|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Приказ Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 29.04.1999 № 43/164-ОД "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 12Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | 3. Покрытие благородными металлами, модифицированными алюминидами, включает многошаговое нанесение покрытий, в котором благородный металл или благородные металлы нанесены ранее каким-либо другим процессом до применения метода нанесения алюминида. 4. Смеси включают инфильтрующий материал, композиции, выравнивающие температуру процесса, присадки и многоуровневые материалы и получаются в ходе одного или нескольких процессов нанесения покрытий, изложенных в таблице. 5. MCrAlX соответствует сложному составу покрытия, где M эквивалентно кобальту, железу, никелю или их комбинации, а X эквивалентно гафнию, иттрию, кремнию, танталу в любом количестве или другим специально внесенным добавкам свыше 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме: а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия или б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22-24% (по весу) хрома, 10-12% (по весу) алюминия и 0,5-0,7% (по весу) иттрия или в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21-23% (по весу) хрома, 10-12% (по весу) алюминия и 0,9-1,1% (по весу) иттрия. 6. Термин "алюминиевые сплавы" соответствует сплавам с предельным значением прочности на разрыв 190 МПа или более, измеренным при температуре 293 K (20 град. C). 7. Термин "коррозиестойкая сталь" относится к сталям, удовлетворяющим требованиям стандарта Американского института железа и стали, в соответствии с которым производится оценка по 300 различным показателям или требованиям соответствующих национальных стандартов для сталей. 8. К тугоплавким металлам относятся следующие металлы и их сплавы: ниобий (колумбий - в США), молибден, вольфрам и тантал. 9. Материалами окон датчиков являются: алюмин (оксид алюминия), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, некоторые галогениды металлов (иодистый калий, фтористый калий), а окон датчиков диаметром более 40 мм - бромистый таллий и хлоробромистый таллий. 10. Технология для одношаговой пакетной цементации твердых профилей крыльев не подвергается ограничению по категории 2. 11. Полимеры включают: полиамид, полиэфир, полисульфид, поликарбонаты и полиуретаны. 12. Термин "модифицированные виды циркония" означает цирконий с внесенными в него добавками оксидов других металлов (таких, как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в соответствии с условиями стабильности определенных кристаллографических фаз и фазы смещения. Термостойкие покрытия из циркония, модифицированные кальцием или оксидом магния методом смешения или расплава, не контролируются. 13. Титановые сплавы определяются как аэрокосмические сплавы с предельным значением прочности на разрыв 900 МПа или более, измеренным при 293 K (20 град. C). 14. Стекла с малым коэффициентом расширения определяются как стекла, имеющие коэффициент температурного расширения 10E--7 КЕ-1 или менее, измеренный при 293 K (20 град. C). 15. Диэлектрические слоевые покрытия относятся к многослойным изолирующим материалам, в которых интерференционные свойства конструкции сочетаются с различными индексами переотражения, что используется для отражения, передачи или поглощения различных волновых диапазонов. Диэлектрические слоевые покрытия состоят из четырех и более слоев диэлектрика или слоевой композиции диэлектрик - металл. 16. Цементированный карбид вольфрама не включает материалы, применяемые для резания и формования металла, состоящие из карбида вольфрама/(кобальт-никель), карбида титана/(кобальт-никель), карбида хрома/(никель-хром) и карбида хрома/никель. Технические примечания к таблице: Процессы, представленные в графе "Наименование процесса нанесения покрытия", определяются следующим образом. 1. Химическое осаждение паров - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия или покрытия с модификацией покрываемой поверхности, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика наносятся на нагретое изделие. Газообразные реактивы разлагаются или соединяются на поверхности изделия, в результате чего на ней образуются желаемые элементы, сплавы или компаунды. Энергия для такого разложения или химической реакции может быть обеспечена за счет нагрева изделия плазменным разрядом или лучом лазера. Особые примечания: а) химическое осаждение паров включает следующие процессы: беспакетное нанесение покрытия прямым газовым потоком, пульсирующее химическое осаждение паров, управляемое термическое осаждение с образованием центров кристаллизации, с применением мощного потока плазмы или химическое осаждение паров с участием плазмы; б) пакет означает погружение изделия в пудру из нескольких составляющих; в) газообразные продукты (пары, реагенты), используемые в беспакетном процессе, применяются с несколькими базовыми реакциями и параметрами, такими, как пакетная цементация, кроме случая, когда на изделие наносится покрытие без контакта со смесью пудры. 2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии используется для превращения в пар наносимого материала. В результате процесса конденсат или покрытие осаждается на соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве модификаций процесса элементами сложного состава покрытия. Использование ионного или электронного излучения или плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем. Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством резистивного нагрева заключается в следующем: а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный луч; б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве источника тепла, способного обеспечить контролируемый и равномерный (однородный) поток паров материала покрытия, используется электрическое сопротивление; в) при выпаривании лазером для нагрева материала, который формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный луч; г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд дуги на поверхности катода после моментального контакта с заземленным пусковым устройством (триггером), используется расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор или сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления нанесением изоляции используются изделия с регулированием их положения. Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением изделия. 3. Ионная имплантация - специальная модификация генерального процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение (заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического осаждения паров термовыпариванием. 4. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет), которая состоит из: а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль) и в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия). Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры), которая нагревается от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) на время, достаточное для нанесения покрытия. 5. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление может быть основано на осуществляемом под водой напылении плазмой низкого давления или высокоскоростной плазмой. Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при температуре 293 K (20 град. C) и давлении 0,1 МПа. 6. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия, когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим, суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств покрытия. 7. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле по направлению к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на поверхности мишени требуемого покрытия. Особые примечания: а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной или реактивной металлизации распылением, которая применяется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а также о радиочастотном усилении напыления, используемом при нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий; б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 кэВ) могут быть использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения покрытия. 8. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав) ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала, и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания электронным лучом или металлизации распылением. Техническая терминология, используемая в таблице технических приемов осаждения покрытийПодразумевается, что следующая техническая информация, относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий, используется при необходимости. 1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне: 1.1.1. Состав раствора для ванны: 1.1.1.1. для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений 1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек 1.1.2. Время обработки в ванне 1.1.3. Температура в ванне 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения величины чистящей дозы 1.3. Параметры циклов горячей обработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. состав атмосферы 1.3.1.2. атмосферное давление 1.3.2. Температура для горячей обработки 1.3.3. Продолжительность горячей обработки 1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки: 1.4.1. Параметры пескоструйной очистки: 1.4.1.1. состав песка 1.4.1.2. размеры и форма частиц песка 1.4.1.3. скорость подачи песка 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки 1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности 1.5. Технические параметры защитного покрытия: 1.5.1. Материал защитного покрытия 1.5.2. Размещение защитного покрытия 2. Терминология, используемая при определении технологических параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных в таблице: 2.1. Атмосферные параметры: 2.1.1. Состав атмосферы 2.1.2. Атмосферное давление 2.2. Временные параметры 2.3. Температурные параметры 2.4. Параметры слоя 2.5. Коэффициент параметров преломления 3. Терминология, используемая в технологиях для обработки покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым песчаником: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби 3.1.2. Размер дроби 3.1.3. Скорость подачи дроби 3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником 3.3. Параметры цикла горячей обработки: 3.3.1. Атмосферные параметры: 3.3.1.1. состав атмосферы 3.3.1.2. атмосферное давление 3.3.2. Температурно-временные циклы 3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки для последующего нанесения покрытия на подложку 4. Терминология, используемая в технологиях для определения технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек, указанных в таблице: 4.1. Критерии статического выборочного контроля 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Усиления 4.2.2. Равномерности толщины покрытия 4.2.3. Целостности покрытия 4.2.4. Состава покрытия 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки 4.2.6. Микроструктурной однородности 4.3. Критерии для оценки оптических свойств: 4.3.1. Отражательная способность 4.3.2. Прозрачность 4.3.3. Поглощение 4.3.4. Рассеяние 5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах, связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения поверхности, указанными в таблице: 5.1. Для химического осаждения паров: 5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия 5.1.2. Состав несущего газа 5.1.3. Температура подложки 5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа 5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров: 5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия 5.2.2. Температура подложки 5.2.3. Состав химически активного газа 5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого материала 5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. длина волны 5.2.7.2. плотность мощности 5.2.7.3. длительность импульса 5.2.7.4. периодичность импульсов 5.2.7.5. источник 5.2.7.6. ориентация подложки 5.3. Для цементации с предварительной обмазкой: 5.3.1. Состав обмазки и формулировка 5.3.2. Состав несущего газа 5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа 5.4.3. Температура подложки 5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки 5.4.5. Дистанция напыления 5.4.6. Угол напыления 5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока 5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки 5.5. Для металлизации распылением: 5.5.1. Состав и структура мишени 5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени 5.5.3. Состав химически активного газа 5.5.4. Высокочастотное подмагничивание 5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.5.6. Мощность триода 5.5.7. Изменение дозировки 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов 5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения 5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.7. Для ионного гальванического покрытия: 5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов 5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения 5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления 5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость испарения 5.7.6. Температура подложки 5.7.7. Параметры наклона подложки --------------+-----------------------------------+--------------- ¦ N позиции ¦ Наименование ¦Код товарной ¦ ¦ ¦ ¦номенклатуры ¦ ¦ ¦ ¦внешнеэкономической¦ ¦ ¦ ¦деятельности ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦ Категория 3. Электроника ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: 1. Контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, указанных в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1, других, нежели те, которые ¦ ¦ ¦ ¦указаны в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 или в пункте¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.12, которые специально ¦ ¦ ¦ ¦разработаны или имеют те же ¦ ¦ ¦ ¦самые функциональные ¦ ¦ ¦ ¦характеристики, как и другое ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, определяется по ¦ ¦ ¦ ¦контрольному статусу другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.12, программы которых не ¦ ¦ ¦ ¦могут быть изменены, или ¦ ¦ ¦ ¦разработанных для выполнения ¦ ¦ ¦ ¦конкретных функций для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определяется по ¦ ¦ ¦ ¦контрольному статусу другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. В тех ¦ ¦ ¦ ¦случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить ¦ ¦ ¦ ¦контрольный статус другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, этот статус ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 или пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.12; если интегральная ¦ ¦ ¦ ¦схема является ¦ ¦ ¦ ¦кремниевой микросхемой микроЭВМ ¦ ¦ ¦ ¦или микросхемой ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, указанных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.3, и имеет длину ¦ ¦ ¦ ¦слова операнда 8 бит или менее, ¦ ¦ ¦ ¦то ее контрольный статус должен ¦ ¦ ¦ ¦определяться в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦пунктом 3.1.1.1.3. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1. ¦Электронные компоненты, такие, как:¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1. ¦нижеперечисленные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы общего назначения: ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: 1. Контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус готовых пластин или ¦ ¦ ¦ ¦полуфабрикатов для их ¦ ¦ ¦ ¦изготовления, на которых ¦ ¦ ¦ ¦воспроизведена конкретная ¦ ¦ ¦ ¦функция, оценивается по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам, указанным в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1. ¦ ¦ ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" ¦ ¦ ¦ ¦включает следующие типы: ¦ ¦ ¦ ¦твердотельные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦многокристальные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы; ¦ ¦ ¦ ¦пленочные интегральные схемы, ¦ ¦ ¦ ¦включая интегральные схемы типа ¦ ¦ ¦ ¦"кремний на сапфире"; ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.1. ¦интегральные схемы, ¦8542 ¦ ¦ ¦спроектированные или ¦ ¦ ¦ ¦определяемые как радиационно ¦ ¦ ¦ ¦стойкие, выдерживающие любое из ¦ ¦ ¦ ¦следующих воздействий: ¦ ¦ ¦ ¦а) общую дозу 5 х 10E-3 Гр ¦ ¦ ¦ ¦(кремний) [5 х 10E-5 рад ¦ ¦ ¦ ¦(кремний)] или выше или ¦ ¦ ¦ ¦б) предел мощности дозы 5 х 10E-6 ¦ ¦ ¦ ¦Гр/с (кремний) [5 х 10E-8 рад ¦ ¦ ¦ ¦(кремний)]/с или выше ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.2. ¦микропроцессорные микросхемы, ¦8542 ¦ ¦ ¦микрокомпьютерные микросхемы, ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы памяти, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные на ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях, ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, цифроаналоговые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦электронно-оптические или ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем матрицы логических ¦ ¦ ¦ ¦ключей на полевых транзисторах, ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем ¦ ¦ ¦ ¦логические матрицы полевых ¦ ¦ ¦ ¦транзисторов, интегральные схемы ¦ ¦ ¦ ¦для нейронных сетей, заказные ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы, у которых ¦ ¦ ¦ ¦функция неизвестна либо ¦ ¦ ¦ ¦производителю не известно, ¦ ¦ ¦ ¦распространяется ли контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус на аппаратуру, в которой ¦ ¦ ¦ ¦будут ¦ ¦ ¦ ¦использоваться данные ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы, процессоры ¦ ¦ ¦ ¦быстрого преобразования Фурье, ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы электрически ¦ ¦ ¦ ¦программируемых постоянных ¦ ¦ ¦ ¦запоминающих устройств (ЭППЗУ), ¦ ¦ ¦ ¦программируемые с ¦ ¦ ¦ ¦ультрафиолетовым стиранием, и ¦ ¦ ¦ ¦статических запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств с произвольной ¦ ¦ ¦ ¦выборкой (СЗУПВ), имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при ¦ ¦ ¦ ¦температуре окружающей среды ¦ ¦ ¦ ¦выше 398 К (+125 град. C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при ¦ ¦ ¦ ¦температуре окружающей среды ¦ ¦ ¦ ¦ниже 218 К (-55 град. C) или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные за пределами ¦ ¦ ¦ ¦диапазона температур окружающей ¦ ¦ ¦ ¦среды от 218 К (-55 град. C) ¦ ¦ ¦ ¦до 398 К (+125 град. C) ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.2 не ¦ ¦ ¦ ¦распространяется на интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, применяемые для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей и ¦ ¦ ¦ ¦железнодорожных поездов. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.3. ¦микропроцессорные микросхемы, ¦ ¦ ¦ ¦микрокомпьютерные микросхемы и ¦ ¦ ¦ ¦микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 ¦ ¦ ¦ ¦включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные ¦ ¦ ¦ ¦процессоры и цифровые ¦ ¦ ¦ ¦сопроцессоры. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.3.1. ¦совокупную теоретическую ¦854211870 ¦ ¦ ¦производительность (СТП) 260 ¦ ¦ ¦ ¦млн. теоретических операций в ¦ ¦ ¦ ¦секунду (Мтопс) или более и ¦ ¦ ¦ ¦арифметико-логическое устройство ¦ ¦ ¦ ¦с длиной выборки 32 бит или более ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.3.2. ¦изготовленные на ¦8542 ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях и ¦ ¦ ¦ ¦работающие на тактовой частоте, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц, или ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.3.3. ¦более чем одну шину данных или ¦854211760 ¦ ¦ ¦команд, или порт ¦ ¦ ¦ ¦последовательной связи для ¦ ¦ ¦ ¦внешнего межсоединения в ¦ ¦ ¦ ¦параллельный процессор со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью передачи, превышающей ¦ ¦ ¦ ¦2,5 Мбит/с ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.4. ¦интегральные схемы памяти, ¦854211550; ¦ ¦ ¦изготовленные на ¦854211720; ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединениях ¦854211760 ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.5. ¦интегральные схемы для ¦854211830 - ¦ ¦ ¦аналого-цифровых и цифроаналоговых ¦854211870; ¦ ¦ ¦преобразователей, такие, как: ¦854211990; ¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые ¦854220100; ¦ ¦ ¦преобразователи, имеющие любую ¦854220900 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разрешающую способность 8 бит ¦ ¦ ¦ ¦или более, но меньше 12 бит с ¦ ¦ ¦ ¦общим временем преобразования до ¦ ¦ ¦ ¦максимальной разрешающей ¦ ¦ ¦ ¦способности менее 10 нс; ¦ ¦ ¦ ¦2) разрешающую способность 12 ¦ ¦ ¦ ¦бит с общим временем ¦ ¦ ¦ ¦преобразования до максимальной ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способности менее ¦ ¦ ¦ ¦200 нс или ¦ ¦ ¦ ¦3) разрешающую способность более ¦ ¦ ¦ ¦12 бит с общим временем ¦ ¦ ¦ ¦преобразования до максимальной ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способности менее 2 ¦ ¦ ¦ ¦мкс; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые ¦ ¦ ¦ ¦преобразователи с разрешающей ¦ ¦ ¦ ¦способностью 12 бит и более и ¦ ¦ ¦ ¦временем выхода на ¦ ¦ ¦ ¦установившийся режим менее 10 нс ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.6. ¦электронно-оптические и ¦854219 ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦ ¦ ¦для обработки сигналов, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦одновременно все перечисленные ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод ¦ ¦ ¦ ¦или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний ¦ ¦ ¦ ¦светочувствительный элемент или ¦ ¦ ¦ ¦более и ¦ ¦ ¦ ¦в) оптические волноводы ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.7. ¦программируемые пользователем ¦854211300 ¦ ¦ ¦матрицы логических ключей на ¦ ¦ ¦ ¦полевых транзисторах, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество ¦ ¦ ¦ ¦годных вентилей более 30000 (в ¦ ¦ ¦ ¦пересчете на двухвходовые) или ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки ¦ ¦ ¦ ¦основного логического элемента ¦ ¦ ¦ ¦менее 0,4 нс ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.8. ¦программируемые пользователем ¦854211910 ¦ ¦ ¦логические матрицы полевых ¦ ¦ ¦ ¦транзисторов, имеющие хотя бы ¦ ¦ ¦ ¦одну из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество ¦ ¦ ¦ ¦годных вентилей более 30000 (в ¦ ¦ ¦ ¦пересчете на двухвходовые) или ¦ ¦ ¦ ¦б) частоту переключения, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 133 МГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.9. ¦интегральные схемы для нейронных ¦854219 ¦ ¦ ¦сетей ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.10. ¦заказные интегральные схемы, у ¦854219 ¦ ¦ ¦которых функция неизвестна либо ¦ ¦ ¦ ¦производителю не известно, ¦ ¦ ¦ ¦распространяется ли контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус на аппаратуру, в которой ¦ ¦ ¦ ¦будут использоваться данные ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) свыше 208 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки ¦ ¦ ¦ ¦основного логического элемента ¦ ¦ ¦ ¦менее 0,35 нс или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦3 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.11. ¦цифровые интегральные схемы, ¦854211990 ¦ ¦ ¦отличающиеся от указанных в ¦ ¦ ¦ ¦пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.10 и ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.12, созданные на основе ¦ ¦ ¦ ¦какого-либо полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦соединения и имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество ¦ ¦ ¦ ¦годных вентилей более 300 (в ¦ ¦ ¦ ¦пересчете на двухвходовые) или ¦ ¦ ¦ ¦б) частоту переключения, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1,2 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.1.12. ¦процессоры быстрого ¦854211810; ¦ ¦ ¦преобразования Фурье, имеющие ¦854211830 ¦ ¦ ¦любую из следующих ¦854211850; ¦ ¦ ¦характеристик: ¦854211870 ¦ ¦ ¦а) расчетное время выполнения ¦ ¦ ¦ ¦комплексного 1024-точечного ¦ ¦ ¦ ¦быстрого преобразования Фурье ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мс; ¦ ¦ ¦ ¦б) расчетное время выполнения ¦ ¦ ¦ ¦комплексного N-точечного ¦ ¦ ¦ ¦сложного быстрого преобразования ¦ ¦ ¦ ¦Фурье, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦1024-точечного, менее чем ¦ ¦ ¦ ¦Nlog2N/10240 мс, где N - число ¦ ¦ ¦ ¦точек, или ¦ ¦ ¦ ¦в) производительность алгоритма ¦ ¦ ¦ ¦"бабочка" более 5,12 МГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2. ¦компоненты микроволнового или ¦ ¦ ¦ ¦миллиметрового диапазона, такие, ¦ ¦ ¦ ¦как: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.1. ¦нижеперечисленные электронные ¦ ¦ ¦ ¦вакуумные лампы и катоды: ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.2.1 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются лампы, ¦ ¦ ¦ ¦разработанные или ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для работы в ¦ ¦ ¦ ¦стандартном диапазоне частот ¦ ¦ ¦ ¦установленном Международным ¦ ¦ ¦ ¦союзом электросвязи, с ¦ ¦ ¦ ¦частотами, не превышающими 31 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.1.1. ¦лампы бегущей волны импульсного ¦854049000 ¦ ¦ ¦или непрерывного действия, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, ¦ ¦ ¦ ¦превышающих 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие элемент подогрева ¦ ¦ ¦ ¦катода со временем от включения ¦ ¦ ¦ ¦до выхода лампы на предельную ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 ¦ ¦ ¦ ¦с; ¦ ¦ ¦ ¦в) лампы с сопряженными ¦ ¦ ¦ ¦резонаторами или их модификации ¦ ¦ ¦ ¦с мгновенной шириной полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот более 7% или пиком ¦ ¦ ¦ ¦мощности, превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) спиральные лампы или их ¦ ¦ ¦ ¦модификации, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) мгновенную ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦более одной октавы и ¦ ¦ ¦ ¦произведение средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую ¦ ¦ ¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более ¦ ¦ ¦ ¦0,5; ¦ ¦ ¦ ¦2) мгновенную ширину полосы в ¦ ¦ ¦ ¦одну октаву или менее и ¦ ¦ ¦ ¦произведение средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую ¦ ¦ ¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более ¦ ¦ ¦ ¦1 или ¦ ¦ ¦ ¦3) годные для применения в космосе ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.1.2. ¦лампы-усилители магнетронного ¦854041000 ¦ ¦ ¦типа с коэффициентом усиления ¦ ¦ ¦ ¦более 17 дБ ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.1.3. ¦импрегнированные катоды, ¦854049000 ¦ ¦ ¦разработанные для электронных ¦ ¦ ¦ ¦ламп, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) время выхода на уровень ¦ ¦ ¦ ¦эмиссии менее 3 с или ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность тока при ¦ ¦ ¦ ¦непрерывной эмиссии и штатных ¦ ¦ ¦ ¦условиях функционирования, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 5 А/кв.см ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.2. ¦микроволновые интегральные схемы ¦854049000 ¦ ¦ ¦или модули, содержащие ¦ ¦ ¦ ¦твердотельные интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, работающие на частотах ¦ ¦ ¦ ¦свыше 3 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются схемы или ¦ ¦ ¦ ¦модули оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦спроектированного для работы в ¦ ¦ ¦ ¦стандартном диапазоне частот, ¦ ¦ ¦ ¦установленном Международным ¦ ¦ ¦ ¦союзом электросвязи, не ¦ ¦ ¦ ¦превышающем 31 ГГц. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.3. ¦микроволновые транзисторы, ¦854049000 ¦ ¦ ¦предназначенные для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах, превышающих 31 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.4. ¦микроволновые твердотельные ¦854049000 ¦ ¦ ¦усилители, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах свыше ¦ ¦ ¦ ¦10,5 ГГц и имеющие мгновенную ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦пол-октавы; ¦ ¦ ¦ ¦б) работающие на частотах свыше ¦ ¦ ¦ ¦31 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.5. ¦фильтры с электронной или ¦854049000 ¦ ¦ ¦магнитной настройкой, содержащие ¦ ¦ ¦ ¦более пяти настраиваемых ¦ ¦ ¦ ¦резонаторов, обеспечивающих ¦ ¦ ¦ ¦настройку в полосе частот с ¦ ¦ ¦ ¦соотношением максимальной и ¦ ¦ ¦ ¦минимальной частот 1,5:1 ¦ ¦ ¦ ¦(fmax/fmin) менее чем за 10 мкс, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосовые фильтры, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦полосу пропускания частоты более ¦ ¦ ¦ ¦0,5% от резонансной частоты, или ¦ ¦ ¦ ¦б) заградительные фильтры, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие полосу подавления ¦ ¦ ¦ ¦частоты менее 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.6. ¦микроволновые сборки, способные ¦854049000 ¦ ¦ ¦работать на частотах, ¦ ¦ ¦ ¦превышающих 31 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.7. ¦смесители и преобразователи, ¦854049000 ¦ ¦ ¦разработанные для расширения ¦ ¦ ¦ ¦частотного диапазона аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦указанной в пунктах 3.1.2.3, ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.5 или 3.1.2.6 ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.2.8. ¦микроволновые усилители мощности ¦854081000 ¦ ¦ ¦СВЧ, содержащие лампы, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемые по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2, и имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) рабочие частоты свыше 3 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) среднюю плотность выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг и ¦ ¦ ¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируется аппаратура, ¦ ¦ ¦ ¦разработанная или пригодная для ¦ ¦ ¦ ¦работы на стандартных частотах, ¦ ¦ ¦ ¦установленных Международным ¦ ¦ ¦ ¦союзом электросвязи. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.3. ¦приборы на акустических волнах и ¦ ¦ ¦ ¦специально спроектированные для ¦ ¦ ¦ ¦них компоненты, такие, как: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.3.1. ¦приборы на поверхностных ¦854160000 ¦ ¦ ¦акустических волнах и на ¦ ¦ ¦ ¦акустических волнах в тонкой ¦ ¦ ¦ ¦подложке (т.е. приборы для ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов, использующие ¦ ¦ ¦ ¦упругие волны в материале), ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) несущую частоту более 2,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту более 1 ГГц, ¦ ¦ ¦ ¦но не превышающую 2,5 ГГц, и ¦ ¦ ¦ ¦дополнительно имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) частотное подавление боковых ¦ ¦ ¦ ¦лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ; ¦ ¦ ¦ ¦2) произведение максимального ¦ ¦ ¦ ¦времени задержки (в мкс) на ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦3) ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦250 МГц или ¦ ¦ ¦ ¦4) задержку ¦ ¦ ¦ ¦рассеяния, превышающую 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту от 1 ГГц и ¦ ¦ ¦ ¦менее и дополнительно имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) произведение максимального ¦ ¦ ¦ ¦времени задержки (в мкс) на ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦2) задержку рассеяния, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 мкс или ¦ ¦ ¦ ¦3) частотное подавление боковых ¦ ¦ ¦ ¦лепестков диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности более 55 дБ и ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 50 МГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.3.2. ¦приборы на объемных акустических ¦854160000 ¦ ¦ ¦волнах (т.е. приборы для ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов, использующие ¦ ¦ ¦ ¦упругие волны в материале), ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивающие непосредственную ¦ ¦ ¦ ¦обработку сигналов на частотах ¦ ¦ ¦ ¦свыше 1 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.3.3. ¦акустооптические приборы ¦854160000 ¦ ¦ ¦обработки сигналов, использующие ¦ ¦ ¦ ¦взаимодействие между ¦ ¦ ¦ ¦акустическими волнами (объемными ¦ ¦ ¦ ¦или поверхностными) и световыми ¦ ¦ ¦ ¦волнами, что позволяет ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно обрабатывать ¦ ¦ ¦ ¦сигналы или изображения, включая ¦ ¦ ¦ ¦анализ спектра, корреляцию или ¦ ¦ ¦ ¦свертку ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.4. ¦электронные приборы и схемы, ¦854280000 ¦ ¦ ¦содержащие компоненты, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из сверхпроводящих ¦ ¦ ¦ ¦материалов, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для работы при ¦ ¦ ¦ ¦температурах ниже критической ¦ ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящих составляющих, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие хотя бы один из ¦ ¦ ¦ ¦следующих признаков: ¦ ¦ ¦ ¦а) электромагнитное усиление: ¦ ¦ ¦ ¦1) на частотах, равных или ниже ¦ ¦ ¦ ¦31 ГГц, с уровнем шумов ниже 0,5 ¦ ¦ ¦ ¦дБ или ¦ ¦ ¦ ¦2) на частотах свыше 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) токовые переключатели для ¦ ¦ ¦ ¦цифровых схем, использующие ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦ ¦ ¦которых произведение времени ¦ ¦ ¦ ¦задержки на вентиль (в ¦ ¦ ¦ ¦секундах) на рассеяние мощности ¦ ¦ ¦ ¦на вентиль (в ваттах) ниже ¦ ¦ ¦ ¦10E--14 Дж, или ¦ ¦ ¦ ¦в) селекцию ¦ ¦ ¦ ¦частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных ¦ ¦ ¦ ¦контуров с добротностью, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 10000 ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5. ¦нижеперечисленные накопители ¦ ¦ ¦ ¦энергии: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5.1. ¦батареи и батареи на ¦850619900 ¦ ¦ ¦фотоэлектрических элементах, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ ¦ ¦а) первичные элементы и батареи ¦ ¦ ¦ ¦с плотностью энергии свыше 480 ¦ ¦ ¦ ¦Вт.ч/кг и пригодные по ¦ ¦ ¦ ¦техническим условиям для работы ¦ ¦ ¦ ¦в диапазоне температур от 243 K ¦ ¦ ¦ ¦(-30 град. C) и ниже до 343 K ¦ ¦ ¦ ¦(70 град. С) и выше ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Плотность энергии определяется ¦ ¦ ¦ ¦путем умножения средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦в ваттах (произведение среднего ¦ ¦ ¦ ¦напряжения в вольтах на средний ¦ ¦ ¦ ¦ток в амперах) на длительность ¦ ¦ ¦ ¦цикла разряда в часах, при ¦ ¦ ¦ ¦котором напряжение на ¦ ¦ ¦ ¦разомкнутых клеммах падает до ¦ ¦ ¦ ¦75% от номинала, и деления ¦ ¦ ¦ ¦полученного произведения на ¦ ¦ ¦ ¦общую массу элемента (или ¦ ¦ ¦ ¦батареи) в кг; ¦ ¦ ¦ ¦б) подзаряжаемые элементы и ¦ ¦ ¦ ¦батареи с плотностью энергии ¦ ¦ ¦ ¦свыше 150 Вт.ч/кг после 75 ¦ ¦ ¦ ¦циклов заряда-разряда при токе ¦ ¦ ¦ ¦разряда, равном С/5 ч (С - ¦ ¦ ¦ ¦номинальная емкость в ампер- ¦ ¦ ¦ ¦часах), при работе в диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур от 253 K (-20 град. C) и¦ ¦ ¦ ¦ниже до 333 K (60 град. C) и выше; ¦ ¦ ¦ ¦в) батареи, по техническим ¦ ¦ ¦ ¦условиям годные для применения в ¦ ¦ ¦ ¦космосе, и радиационно стойкие ¦ ¦ ¦ ¦батареи на фотоэлектрических ¦ ¦ ¦ ¦элементах с удельной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦свыше 160 Вт/кв.м при рабочей ¦ ¦ ¦ ¦температуре 301 K (28 град. C) и ¦ ¦ ¦ ¦вольфрамовом источнике, нагретом до¦ ¦ ¦ ¦2800 K (2527 град. C) и создающем ¦ ¦ ¦ ¦энергетическую освещенность 1 ¦ ¦ ¦ ¦кВт/кв.м. ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.5.1 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются батареи ¦ ¦ ¦ ¦объемом 27 куб.см и меньше ¦ ¦ ¦ ¦(например, стандартные угольные ¦ ¦ ¦ ¦элементы или батареи типа R14). ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5.2. ¦накопители большой энергии, ¦850619900; ¦ ¦ ¦такие, как: ¦850780900 ¦ ¦ ¦а) накопители с частотой ¦ ¦ ¦ ¦повторения менее 10 Гц ¦ ¦ ¦ ¦(одноразовые накопители), ¦ ¦ ¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦1) номинальное напряжение 5 кВ ¦ ¦ ¦ ¦или более; ¦ ¦ ¦ ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг ¦ ¦ ¦ ¦или более и ¦ ¦ ¦ ¦3) общую энергию 25 кДж или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) накопители с частотой ¦ ¦ ¦ ¦повторения 10 Гц и более ¦ ¦ ¦ ¦(многоразовые накопители), имеющие ¦ ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦1) номинальное напряжение не ¦ ¦ ¦ ¦менее 5 кВ; ¦ ¦ ¦ ¦2) плотность энергии не менее 50 ¦ ¦ ¦ ¦Дж/кг; ¦ ¦ ¦ ¦3) общую энергию не менее 100 Дж и ¦ ¦ ¦ ¦4) количество циклов ¦ ¦ ¦ ¦заряда-разряда не менее 10000 ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5.3. ¦сверхпроводящие электромагниты и ¦850519900 ¦ ¦ ¦соленоиды, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные на полный заряд ¦ ¦ ¦ ¦или разряд менее чем за одну ¦ ¦ ¦ ¦секунду, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при ¦ ¦ ¦ ¦разряде, превышающую 10 кДж за ¦ ¦ ¦ ¦первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр ¦ ¦ ¦ ¦токопроводящих обмоток более 250 ¦ ¦ ¦ ¦мм и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную ¦ ¦ ¦ ¦индукцию свыше 8 Т или суммарную ¦ ¦ ¦ ¦плотность тока в обмотке больше ¦ ¦ ¦ ¦300 А/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящие электромагниты ¦ ¦ ¦ ¦или соленоиды, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для медицинской ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры магниторезонансной ¦ ¦ ¦ ¦томографии. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.6. ¦вращающиеся преобразователи ¦903180310 ¦ ¦ ¦абсолютного углового положения ¦ ¦ ¦ ¦вала в код, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от ¦ ¦ ¦ ¦полного диапазона (18 бит) или ¦ ¦ ¦ ¦б) точность лучше +-2,5 угл. с ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1. ¦записывающая аппаратура и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанная ¦ ¦ ¦ ¦измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее, такие, как: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.1. ¦накопители на магнитной ленте ¦852039900 ¦ ¦ ¦для аналоговой аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦включая аппаратуру с ¦ ¦ ¦ ¦возможностью записи цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (например, использующие ¦ ¦ ¦ ¦модуль цифровой записи высокой ¦ ¦ ¦ ¦плотности), имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 ¦ ¦ ¦ ¦МГц на электронный канал или ¦ ¦ ¦ ¦дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 ¦ ¦ ¦ ¦МГц на электронный канал или ¦ ¦ ¦ ¦дорожку, при числе дорожек более ¦ ¦ ¦ ¦42 или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования ¦ ¦ ¦ ¦(основную) временной шкалы, ¦ ¦ ¦ ¦измеренную по методикам ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих руководящих ¦ ¦ ¦ ¦материалов Межведомственного ¦ ¦ ¦ ¦совета по радиопромышленности ¦ ¦ ¦ ¦(IRIG) или Ассоциации ¦ ¦ ¦ ¦электронной промышленности ¦ ¦ ¦ ¦(EIA), менее +-0,1 мкс ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. Аналоговые ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофоны, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для гражданского ¦ ¦ ¦ ¦применения, не рассматриваются ¦ ¦ ¦ ¦как записывающая аппаратура. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.2. ¦цифровые видеомагнитофоны, ¦852110; ¦ ¦ ¦имеющие максимальную пропускную ¦852190000 ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦ ¦ ¦свыше 180 Мбит/с ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются цифровые ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофоны, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для ¦ ¦ ¦ ¦телевизионной записи, ¦ ¦ ¦ ¦использующие стандартный формат ¦ ¦ ¦ ¦сигнала для гражданского ¦ ¦ ¦ ¦телевидения, рекомендуемый ¦ ¦ ¦ ¦Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи либо Международной ¦ ¦ ¦ ¦электротехнической комиссией ¦ ¦ ¦ ¦(МЭК). ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.3. ¦накопители на магнитной ленте ¦852110 ¦ ¦ ¦для цифровой аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦использующие принципы ¦ ¦ ¦ ¦спирального сканирования или ¦ ¦ ¦ ¦принципы фиксированной головки и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную ¦ ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦ ¦ ¦более 175 Мбит/с или ¦ ¦ ¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 ¦ ¦ ¦ ¦не контролируются аналоговые ¦ ¦ ¦ ¦накопители на магнитной ленте, ¦ ¦ ¦ ¦оснащенные электронными блоками ¦ ¦ ¦ ¦для преобразования в цифровую ¦ ¦ ¦ ¦запись высокой плотности и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для записи ¦ ¦ ¦ ¦только цифровых данных. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.4. ¦аппаратура с максимальной ¦852190000 ¦ ¦ ¦пропускной способностью ¦ ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса свыше 175 ¦ ¦ ¦ ¦Мбит/с, спроектированная в целях ¦ ¦ ¦ ¦переделки цифровых ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофонов для ¦ ¦ ¦ ¦использования их как устройств ¦ ¦ ¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.5. ¦приборы для преобразования ¦854380900 ¦ ¦ ¦сигналов в цифровую форму и ¦ ¦ ¦ ¦записи переходных процессов, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в ¦ ¦ ¦ ¦цифровую форму не менее 200 млн. ¦ ¦ ¦ ¦проб в секунду и разрешение 10 ¦ ¦ ¦ ¦или более проб в секунду и ¦ ¦ ¦ ¦б) пропускную способность не ¦ ¦ ¦ ¦менее 2 Гбит/с ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. Для ¦ ¦ ¦ ¦таких приборов с архитектурой на ¦ ¦ ¦ ¦параллельной шине пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность есть произведение ¦ ¦ ¦ ¦наибольшего объема слов на ¦ ¦ ¦ ¦количество бит в слове. ¦ ¦ ¦ ¦Пропускная способность - это ¦ ¦ ¦ ¦наивысшая скорость передачи ¦ ¦ ¦ ¦данных аппаратуры, с которой ¦ ¦ ¦ ¦информация поступает в ¦ ¦ ¦ ¦запоминающее устройство без ¦ ¦ ¦ ¦потерь при сохранении скорости ¦ ¦ ¦ ¦выборки и аналого-цифрового ¦ ¦ ¦ ¦преобразования. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.2. ¦электронные сборки синтезаторов ¦854380900 ¦ ¦ ¦частоты, имеющие время ¦ ¦ ¦ ¦переключения с одной заданной ¦ ¦ ¦ ¦частоты на другую менее 1 мс ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.3. ¦анализаторы сигналов: ¦854380900 ¦ ¦ ¦а) способные анализировать ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающие 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) динамические анализаторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов с полосой пропускания в ¦ ¦ ¦ ¦реальном масштабе времени, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 25,6 кГц ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По подпункту "б" ¦ ¦ ¦ ¦пункта 3.1.2.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦динамические анализаторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, использующие только ¦ ¦ ¦ ¦фильтры с полосой пропускания ¦ ¦ ¦ ¦фиксированных долей. ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. Фильтры ¦ ¦ ¦ ¦с полосой пропускания ¦ ¦ ¦ ¦фиксированных долей известны ¦ ¦ ¦ ¦также как октавные или ¦ ¦ ¦ ¦дробнооктавные фильтры. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.4. ¦генераторы сигналов ¦854320000 ¦ ¦ ¦синтезированных частот, ¦ ¦ ¦ ¦формирующие выходные частоты с ¦ ¦ ¦ ¦управлением по параметрам ¦ ¦ ¦ ¦точности, кратковременной и ¦ ¦ ¦ ¦долговременной стабильности на ¦ ¦ ¦ ¦основе или с помощью внутренней ¦ ¦ ¦ ¦эталонной частоты, имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную синтезируемую ¦ ¦ ¦ ¦частоту более 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения с одной ¦ ¦ ¦ ¦заданной частоты на другую менее ¦ ¦ ¦ ¦1 мс или ¦ ¦ ¦ ¦в) фазовый шум одной боковой ¦ ¦ ¦ ¦полосы лучше - (126+20 lgF - 20 ¦ ¦ ¦ ¦lgf) в единицах дБ.с/Гц, где F ¦ ¦ ¦ ¦- смещение рабочей частоты в Гц; ¦ ¦ ¦ ¦f - рабочая частота в МГц ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.4 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется аппаратура, в ¦ ¦ ¦ ¦которой выходная частота ¦ ¦ ¦ ¦создается либо путем сложения ¦ ¦ ¦ ¦или вычитания частот с двух или ¦ ¦ ¦ ¦более кварцевых генераторов, ¦ ¦ ¦ ¦либо путем сложения или ¦ ¦ ¦ ¦вычитания с последующим ¦ ¦ ¦ ¦умножением результирующей ¦ ¦ ¦ ¦частоты. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.5. ¦сетевые анализаторы с ¦854380900 ¦ ¦ ¦максимальной рабочей частотой, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 ГГц ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.6. ¦микроволновые приемники-тестеры, ¦852790990 ¦ ¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 40 ГГц и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно ¦ ¦ ¦ ¦измерять амплитуду и фазу ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.7. ¦атомные эталоны частоты, имеющие ¦854320000 ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность ¦ ¦ ¦ ¦(старение) менее (лучше) 10E--11 ¦ ¦ ¦ ¦в месяц или ¦ ¦ ¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. По подпункту "а" ¦ ¦ ¦ ¦пункта 3.1.2.7 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦рубидиевые стандарты, не ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для космического ¦ ¦ ¦ ¦применения. ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование ¦ ¦ ¦ ¦для производства ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты и ¦ ¦ ¦ ¦оснастка для них: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1. ¦установки, управляемые ¦ ¦ ¦ ¦встроенной программой, ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.1. ¦установки, способные выдерживать ¦841989900 ¦ ¦ ¦толщину слоя с отклонением не ¦ ¦ ¦ ¦более +-2,5% на протяжении 75 мм ¦ ¦ ¦ ¦или более ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.2. ¦установки химического осаждения ¦841989900 ¦ ¦ ¦паров металлорганических ¦ ¦ ¦ ¦соединений, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для выращивания ¦ ¦ ¦ ¦кристаллов сложных ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников с помощью ¦ ¦ ¦ ¦химических реакций между ¦ ¦ ¦ ¦материалами, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.3.3 ¦ ¦ ¦ ¦или 3.3.4 ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.3. ¦молекулярно-лучевые установки ¦841780100 ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦ ¦ ¦ ¦использующие газовые источники ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.2. ¦установки, управляемые ¦845610000 ¦ ¦ ¦встроенной программой, ¦ ¦ ¦ ¦специально предназначенные для ¦ ¦ ¦ ¦ионной имплантации, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) ускоряющее напряжение свыше ¦ ¦ ¦ ¦200 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированные для работы с ¦ ¦ ¦ ¦ускоряющими напряжениями ниже 10 ¦ ¦ ¦ ¦кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) обладающие способностью ¦ ¦ ¦ ¦непосредственной записи или ¦ ¦ ¦ ¦г) пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦ ¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового материала ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.3. ¦установки сухого травления ¦845690000 ¦ ¦ ¦анизотропной плазмой, ¦ ¦ ¦ ¦управляемые встроенной программой: ¦ ¦ ¦ ¦а) с покассетной обработкой ¦ ¦ ¦ ¦пластин и загрузкой через ¦ ¦ ¦ ¦загрузочные шлюзы, имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) магнитную защиту или ¦ ¦ ¦ ¦2) электронный циклотронный ¦ ¦ ¦ ¦резонанс ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦для оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.5, и имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) магнитную защиту или ¦ ¦ ¦ ¦2) электронный циклотронный ¦ ¦ ¦ ¦резонанс ¦ ¦ +-------------+-----------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.4. ¦установки химического ¦845690000 ¦ ¦ ¦парофазового осаждения и ¦ ¦ ¦ ¦плазменной стимуляции, ¦ ¦ ¦ ¦управляемые встроенной программой: ¦ ¦ ¦ ¦а) с покассетной обработкой ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
