства;

комплексностью подхода, необходимостью увязки союзной программы по разработке интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения с другими национальными (включая ФЦП "Развитие электронной компонентной базы и радиоэлектроники" на 2008 - 2015 годы), межгосударственными и союзными программами.



2. Основные цели и задачи, этапы и сроки реализации Программы

В соответствии со статьей 17 Договора о создании Союзного государства объединенная система технического обеспечения Вооруженных сил государств-участников относится к исключительному ведению Союзного государства.

В системах ВВСТ доля радиоэлектронной аппаратуры достигает 70%, так что без расширения номенклатуры электронной компонентной базы, повышения ее технического и технологического уровня невозможно осуществлять создание перспективных и модернизацию существующих образцов вооружений и военной техники России и Беларуси.

Поэтому актуальность Программы обусловлена, во-первых, необходимостью расширения номенклатуры выпускаемых в России и Беларуси интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения; во-вторых, реализация Программы станет реальным шагом на пути снижения зависимости России и Беларуси от импорта зарубежной ЭКБ и повышения экспортного потенциала оборонно-промышленного комплекса государств-участников. Программа полностью отвечает Стратегии развития электронной промышленности России на период до 2025 года, в которой указывается на необходимость расширить состав совместных межгосударственных российско-белорусских программ по разработке специальной ЭКБ для задач реализации совместных крупномасштабных проектов и интеграции экономик.

Целью Программы является создание импортозамещающей ЭКБ специального и двойного применения для стратегически значимых радиоэлектронных систем и систем ВВСТ.

Задача Программы - создание типономиналов ЭКБ повышенной степени интеграции с высокими надежностными, функциональными и точностными характеристиками и соответствующей группой стойкости к специальным внешним воздействующим факторам и освоение производства разработанной ЭКБ на предприятиях России и Беларуси.

Эта задача может быть решена только программными методами в масштабе Союзного государства в увязке с проблемами, стоящими как перед радиоэлектронной, так и перед другими отраслями промышленности России и Беларуси.

Показателями эффективности выполнения программных мероприятий является количество освоенных в производстве конкретных типономиналов интегральных микросхем и полупроводниковых приборов специального назначения и двойного применения (к 2014 г. - не менее 90 типономиналов).

Реализация Программы планируется в один этап с 2010 года по 2013 год.



3. Система программных мероприятий

Мероприятия, которые предлагается реализовать для достижения целей Программы, приведены в таблице 1 и структурированы по следующим направлениям:

НИОКР по разработке интегральных микросхем, в том числе:

микропроцессоров и микроконтроллеров,

программируемых логических интегральных схем (ПЛИС) и базовых матричных кристаллов (БМК),

матричных кремниевых мультиплексоров,

микросхем запоминающих устройств (ЗУ),

схем интерфейса,

схем для источников вторичного электропитания,

операционных усилителей, компараторов, аналого-цифровых схем,

микросхем для устройств отображения информации,

"систем на кристалле";

ряда других микросхем для аппаратуры специального и двойного применения;

НИОКР по разработке полупроводниковых приборов, в том числе:

ДМОП-транзисторов и канальных МОП-транзисторов,

биполярных транзисторов с изолированным затвором,

стабилитронов,

импульсных диодов Шоттки;

НИР по разработке нормативно-правовой базы, повышению качества и информационно-аналитическому обеспечению разработок ЭКБ, в том числе:

по разработке методов ускоренных испытаний на безотказность и наработку на отказ применительно к микросхемам с субмикронными размерами элементов,

по исследованию надежности элементной базы КМОП ИМС с субмикронными проектными нормами.



Таблица 1



Укрупненный перечень мероприятий Программы

------------+--------------------+-----------------------------------------+-------------------
¦           ¦                    ¦          Объемы финансирования          ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦        (млн. росс. руб.) - всего,       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦               в том числе:              ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦     из бюджета Союзного государства     ¦                       ¦
¦   Номер   ¦    Наименование    ¦     -------------------------------     ¦                       ¦
¦мероприятия¦    мероприятий     ¦          из внебюджетных источников     ¦ Ожидаемые результаты  ¦
¦           ¦                    +---------+-------+-------+-------+-------+                       ¦
¦           ¦                    ¦  2010 - ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦ 2013 гг.¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦(в ценах ¦2010 г.¦2011 г.¦2012 г.¦2013 г.¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  соотв. ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   лет)  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦                           1. НИОКР по разработке интегральных микросхем                          ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.1    ¦Разработка ряда 8-, ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦16-, 32-разрядных   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦микропроцессоров и  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦микроконтроллеров, в¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦том числе устойчивых¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦к специальным       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦внешним             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦воздействующим      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦факторам (СВВФ), а  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦также кристаллов для¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦контактных и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦бесконтактных       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦(радиочастотных)    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦средств             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦идентификации, в том¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦числе:              ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.1.1   ¦Разработка ряда     ¦  192,4  ¦ 21,5  ¦ 38,9  ¦ 48,3  ¦ 83,7  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦микропроцессоров и  ¦   96,2  ¦ 11,5  ¦ 21,2  ¦ 25,0  ¦ 38,5  ¦RISC-микроконтроллера с¦
¦           ¦микроконтроллеров, в¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦EEPROM-памятью,        ¦
¦           ¦том числе устойчивых¦   96,2  ¦ 10,0  ¦ 17,7  ¦ 23,3  ¦ 45,2  ¦устойчивого к СВВФ     ¦
¦           ¦к СВВФ              ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(косвенный             ¦
¦           ¦                    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦функциональный аналог  ¦
¦           ¦                    ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦AT90S2333 ф. Atmel);   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы             ¦
¦           ¦                    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦многоканального        ¦
¦           ¦                    ¦  192,4  ¦ 21,5  ¦ 38,9  ¦ 48,3  ¦ 83,7  ¦формирователя временных¦
¦           ¦                    ¦   96,2  ¦ 11,5  ¦ 21,2  ¦ 25,0  ¦ 38,5  ¦интервалов, устойчивой ¦
¦           ¦                    ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦к СВВФ (основные       ¦
¦           ¦                    ¦   96,2  ¦ 10,0  ¦ 17,7  ¦ 23,3  ¦ 45,2  ¦технические            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦характеристики:        ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжение питания:    ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦5,0 В +/- 10%; частота ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦сигнала синхронизации: ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦100 МГц; точность      ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦установки фронтов      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦импульсов: 10 нс;      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦разрядность кодов      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦фронтов импульсов: 8   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦бит; диапазон рабочих  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦температур: от -60 до  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+125 °C; устойчивость к¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СВВФ: 2Ус); БИС для    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦электронного паспорта  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦изделий (частота       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦операционного поля     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦13,56 МГц, объем ЭСППЗУ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1024 байта);           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микроконтроллера с     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦10-разрядным АЦП,      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивого к СВВФ     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(система команд        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦семейства MCS-51);     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы автономного ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦CAN-контроллера,       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивого к          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦воздействию СВВФ       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦МСР 2515 ф. Microchip) ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.1.2   ¦Разработка          ¦  250,0  ¦ 30,5  ¦ 52,7  ¦ 76,0  ¦ 90,8  ¦Опытные образцы:       ¦
¦           ¦8-разрядного        ¦  125,0  ¦ 16,3  ¦ 26,4  ¦ 41,4  ¦ 40,9  ¦8-разрядного           ¦
¦           ¦микроконтроллера с  ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦спецстойкого           ¦
¦           ¦загружаемой памятью ¦  125,0  ¦ 14,2  ¦ 26,3  ¦ 34,6  ¦ 49,9  ¦микроконтроллера с     ¦
¦           ¦программ,           ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦загружаемой памятью    ¦
¦           ¦32-разрядного       ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программ (система      ¦
¦           ¦микроконтроллера с  ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦команд - PIC17);       ¦
¦           ¦Ethernet            ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦32-разрядного          ¦
¦           ¦интерфейсом,        ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦микроконтроллера с     ¦
¦           ¦32-разрядного       ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Ethernet интерфейсом,  ¦
¦           ¦микроконтроллера с  ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦устойчивого к СВВФ     ¦
¦           ¦12-разрядными АЦП и ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦ЦАП, устойчивых к   ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦по системе команд      ¦
¦           ¦СВВФ; радиационно-  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ST32F103 ф. STM);      ¦
¦           ¦стойкого            ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦32-разрядного          ¦
¦           ¦32-разрядного       ¦  250,0  ¦ 30,5  ¦ 52,7  ¦ 76,0  ¦ 90,8  ¦микроконтроллера с     ¦
¦           ¦процессора цифровой ¦  125,0  ¦ 16,3  ¦ 26,4  ¦ 41,4  ¦ 40,9  ¦12-разрядными АЦП и    ¦
¦           ¦обработки сигналов с¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ЦАП, устойчивого к СВВФ¦
¦           ¦плавающей запятой;  ¦  125,0  ¦ 14,2  ¦ 26,3  ¦ 34,6  ¦ 49,9  ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦микропроцессорной   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦LPC 1111 ф. NXP);      ¦
¦           ¦СБИС типа "система  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦радиационно-стойкого   ¦
¦           ¦на кристалле" с     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦32-разрядного          ¦
¦           ¦встроенной          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессора цифровой    ¦
¦           ¦операционной        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦обработки сигналов с   ¦
¦           ¦системой для        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦плавающей запятой,     ¦
¦           ¦интеллектуальных    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦функционально          ¦
¦           ¦карт и электронных  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦совместимого с серийно ¦
¦           ¦документов          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦выпускаемыми           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессорами линейки   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1867 (тактовая частота ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦50 МГц;                ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦производительность 50  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦MFLOPS; внутреннее ОЗУ ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦данных 2Кx32, бит; Кэш ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ОЗУ 64x32, бит;        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦внутреннее ПЗУ программ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦4Кx32, бит; два        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательных порта ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦с организацией         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦8/16/24/32 бит;        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦мультипроцессорный     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦интерфейс; блок прямого¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦доступа к памяти (DMA);¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦два 32-разрядных       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦таймера);              ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микропроцессорной СБИС ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦типа "система на       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦кристалле" с встроенной¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦операционной системой  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для интеллектуальных   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦карт и электронных     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦документов (зарубежные ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналоги SLE66LX640P ф. ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Infineon; ST19WR66,    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦STM; P5CD072 ф.        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Philips)               ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.2    ¦Разработка микросхем¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦СОЗУ емкостью 64 К, ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦256 К, 1 М, 4 М и   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦8 М, ряда ЭСППЗУ,   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦однократно и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦многократно         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦программируемых ПЗУ ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦для изделий         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.2.1   ¦Разработка          ¦  312,0  ¦ 38,0  ¦ 65,9  ¦ 95,0  ¦ 113,1 ¦Опытные образцы:       ¦
¦           ¦однократно          ¦  156,0  ¦ 20,3  ¦ 33,1  ¦ 51,8  ¦ 50,8  ¦микросхемы однократно  ¦
¦           ¦электрически        ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦электрически           ¦
¦           ¦программируемого ЗУ ¦  156,0  ¦ 17,7  ¦ 32,8  ¦ 43,2  ¦ 62,3  ¦программируемого ЗУ    ¦
¦           ¦емкостью 1 М,       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 1М, стойкого к¦
¦           ¦стойкого к          ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦спецфакторам           ¦
¦           ¦спецфакторам,       ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(разрядность слова - 8;¦
¦           ¦микросхем           ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкость - 1 Мбит; время¦
¦           ¦статических ОЗУ     ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦доступа по чтению - 40 ¦
¦           ¦емкостью 4 и 8 Мбит ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦нс; напряжение         ¦
¦           ¦и многократно       ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦программирования -     ¦
¦           ¦программируемого ПЗУ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦напряжение питания 3,3 ¦
¦           ¦для задания         ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦В; тип ячейки -        ¦
¦           ¦конфигурации ПЛИС   ¦  312,0  ¦ 38,0  ¦ 65,9  ¦ 95,0  ¦ 113,1 ¦antifuse; диапазон     ¦
¦           ¦                    ¦  156,0  ¦ 20,3  ¦ 33,1  ¦ 51,8  ¦ 50,8  ¦напряжения питания -   ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦3,0 - 5,5 В);          ¦
¦           ¦                    ¦  156,0  ¦ 17,7  ¦ 32,8  ¦ 43,2  ¦ 62,3  ¦микросхем статических  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ОЗУ емкостью 4 Мбит и 8¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Мбит (аналог CY7C1049  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Cypress) и          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦многократно            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программируемого ПЗУ   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 1 Мбит для    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦задания конфигурации   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ПЛИС (функциональный   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналог AT17LV010 ф.    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Atmel).                ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.2.2   ¦Разработка          ¦  178,4  ¦ 20,4  ¦ 29,7  ¦ 40,3  ¦ 88,0  ¦Элементная база,       ¦
¦           ¦элементной базы,    ¦   89,2  ¦  9,8  ¦ 15,9  ¦ 26,8  ¦ 36,7  ¦библиотеки             ¦
¦           ¦библиотек           ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦проектирования и       ¦
¦           ¦проектирования и    ¦   89,2  ¦ 10,6  ¦ 13,8  ¦ 13,5  ¦ 51,3  ¦опытные образцы        ¦
¦           ¦микросхем           ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхем:             ¦
¦           ¦двухпортового СОЗУ  ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦двухпортового СОЗУ     ¦
¦           ¦емкостью 256 К; FRAM¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦емкостью 256 К         ¦
¦           ¦ЗУ емкостью 64 К;   ¦  178,4  ¦ 20,4  ¦ 29,7  ¦ 40,3  ¦ 88,0  ¦(прототип IDT7007 ф.   ¦
¦           ¦ОЗУ емкостью 256 К, ¦   89,2  ¦  9,8  ¦ 15,9  ¦ 26,8  ¦ 36,7  ¦IDT); FRAM ЗУ емкостью ¦
¦           ¦устойчивого к СВВФ; ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦64 К (прототип         ¦
¦           ¦ЭСППЗУ емкостью     ¦   89,2  ¦ 10,6  ¦ 13,8  ¦ 13,5  ¦ 51,3  ¦FM24C256-SE ф.         ¦
¦           ¦256 К               ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Ramtron); ОЗУ емкостью ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦256 К, устойчивого к   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦СВВФ; ЭСППЗУ емкостью  ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦256 К (прототип        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦АТ24С256 ф. Atmel)     ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.3    ¦Разработка семейства¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦ПЛИС и БМК, в том   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦числе устойчивых к  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦СВВФ, для аппаратуры¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦а также разработка  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦программных средств ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦для перевода        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦проектов,           ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦реализованных на    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦зарубежных ПЛИС, в  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦полузаказные СБИС на¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦отечественных БМК, в¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦том числе:          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.3.1   ¦Разработка стойкой к¦  272,0  ¦ 33,2  ¦ 57,5  ¦ 82,8  ¦ 98,5  ¦Опытные образцы:       ¦
¦           ¦СВВФ ПЛИС с системой¦  136,0  ¦ 17,8  ¦ 28,8  ¦ 45,2  ¦ 44,2  ¦стойкой к СВВФ ПЛИС    ¦
¦           ¦устойчивости к      ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦емкостью 30 тысяч      ¦
¦           ¦одиночным сбоям,    ¦  136,0  ¦ 15,4  ¦ 28,7  ¦ 37,6  ¦ 54,3  ¦вентилей с системой    ¦
¦           ¦ряда базовых        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивости к         ¦
¦           ¦матричных кристаллов¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦одиночным сбоям        ¦
¦           ¦(БМК), семейства    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(напряжение питания, В:¦
¦           ¦радиационно-стойких ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦2,5 - 3,3; типовая     ¦
¦           ¦КМОП БМК с          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦логическая емкость:    ¦
¦           ¦компилированными    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦30 тыс. вентилей;      ¦
¦           ¦ОЗУ, семейства      ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦количество логических  ¦
¦           ¦радиационно-стойких ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦элементов: 1728; объем ¦
¦           ¦ПЛИС с              ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦встроенной памяти, бит:¦
¦           ¦энергонезависимой   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦12288; разрабатываемая ¦
¦           ¦сегнетоэлектрической¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ПЛИС функционально     ¦
¦           ¦(FRAM) памятью      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦совместима с ПЛИС FLEX ¦
¦           ¦                    ¦  272,0  ¦ 33,2  ¦ 57,5  ¦ 82,8  ¦ 98,5  ¦10К30 ф. Altera);      ¦
¦           ¦                    ¦  136,0  ¦ 17,8  ¦ 28,8  ¦ 45,2  ¦ 44,2  ¦базовых матричных      ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦кристаллов (БМК) с     ¦
¦           ¦                    ¦  136,0  ¦ 15,4  ¦ 28,7  ¦ 37,6  ¦ 54,3  ¦числом вентилей до     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦1000000 и тактовой     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦частотой 200 МГц;      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦радиационно-стойких    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦КМОП БМК с             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦компилированными ОЗУ   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(эквивалентное число   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦вентилей - до 200000;  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналоги: семейство БМК ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦серии 1537ХМ (Россия), ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦семейство БМК MG2RTP   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(ф. Atmel)); семейство ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦радиационно-стойких    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ПЛИС с                 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦энергонезависимой      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегнетоэлектрической   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(FRAM) памятью         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(эквивалентное число   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦вентилей: 60000 -      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦100000; емкость        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегнетоэлектрической   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(FRAM) памяти: 256     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Кбит; напряжение       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦питания: 3,3 или 5,0 В)¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.3.2   ¦Разработка серии    ¦   89,8  ¦ 13,8  ¦ 17,5  ¦ 39,5  ¦ 19,0  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦однократно          ¦   44,9  ¦  7,5  ¦  9,0  ¦ 21,4  ¦  7,0  ¦однократно             ¦
¦           ¦программируемых     ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦программируемых        ¦
¦           ¦логических схем на  ¦   44,9  ¦  6,3  ¦  8,5  ¦ 18,1  ¦ 12,0  ¦логических схем на 2 К ¦
¦           ¦2 К и 8 К вентилей, ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и 8 К вентилей,        ¦
¦           ¦устойчивых к СВВФ;  ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивых к СВВФ      ¦
¦           ¦аналогового базового¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональные аналоги¦
¦           ¦матричного кристалла¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦RH1020, RH1280 ф.      ¦
¦           ¦для создания        ¦   89,8  ¦ 13,8  ¦ 17,5  ¦ 39,5  ¦ 19,0  ¦Actel); аналогового    ¦
¦           ¦полузаказных        ¦   44,9  ¦  7,5  ¦  9,0  ¦ 21,4  ¦  7,0  ¦базового матричного    ¦
¦           ¦аналоговых СБИС,    ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦кристалла для создания ¦
¦           ¦устойчивых к СВВФ;  ¦   44,9  ¦  6,3  ¦  8,5  ¦ 18,1  ¦ 12,0  ¦полузаказных аналоговых¦
¦           ¦программных средств ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС, устойчивых к СВВФ¦
¦           ¦для перевода        ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(напряжение питания:   ¦
¦           ¦проектов,           ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦3 - 15 В; 36 типовых   ¦
¦           ¦реализованных на    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦операционных           ¦
¦           ¦ПЛИС фирмы Xilinx, в¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦усилителей; 512        ¦
¦           ¦заказные СБИС       ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦двухвходовых вентилей; ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦64 двухтактных         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦триггера; масочное     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программирование).     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Программные средства   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для перевода проектов, ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦реализованных на ПЛИС  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Xilinx, в заказные  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС (библиотеки       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦функциональных и       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦структурных описаний   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦элементов отечественных¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС; программные      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦перепроектирования     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(синтеза) в базисах    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦библиотек отечественных¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СБИС; программные      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства преобразования¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и оптимизации          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦RTL-описаний логических¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦схем; программные      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦средства синтеза       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦макроэлементов,        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦реализующих            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦математические функции;¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программные средства   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦логической верификации ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процесса повторного    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦синтеза)               ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.4    ¦Разработка          ¦   89,4  ¦ 15,7  ¦ 19,8  ¦ 37,4  ¦ 16,5  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦библиотеки элементов¦   44,7  ¦  8,0  ¦ 10,2  ¦ 20,5  ¦  6,0  ¦элементной базы        ¦
¦           ¦и СФ-блоков для     ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦матричных кремниевых   ¦
¦           ¦создания            ¦   44,7  ¦  7,7  ¦  9,6  ¦ 16,9  ¦ 10,5  ¦мультиплексоров для    ¦
¦           ¦унифицированного    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦фотоприемных устройств ¦
¦           ¦типоразмерного ряда ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(накопитель для матрицы¦
¦           ¦кремниевых          ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦изображения 320 x 240  ¦
¦           ¦мультиплексоров для ¦   89,4  ¦ 15,7  ¦ 19,8  ¦ 37,4  ¦ 16,5  ¦пикселов); микросхемы  ¦
¦           ¦ИК ФПУ и разработка ¦   44,7  ¦  8,0  ¦ 10,2  ¦ 20,5  ¦  6,0  ¦стабилизаторов         ¦
¦           ¦опытных образцов    ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦напряжения             ¦
¦           ¦мультиплексора для  ¦   44,7  ¦  7,7  ¦  9,6  ¦ 16,9  ¦ 10,5  ¦отрицательной          ¦
¦           ¦фотоприемных матриц ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦полярности             ¦
¦           ¦третьего поколения  ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦(функционально-        ¦
¦           ¦дальнего            ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦электрический аналог МС¦
¦           ¦ИК-диапазона и БИС  ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦79ХХ) и микросхемы     ¦
¦           ¦управления и        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦широкополосного видео  ¦
¦           ¦обработки сигналов  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦мультиплексора 4x1     ¦
¦           ¦мультиплексора, в   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(прототип AD9300 ф.    ¦
¦           ¦том числе разработка¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Analog Devices)        ¦
¦           ¦элементной базы     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦матричных кремниевых¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦мультиплексоров для ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦фотоприемных        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦устройств,          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦микросхемы          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦стабилизаторов      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦напряжения          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦отрицательной       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦полярности и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦микросхемы          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦широкополосного     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦видео мультиплексора¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦4x1                 ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.5    ¦Разработка ряда схем¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦интерфейса, в том   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦числе устойчивых к  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦СВВФ, для аппаратуры¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.5.1   ¦Разработка комплекта¦   57,2  ¦ 10,0  ¦ 15,1  ¦ 13,8  ¦ 18,3  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦интерфейсных        ¦   28,6  ¦  6,3  ¦  7,0  ¦  7,9  ¦  7,4  ¦микросхем              ¦
¦           ¦интегральных        ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦приемопередатчиков     ¦
¦           ¦микросхем           ¦   28,6  ¦  3,7  ¦  8,1  ¦  5,9  ¦ 10,9  ¦стандарта RS-485 с     ¦
¦           ¦приемопередатчиков  ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦пониженным до 3 В      ¦
¦           ¦стандарта RS-485 и  ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжением питания    ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналоги MAX 3485, MAX ¦
¦           ¦интерфейсных        ¦   57,2  ¦ 10,0  ¦ 15,1  ¦ 13,8  ¦ 18,3  ¦3486 ф. Maxim) и       ¦
¦           ¦приемопередатчиков  ¦   28,6  ¦  6,3  ¦  7,0  ¦  7,9  ¦  7,4  ¦микросхем интерфейсных ¦
¦           ¦манчестерского кода ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦приемопередатчиков     ¦
¦           ¦                    ¦   28,6  ¦  3,7  ¦  8,1  ¦  5,9  ¦ 10,9  ¦манчестерского кода с  ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦пониженным напряжением ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦питания 3,3 В (аналоги ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦HI-1573, HI-1574 ф.    ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦Holt Integrated        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Circuits), устойчивых к¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦СВВФ                   ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.5.2   ¦Разработка          ¦   42,0  ¦  4,9  ¦  9,0  ¦ 13,0  ¦ 15,1  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦микросхемы          ¦   21,0  ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  7,1  ¦  6,8  ¦микросхемы             ¦
¦           ¦приемопередатчика   ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦приемопередатчика      ¦
¦           ¦интерфейса LVDS     ¦   21,0  ¦  2,4  ¦  4,4  ¦  5,9  ¦  8,3  ¦интерфейса LVDS,       ¦
¦           ¦                    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивой к СВВФ      ¦
¦           ¦                    ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог DS90LV049 ф.   ¦
¦           ¦                    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦NS)                    ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   42,0  ¦  4,9  ¦  9,0  ¦ 13,0  ¦ 15,1  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   21,0  ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  7,1  ¦  6,8  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   21,0  ¦  2,4  ¦  4,4  ¦  5,9  ¦  8,3  ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.6    ¦Разработка ряда     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦микросхем для       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦источников          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦вторичного          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦электропитания в    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦аппаратуре          ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.6.1   ¦Разработка микросхем¦   68,0  ¦  5,1  ¦ 11,0  ¦ 14,9  ¦ 37,0  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦микромощного        ¦   34,0  ¦  2,6  ¦  5,0  ¦  9,4  ¦ 17,0  ¦микросхем:             ¦
¦           ¦стабилизатора       ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦микромощного           ¦
¦           ¦напряжения,         ¦   34,0  ¦  2,5  ¦  6,0  ¦  5,5  ¦ 20,0  ¦стабилизатора          ¦
¦           ¦малошумящего        ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения (входное    ¦
¦           ¦двухдиапазонного    ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжение: 6 - 16 В;  ¦
¦           ¦источника опорного  ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦выходное напряжение:   ¦
¦           ¦напряжения,         ¦   68,0  ¦  5,1  ¦ 11,0  ¦ 14,9  ¦ 37,0  ¦5 В +/- 2%; ток        ¦
¦           ¦регулятора          ¦   34,0  ¦  2,6  ¦  5,0  ¦  9,4  ¦ 17,0  ¦потребления: не более  ¦
¦           ¦напряжения          ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦6 мкА; температурный   ¦
¦           ¦положительной       ¦   34,0  ¦  2,5  ¦  6,0  ¦  5,5  ¦ 20,0  ¦коэффициент выходного  ¦
¦           ¦полярности с низким ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения: не более   ¦
¦           ¦остаточным          ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦+/-1 мВ/°C; ближайший  ¦
¦           ¦напряжением для     ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦функциональный аналог  ¦
¦           ¦источников питания  ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ADM663 ф. Analog       ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Devices); малошумящего ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦двухдиапазонного       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦источника опорного     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения (аналог     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦AD780 ф. Analog        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Devices); регулятора   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦положительной          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦полярности с низким    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦остаточным напряжением ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для источников питания ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог AMS1117А ф.    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Advanced Monolitic     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Systems)               ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.6.2   ¦Разработка СБИС     ¦   44,0  ¦  5,4  ¦  9,3  ¦ 13,4  ¦ 15,9  ¦Опытные образцы СБИС   ¦
¦           ¦повышающего         ¦   22,0  ¦  2,9  ¦  4,7  ¦  7,3  ¦  7,1  ¦повышающего            ¦
¦           ¦преобразователя     ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦преобразователя        ¦
¦           ¦напряжения (DCDC)   ¦   22,0  ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  6,1  ¦  8,8  ¦напряжения DCDC (аналог¦
¦           ¦для применения в    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦RICOH RH5RIXX)         ¦
¦           ¦устройствах и       ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦системах,           ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦использующих        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦низковольтные       ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦источники питания   ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   44,0  ¦  5,4  ¦  9,3  ¦ 13,4  ¦ 15,9  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   22,0  ¦  2,9  ¦  4,7  ¦  7,3  ¦  7,1  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦   22,0  ¦  2,5  ¦  4,6  ¦  6,1  ¦  8,8  ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.7    ¦Разработка ряда     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦операционных        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦усилителей,         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦компараторов,       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦аналого-цифровых    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦схем для аппаратуры ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.7.1   ¦Разработка          ¦  120,0  ¦ 14,7  ¦ 25,4  ¦ 36,5  ¦ 43,4  ¦Опытные образцы:       ¦
¦           ¦биполярных          ¦   60,0  ¦  7,9  ¦ 12,7  ¦ 19,9  ¦ 19,5  ¦биполярных интегральных¦
¦           ¦интегральных        ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦функционально полных   ¦
¦           ¦функционально полных¦   60,0  ¦  6,8  ¦ 12,7  ¦ 16,6  ¦ 23,9  ¦ЦАП (время установления¦
¦           ¦ЦАП и АЦП на 16     ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦выходного сигнала      ¦
¦           ¦двоичных разрядов,  ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+/-0,003% от Ufs = 10  ¦
¦           ¦шестиканального     ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦В - не более 5 мкс;    ¦
¦           ¦16-разрядного АЦП с ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦число разрядов 16) и   ¦
¦           ¦напряжением питания ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦АЦП (время             ¦
¦           ¦3 В и 5 В           ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦преобразования         ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦выходного сигнала Ufs =¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦10 В - не более 16 мкс;¦
¦           ¦                    ¦  120,0  ¦ 14,7  ¦ 25,4  ¦ 36,5  ¦ 43,4  ¦число разрядов 16);    ¦
¦           ¦                    ¦   60,0  ¦  7,9  ¦ 12,7  ¦ 19,9  ¦ 19,5  ¦шестиканального        ¦
¦           ¦                    ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦16-разрядного АЦП с    ¦
¦           ¦                    ¦   60,0  ¦  6,8  ¦ 12,7  ¦ 16,6  ¦ 23,9  ¦напряжением питания 3 В¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и 5 В (аналог AD73360  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Analog Devices)     ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.7.2   ¦Разработка          ¦   58,0  ¦  0,0  ¦  8,0  ¦ 11,5  ¦ 38,5  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦микросхемы          ¦   29,0  ¦  0,0  ¦  2,0  ¦  8,5  ¦ 18,5  ¦микросхемы             ¦
¦           ¦регулируемого       ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦регулируемого          ¦
¦           ¦стабилизатора       ¦   29,0  ¦  0,0  ¦  6,0  ¦  3,0  ¦ 20,0  ¦стабилизатора          ¦
¦           ¦напряжения          ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦напряжения             ¦
¦           ¦отрицательной       ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦отрицательной          ¦
¦           ¦полярности и        ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦полярности (аналог LM  ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦   58,0  ¦  0,0  ¦  8,0  ¦ 11,5  ¦ 38,5  ¦337 ф. National        ¦
¦           ¦для контроля        ¦   29,0  ¦  0,0  ¦  2,0  ¦  8,5  ¦ 18,5  ¦Semiconductor);        ¦
¦           ¦питания, устойчивых ¦   ----  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦ ----  ¦комплекта микросхем для¦
¦           ¦к СВВФ              ¦   29,0  ¦  0,0  ¦  6,0  ¦  3,0  ¦ 20,0  ¦контроля питания,      ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивых к СВВФ      ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦(аналог MAX809/810 ф.  ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Maxim): контроль       ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦питания +2,5 В; +3,0 В;¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦+3,3 В; +5,0 В низким и¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦высоким уровнями       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигнала сброса;        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦устойчивость к СВВФ:   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦2Ус; диапазон рабочих  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦температур: от -60 до  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦+125 °C                ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.8    ¦Разработка          ¦   75,0  ¦  4,0  ¦ 20,5  ¦ 34,5  ¦ 16,0  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦интегральных схем   ¦   37,5  ¦  3,0  ¦ 10,5  ¦ 20,0  ¦  4,0  ¦микросхемы драйвера с  ¦
¦           ¦для управления      ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦программируемым        ¦
¦           ¦устройствами        ¦   37,5  ¦  1,0  ¦ 10,0  ¦ 14,5  ¦ 12,0  ¦мультиплексом для      ¦
¦           ¦отображения         ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сегментных ЖКИ (аналог ¦
¦           ¦информации, в том   ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦HT1621 ф. Holtek) и    ¦
¦           ¦числе микросхемы    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦комплекта микросхем    ¦
¦           ¦драйвера с          ¦   75,0  ¦  4,0  ¦ 20,5  ¦ 34,5  ¦ 16,0  ¦высоковольтных         ¦
¦           ¦программируемым     ¦   37,5  ¦  3,0  ¦ 10,5  ¦ 20,0  ¦  4,0  ¦драйверов              ¦
¦           ¦мультиплексом для   ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦строк/столбцов для     ¦
¦           ¦сегментных ЖКИ и    ¦   37,5  ¦  1,0  ¦ 10,0  ¦ 14,5  ¦ 12,0  ¦устройств управления   ¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦информационными        ¦
¦           ¦высоковольтных      ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦экранами на            ¦
¦           ¦драйверов           ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦газоплазменных панелях ¦
¦           ¦строк/столбцов для  ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦(аналоги миPD16306,    ¦
¦           ¦устройств управления¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦миPD16337 ф. NEC)      ¦
¦           ¦информационными     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦экранами на         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦газоплазменных      ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦панелях             ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    1.9    ¦Разработка СБИС типа¦  520,0  ¦ 63,2  ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦Опытные образцы:       ¦
¦           ¦"система на         ¦  260,0  ¦ 33,9  ¦ 55,1  ¦ 86,3  ¦ 84,7  ¦СБИС цифровой системы  ¦
¦           ¦кристалле" для      ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----- ¦приема и обработки     ¦
¦           ¦построения новейших ¦  260,0  ¦ 29,3  ¦ 54,7  ¦ 72,0  ¦ 104,0 ¦высокочастотных        ¦
¦           ¦систем радиосвязи,  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигналов (состав:      ¦
¦           ¦радиолокации,       ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналого-цифровые       ¦
¦           ¦цифрового           ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦преобразователи        ¦
¦           ¦телевидения и       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦широкополосных         ¦
¦           ¦обработки           ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигналов, блок         ¦
¦           ¦видеосигналов       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аппаратной поддержки   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦предварительной        ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦обработки              ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦(гетеродинирования и   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦фильтрации),           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессорные ядра для  ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦цифровой обработки     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигналов, ядро         ¦
¦           ¦                    ¦  520,0  ¦ 63,2  ¦ 109,8 ¦ 158,3 ¦ 188,7 ¦высокопроизводительного¦
¦           ¦                    ¦  260,0  ¦ 33,9  ¦ 55,1  ¦ 86,3  ¦ 84,7  ¦RISC процессора,       ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----- ¦внутренняя статическая ¦
¦           ¦                    ¦  260,0  ¦ 29,3  ¦ 54,7  ¦ 72,0  ¦ 104,0 ¦память, двухбитовые    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦порты ввода данных     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦SIGN/MAGN,             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦быстродействующие      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательные порты,¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательные       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦интерфейсы UART и GPIO,¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦JTAG-порт, цифро-      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦аналоговые             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦преобразователи (только¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦в микросхеме управления¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦и синтеза сигнала);    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦основные технические   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦характеристики:        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦тактовая частота работы¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессорных ядер      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦цифровой обработки     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦сигналов - не менее 320¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦МГц, производительность¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессоров цифровой   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦обработки сигналов - до¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦80000 миллионов        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦операций умножения с   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦накоплением в секунду  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(ММАС) или до 30       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦GFLOPS,                ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦производительность RISC¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦процессора - не менее  ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦320 MIPS, объем        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦оперативной памяти - не¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦менее 8 Мбит,          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦разрядность - не менее ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦32 бит);               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦комплекта СБИС для     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦спутниковой            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦мультимедийной системы ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦по стандарту DVB-RCS в ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦составе: СБИС типа     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦"система на кристалле" ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦декодера - демодулятора¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦приемника спутникового ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦канала; БИС            ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦демодулятора и         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦усилителя промежуточной¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦частоты; СБИС ATM      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦коммутатора; СБИС типа ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦"система на кристалле" ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ATM процессора; СБИС   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦кодеров - декодеров;   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦чипсета на СБИС типа   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦"система на кристалле" ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦для радиоприемника     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦цифрового радиовещания ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦в формате DRM (диапазон¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦принимаемых частот -   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦150 кГц - 30 МГц;      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦динамический ток       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦потребления, мА - 150; ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦рабочее напряжение     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦питания, В - 1,8; 2,7; ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦3,6; температурный     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦диапазон: -45 °C - +85 ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦°C)                    ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   1.10    ¦Разработка          ¦  112,0  ¦  9,5  ¦ 26,2  ¦ 34,7  ¦ 41,6  ¦Опытные образцы        ¦
¦           ¦логических ИС,      ¦   56,0  ¦  5,0  ¦ 13,7  ¦ 19,3  ¦ 18,0  ¦комплекта микросхем для¦
¦           ¦устойчивых к СВВФ, и¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦малогабаритных         ¦
¦           ¦ряда других ИС для  ¦   56,0  ¦  4,5  ¦ 12,5  ¦ 15,4  ¦ 23,6  ¦кварцевых генераторов в¦
¦           ¦аппаратуры          ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦составе: 1) логический ¦
¦           ¦специального и      ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦элемент "НЕ"           ¦
¦           ¦двойного применения,¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦в том числе         ¦  112,0  ¦  9,5  ¦ 26,2  ¦ 34,7  ¦ 41,6  ¦TC7S04 ф. Toshiba,     ¦
¦           ¦микросхемы          ¦   56,0  ¦  5,0  ¦ 13,7  ¦ 19,3  ¦ 18,0  ¦Япония; параметрический¦
¦           ¦программируемого    ¦   ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----  ¦аналог 1554 ЛН1ТБН ОАО ¦
¦           ¦цифрового термометра¦   56,0  ¦  4,5  ¦ 12,5  ¦ 15,4  ¦ 23,6  ¦"ИНТЕГРАЛ");           ¦
¦           ¦с EEPROM и          ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦2) стабилизаторы       ¦
¦           ¦последовательным    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦напряжения             ¦
¦           ¦интерфейсом,        ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦(функциональные        ¦
¦           ¦микросхемы часов    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦аналоги: TK71728S,     ¦
¦           ¦реального времени с ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦TK71730S, TK71740S,    ¦
¦           ¦двухпроводным       ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦TK71750S ф. ТОКО,      ¦
¦           ¦последовательным    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Япония); 3) датчик     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦контроля температуры   ¦
¦           ¦ 2                  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог LM135Z ф. SGS- ¦
¦           ¦I C интерфейсом и   ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Thomson, Франция); 4)  ¦
¦           ¦батарейным питанием,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦маломощный операционный¦
¦           ¦комплекта микросхем ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦усилитель              ¦
¦           ¦для малогабаритных  ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦кварцевых           ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦LMC7101 ф. National    ¦
¦           ¦генераторов         ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Semiconductor);        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы             ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦программируемого       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦цифрового термометра с ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦EEPROM и               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательным       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦интерфейсом (аналог    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦DS1620 ф. MAXIM-Dallas ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Semiconductor),        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦микросхемы часов       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦реального времени с    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦двухпроводным          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                  2    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦последовательным I C   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦интерфейсом и          ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦батарейным питанием    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(аналог DS1307 ф.      ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦MAXIM-Dallas           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Semiconductor)         ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦           ¦Всего по разделу 1: ¦  2480,2 ¦ 289,9 ¦ 516,3 ¦ 749,9 ¦ 924,1 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  1240,1 ¦ 155,3 ¦ 259,9 ¦ 417,8 ¦ 407,1 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  ------ ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  1240,1 ¦ 134,6 ¦ 256,4 ¦ 332,1 ¦ 517,0 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  920,2  ¦ 100,0 ¦ 186,7 ¦ 274,9 ¦ 358,6 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  460,1  ¦ 53,7  ¦ 94,5  ¦ 158,8 ¦ 153,1 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----  ¦ ----  ¦ ----- ¦ ----- ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  460,1  ¦ 46,3  ¦ 92,2  ¦ 116,1 ¦ 205,5 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  1560,0 ¦ 189,9 ¦ 329,6 ¦ 475,0 ¦ 565,5 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  780,0  ¦ 101,6 ¦ 165,4 ¦ 259,0 ¦ 254,0 ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  -----  ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦ ----- ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦  780,0  ¦ 88,3  ¦ 164,2 ¦ 216,0 ¦ 311,5 ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦                         2. НИОКР по разработке полупроводниковых приборов                        ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦    2.1    ¦Разработка ряда     ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦ДМОП-транзисторов и ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦канальных           ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦МОП-транзисторов    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦специального        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦назначения и        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦двойного применения,¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦в том числе:        ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
+-----------+--------------------+---------+-------+-------+-------+-------+-----------------------+
¦   2.1.1   ¦Разработка ряда     ¦   67,6  ¦ 17,7  ¦ 18,5  ¦ 15,7  ¦ 15,7  ¦Опытные образцы ряда   ¦
¦           ¦силовых n- и        ¦   33,8  ¦  9,4  ¦ 11,5  ¦  7,7  ¦  5,2  ¦стойких n-канальных    ¦
¦           ¦p-канальных полевых ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦транзисторов, ряда  ¦   33,8  ¦  8,3  ¦  7,0  ¦  8,0  ¦ 10,5  ¦IRLZ44 ф. IR) и        ¦
¦           ¦ДМОП-транзисторов и ¦  в том  ¦       ¦       ¦       ¦       ¦р-канальных            ¦
¦           ¦составного          ¦  числе: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦(функциональный аналог ¦
¦           ¦биполярного n-p-n   ¦Беларусь:¦       ¦       ¦       ¦       ¦IRF9540 ф. IR) полевых ¦
¦           ¦транзистора в       ¦   67,6  ¦ 17,7  ¦ 18,5  ¦ 15,7  ¦ 15,7  ¦транзисторов (стойкость¦
¦           ¦малогабаритном      ¦   33,8  ¦  9,4  ¦ 11,5  ¦  7,7  ¦  5,2  ¦к СВВФ - ЗУ); ряда     ¦
¦           ¦металлокерамическом ¦   ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦  ---  ¦ ----  ¦ДМОП-транзисторов с    ¦
¦           ¦корпусе             ¦   33,8  ¦  8,3  ¦  7,0  ¦  8,0  ¦ 10,5  ¦рабочими напряжениями  ¦
¦           ¦                    ¦ Россия: ¦       ¦       ¦       ¦       ¦до 800 В и токами до   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦80 А (функциональные   ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦аналоги IRF540N,       ¦
¦           ¦                    ¦   ---   ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦  ---  ¦STP5NA80 ф. SGS-       ¦
¦           ¦                    ¦   0,0   ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦  0,0  ¦Thomson, IRF830 ф.     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦International, RFP50N06¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ф. Fairchild           ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦Semiconductor);        ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦составного биполярного ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦n-p-n транзистора в    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦малогабаритном         ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦металлокерамическом    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦корпусе: статический   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦коэффициент передачи   ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦тока (I  = 150 мА,     ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦       К               ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦U   = 10 В) - 1000;    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦ КЭ                    ¦
¦           ¦                    ¦         ¦       ¦       ¦       ¦       ¦                       ¦

Страницы документа:

Стр. 1, Стр. 2, Стр. 3


Archiv Dokumente
Папярэдні | Наступны
Новости законодательства

Новости Спецпроекта "Тюрьма"

Новости сайта
Новости Беларуси

Полезные ресурсы

Счетчики
Rambler's Top100
TopList