|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 № 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"< Главная страница Стр. 12Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | Стр. 26 | Стр. 27 | Стр. 28 | ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 2.4.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦программному обеспечению, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанному или модифицированному для¦ ¦ ¦ ¦работы станков, не определенных в ¦ ¦ ¦ ¦категории 2. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 2.4.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦программному обеспечению для изделий, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пункте 2.2.2. Для такого ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения см. пункт 2.4.1¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5. ¦Технология ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦ ¦ ¦разработки подшипников или подшипниковых¦ ¦ ¦ ¦систем, определенных в пункте 2.1.1, ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определенного в пункте ¦ ¦ ¦ ¦2.2, или программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦определенного в пункте 2.4 ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.2. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для ¦ ¦ ¦ ¦производства подшипников или ¦ ¦ ¦ ¦подшипниковых систем, определенных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 2.1.1, или оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦определенного в пункте 2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении технологий, указанных в ¦ ¦ ¦ ¦пунктах 2.5.1 и 2.5.2, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦2.5.1 раздела 2 ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3. ¦Иные нижеследующие технологии: ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.1. ¦Технологии разработки интерактивной ¦ ¦ ¦ ¦графики как встроенной части блока ¦ ¦ ¦ ¦числового программного управления для ¦ ¦ ¦ ¦подготовки или модификации программ ¦ ¦ ¦ ¦обработки деталей ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.2. ¦Технологии производственных процессов ¦ ¦ ¦ ¦металлообработки: ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.2.1. ¦Технологии проектирования инструмента, ¦ ¦ ¦ ¦пресс-форм или зажимных приспособлений, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для любого из ¦ ¦ ¦ ¦следующих процессов: ¦ ¦ ¦ ¦а) формообразования в условиях ¦ ¦ ¦ ¦сверхпластичности; ¦ ¦ ¦ ¦б) диффузионной сварки; или ¦ ¦ ¦ ¦в) гидравлического прессования прямого ¦ ¦ ¦ ¦действия ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.2.2. ¦Технические данные, включающие описание ¦ ¦ ¦ ¦технологического процесса или его ¦ ¦ ¦ ¦параметры: ¦ ¦ ¦ ¦а) для формообразования в условиях ¦ ¦ ¦ ¦сверхпластичности изделий из ¦ ¦ ¦ ¦алюминиевых, титановых сплавов или ¦ ¦ ¦ ¦суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦подготовка поверхности; ¦ ¦ ¦ ¦скорость деформации; ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦б) для диффузионной сварки титановых ¦ ¦ ¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦подготовка поверхности; ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦в) для гидравлического прессования ¦ ¦ ¦ ¦прямого действия алюминиевых или ¦ ¦ ¦ ¦титановых сплавов: ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦время цикла; ¦ ¦ ¦ ¦г) для горячего изостатического ¦ ¦ ¦ ¦уплотнения титановых, алюминиевых ¦ ¦ ¦ ¦сплавов или суперсплавов: ¦ ¦ ¦ ¦температура; ¦ ¦ ¦ ¦давление; ¦ ¦ ¦ ¦время цикла ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.3. ¦Технологии разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦гидравлических прессов для штамповки с ¦ ¦ ¦ ¦вытяжкой и соответствующих матриц для ¦ ¦ ¦ ¦изготовления конструкций корпусов ¦ ¦ ¦ ¦летательных аппаратов ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.4. ¦Технологии разработки генераторов ¦ ¦ ¦ ¦машинных команд для управления станком ¦ ¦ ¦ ¦(например, программ обработки деталей) ¦ ¦ ¦ ¦на основе проектных данных, хранимых в ¦ ¦ ¦ ¦блоках числового программного управления¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.5. ¦Технологии разработки комплексного ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения для включения ¦ ¦ ¦ ¦экспертных систем, повышающих в ¦ ¦ ¦ ¦заводских условиях операционные ¦ ¦ ¦ ¦возможности блоков числового ¦ ¦ ¦ ¦программного управления ¦ ¦ +---------------+----------------------------------------+----------------+ ¦ 2.5.3.6. ¦Технологии нанесения наружных слоев ¦ ¦ ¦ ¦неорганических покрытий, в том числе для¦ ¦ ¦ ¦модификации поверхностей, определенных в¦ ¦ ¦ ¦колонке "Получаемое покрытие" таблицы к ¦ ¦ ¦ ¦настоящему пункту, на подложки для ¦ ¦ ¦ ¦неэлектронных приборов/компонентов, ¦ ¦ ¦ ¦определенные в колонке "Подложки" ¦ ¦ ¦ ¦указанной таблицы, с использованием ¦ ¦ ¦ ¦процессов, определенных в колонке ¦ ¦ ¦ ¦"Процесс нанесения покрытия" этой же ¦ ¦ ¦ ¦таблицы и описанных в технических ¦ ¦ ¦ ¦примечаниях к ней ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Нижеприведенная таблица к пункту 2.5.3.6¦ ¦ ¦ ¦должна рассматриваться для определения ¦ ¦ ¦ ¦технологии конкретного процесса ¦ ¦ ¦ ¦нанесения покрытия, только когда ¦ ¦ ¦ ¦относящееся к этому процессу получаемое ¦ ¦ ¦ ¦покрытие находится в абзаце таблицы, ¦ ¦ ¦ ¦расположенном напротив выбранной ¦ ¦ ¦ ¦подложки. ¦ ¦ ¦ ¦Например, технические характеристики ¦ ¦ ¦ ¦процесса химического осаждения из ¦ ¦ ¦ ¦паровой фазы (CVD) (колонка таблицы ¦ ¦ ¦ ¦"Процесс нанесения покрытия") включают ¦ ¦ ¦ ¦нанесение силицидов (колонка таблицы ¦ ¦ ¦ ¦"Получаемое покрытие") на подложки из ¦ ¦ ¦ ¦углерод-углерода, композиционных ¦ ¦ ¦ ¦материалов с керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей (колонка таблицы ¦ ¦ ¦ ¦"Подложки"), но не включают их нанесение¦ ¦ ¦ ¦на подложки из металлокерамического ¦ ¦ ¦ ¦карбида вольфрама (16), карбида кремния ¦ ¦ ¦ ¦(18), так как во втором случае покрытие ¦ ¦ ¦ ¦из силицидов не перечислено в абзаце ¦ ¦ ¦ ¦колонки "Получаемое покрытие", ¦ ¦ ¦ ¦расположенном непосредственно напротив ¦ ¦ ¦ ¦абзаца соответствующего перечня колонки ¦ ¦ ¦ ¦"Подложки" (металлокерамический карбид ¦ ¦ ¦ ¦вольфрама (16), карбид кремния (18) ¦ ¦ ¦---------------+----------------------------------------+----------------- Таблица к пункту 2.5.3.6 Технические приемы нанесения покрытий------------------+----------------------+---------------------------- ¦ Процесс ¦ ¦ ¦ ¦ нанесения ¦ Подложки ¦ Получаемое покрытие ¦ ¦ покрытия (1) ¦ ¦ ¦ ¦ <***> ¦ ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦1. Химическое ¦суперсплавы ¦алюминиды на поверхности ¦ ¦осаждение из ¦ ¦внутренних каналов ¦ ¦паровой фазы ¦ ¦ ¦ ¦(CVD) ¦ ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла¦силициды, карбиды, ¦ ¦ ¦с малым коэффициентом ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦линейного расширения ¦алмаз, алмазоподобный углерод ¦ ¦ ¦(14) ¦(17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, тугоплавкие ¦ ¦ ¦композиционные ¦металлы, смеси перечисленных ¦ ¦ ¦материалы с ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦керамической или ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦алюминиды, сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2), нитрид бора ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16),¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦карбид кремния (18) ¦(4), диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦алмаз, алмазоподобный углерод ¦ ¦ ¦ ¦(17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦датчиков (9) ¦алмаз, алмазоподобный углерод ¦ ¦ ¦ ¦(17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦2. Физическое ¦ ¦ ¦ ¦осаждение из ¦ ¦ ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦ ¦ ¦получаемой ¦ ¦ ¦ ¦нагревом ¦ ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦2.1. Физическое ¦суперсплавы ¦сплавы на основе силицидов, ¦ ¦осаждение из ¦ ¦сплавы на основе алюминидов ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦(2), MСrAlX (5), ¦ ¦полученной ¦ ¦модифицированный диоксид ¦ ¦нагревом ¦ ¦циркония (12), силициды, ¦ ¦электронным ¦ ¦алюминиды, смеси перечисленных ¦ ¦пучком ¦ ¦выше материалов (4) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦ ¦с малым коэффициентом ¦ ¦ ¦ ¦линейного расширения ¦ ¦ ¦ ¦(14) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦коррозионно-стойкие ¦MCrAlX (5), модифицированный ¦ ¦ ¦стали (7) ¦диоксид циркония (12), смеси ¦ ¦ ¦ ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦ ¦(4) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, тугоплавкие ¦ ¦ ¦композиционные ¦металлы, смеси перечисленных ¦ ¦ ¦материалы с ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦керамической или ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦нитрид бора ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16),¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦карбид кремния (18) ¦(4), диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦бориды, бериллий ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦ ¦датчиков (9) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, нитриды ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦2.2. Ионно- ¦керамика (19) и стекла¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ассистированное ¦с малым коэффициентом ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ ¦физическое ¦линейного расширения ¦ ¦ ¦осаждение из ¦(14) ¦ ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦ ¦ ¦полученной ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦резистивным ¦композиционные ¦ ¦ ¦нагревом (ионное ¦материалы с ¦ ¦ ¦осаждение) ¦керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16),¦ ¦ ¦ ¦карбид кремния (18) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦датчиков (9) ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦2.3. Физическое ¦керамика (19) и стекла¦силициды, диэлектрические слои ¦ ¦осаждение из ¦с малым коэффициентом ¦(15), алмазоподобный углерод ¦ ¦паровой фазы, ¦линейного расширения ¦(17) ¦ ¦полученной ¦(14) ¦ ¦ ¦лазерным ¦ ¦ ¦ ¦нагревом ¦ ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦ ¦композиционные ¦ ¦ ¦ ¦материалы с ¦ ¦ ¦ ¦керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦диэлектрические слои (15) ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16),¦ ¦ ¦ ¦карбид кремния (18) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦датчиков (9) ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦2.4. Физическое ¦суперсплавы ¦сплавы на основе силицидов, ¦ ¦осаждение из ¦ ¦сплавы на основе алюминидов ¦ ¦паровой фазы, ¦ ¦(2), MCrAlX (5) ¦ ¦полученной ¦ ¦ ¦ ¦катодно-дуговым ¦ ¦ ¦ ¦разрядом ¦ ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦полимеры (11) и ¦бориды, карбиды, нитриды, ¦ ¦ ¦композиционные ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ ¦ ¦материалы с ¦ ¦ ¦ ¦органической матрицей ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦3. Твердофазное ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, смеси ¦ ¦диффузионное ¦композиционные ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦насыщение (10) ¦материалы с ¦(4) ¦ ¦ ¦керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦силициды, алюминиды, сплавы на ¦ ¦ ¦ ¦основе алюминидов (2) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦силициды, оксиды ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦4. Плазменное ¦суперсплавы ¦MCrAlX (5), модифицированный ¦ ¦напыление ¦ ¦диоксид циркония (12), смеси ¦ ¦ ¦ ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦ ¦(4), истираемый никель- ¦ ¦ ¦ ¦графитовый материал, истираемый ¦ ¦ ¦ ¦никель-хром-алюминиевый сплав, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый алюминиево- ¦ ¦ ¦ ¦кремниевый сплав, содержащий ¦ ¦ ¦ ¦полиэфир, сплавы на основе ¦ ¦ ¦ ¦алюминидов (2) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦алюминиевые сплавы (6)¦MCrAlX (5), модифицированный ¦ ¦ ¦ ¦диоксид циркония (12), ¦ ¦ ¦ ¦силициды, смеси перечисленных ¦ ¦ ¦ ¦выше материалов (4) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦алюминиды, силициды, карбиды ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦коррозионно-стойкие ¦MCrAlX (5), модифицированный ¦ ¦ ¦стали (7) ¦диоксид циркония (12), смеси ¦ ¦ ¦ ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦ ¦(4) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦карбиды, алюминиды, силициды, ¦ ¦ ¦ ¦сплавы на основе алюминидов ¦ ¦ ¦ ¦(2), истираемый никель- ¦ ¦ ¦ ¦графитовый материал, истираемый ¦ ¦ ¦ ¦никель-хром-алюминиевый сплав, ¦ ¦ ¦ ¦истираемый алюминиево- ¦ ¦ ¦ ¦кремниевый сплав, содержащий ¦ ¦ ¦ ¦полиэфир ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦5. Нанесение ¦тугоплавкие металлы и ¦оплавленные силициды, ¦ ¦шликера ¦сплавы (8) ¦оплавленные алюминиды (кроме ¦ ¦ ¦ ¦резистивных нагревательных ¦ ¦ ¦ ¦элементов) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, смеси ¦ ¦ ¦композиционные ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦материалы с ¦(4) ¦ ¦ ¦керамической или ¦ ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦ ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦6. Осаждение ¦суперсплавы ¦сплавы на основе силицидов, ¦ ¦распылением ¦ ¦сплавы на основе алюминидов ¦ ¦ ¦ ¦(2), алюминиды, ¦ ¦ ¦ ¦модифицированные благородным ¦ ¦ ¦ ¦металлом (3), MCrAlX (5), ¦ ¦ ¦ ¦модифицированный диоксид ¦ ¦ ¦ ¦циркония (12), платина, смеси ¦ ¦ ¦ ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦ ¦(4) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦керамика (19) и стекла¦силициды, платина, смеси ¦ ¦ ¦с малым коэффициентом ¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦линейного расширения ¦(4), диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦(14) ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, нитриды, оксиды, ¦ ¦ ¦ ¦силициды, алюминиды, сплавы на ¦ ¦ ¦ ¦основе алюминидов (2), карбиды ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦углерод-углерод, ¦силициды, карбиды, тугоплавкие ¦ ¦ ¦композиционные ¦металлы, смеси перечисленных ¦ ¦ ¦материалы с ¦выше материалов (4), ¦ ¦ ¦керамической или ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦металлической матрицей¦нитрид бора ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, вольфрам, смеси ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16),¦перечисленных выше материалов ¦ ¦ ¦карбид кремния (18) ¦(4), диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦ ¦нитрид бора ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦молибден и его сплавы ¦диэлектрические слои (15) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦бориды, диэлектрические слои ¦ ¦ ¦ ¦(15), бериллий ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦материалы окон ¦диэлектрические слои (15), ¦ ¦ ¦датчиков (9) ¦алмазоподобный углерод (17) ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦тугоплавкие металлы и ¦алюминиды, силициды, оксиды, ¦ ¦ ¦сплавы (8) ¦карбиды ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦7. Ионная ¦высокотемпературные ¦присадки хрома, тантала или ¦ ¦имплантация ¦подшипниковые стали ¦ниобия ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦титановые сплавы (13) ¦бориды, нитриды ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦бериллий и его сплавы ¦бориды ¦ +-----------------+----------------------+--------------------------------+ ¦ ¦металлокерамический ¦карбиды, нитриды ¦ ¦ ¦карбид вольфрама (16) ¦ ¦ ¦-----------------+----------------------+--------------------------------- Примечания к таблице: 1. Термин "процесс нанесения покрытия" включает как нанесение первоначального покрытия, так и ремонт, а также обновление существующих покрытий. 2. Покрытие сплавами на основе алюминида включает одно- или многоступенчатое нанесение покрытия, в котором элемент или элементы осаждаются до или в процессе нанесения алюминидного покрытия, даже если эти элементы наносятся с применением других процессов. Это, однако, не включает многократное использование одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения для получения легированных алюминидов. 3. Покрытие алюминидом, модифицированным благородным металлом, включает многошаговое нанесение покрытия, в котором слои благородного металла или благородных металлов наносятся каким-либо другим процессом до нанесения алюминидного покрытия. 4. Термин "смеси" означает материалы, полученные пропиткой, материалы с изменяющимся по объему химическим составом, материалы, полученные совместным осаждением, в том числе слоистые; при этом смеси получаются в одном или нескольких процессах нанесения покрытий, описанных в таблице. 5. MCrAlX соответствует сплаву покрытия, где М обозначает кобальт, железо, никель или их комбинацию, Х - гафний, иттрий, кремний, тантал в любом количестве или другие специально внесенные добавки с их содержанием более 0,01% (по весу) в различных пропорциях и комбинациях, кроме: а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия; б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия; в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия. 6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C). 7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта. 8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал. 9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний. 10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2. 11. Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны. 12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются. 13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 К (20 °C). 14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла,
имеющие измеренный при температуре 293 К (20 °C) коэффициент линейного
-7 -1
расширения 10 K или менее.
15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. "Диэлектрический слой" - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев в структуре диэлектрик - металл. 16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель. 17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы. 18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением. 19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, так и в сочетании с другими компонентами. Технические примечания к таблице: Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом: 1. Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждаются на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера. Особые примечания: а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс; б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь; в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении. 2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку. Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии. Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем: а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие; б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия; в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч; г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и который имеет дуговой разряд, инициирующийся на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку. Особое примечание. Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку; д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса. 3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из: а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации); б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия. Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 К (757 °C) до 1375 К (1102 °C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия. 4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую плазму и управляющую ею, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости. Особые примечания: а) низкое давление означает давление ниже атмосферного; б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 К (20 °C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с. 5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия. 6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку. Особые примечания: а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы; б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ). 7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением. Некоторые пояснения к таблице. Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости: 1. Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице: 1.1. Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне: 1.1.1. Состав раствора: 1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений; 1.1.1.2. Для приготовления новых подложек; 1.1.2. Время обработки; 1.1.3. Температура ванны; 1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов; 1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки; 1.3. Параметры цикла термообработки: 1.3.1. Атмосферные параметры: 1.3.1.1. Состав атмосферы; 1.3.1.2. Давление; 1.3.2. Температура термообработки; 1.3.3. Время термообработки; 1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки: 1.4.1. Параметры пескоструйной обработки: 1.4.1.1. Состав крошки, дроби; 1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби; 1.4.1.3. Скорость крошки; 1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки; 1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности; 1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии; 1.5. Параметры маски: 1.5.1. Материал маски; 1.5.2. Расположение маски. 2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице: 2.1. Параметры атмосферы: 2.1.1. Состав; 2.1.2. Давление; 2.2. Время; 2.3. Температура; 2.4. Толщина; 2.5. Коэффициент преломления; 2.6. Контроль состава покрытия. 3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями: 3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки: 3.1.1. Состав дроби; 3.1.2. Размер дроби; 3.1.3. Скорость дроби; 3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки; 3.3. Параметры цикла термообработки: 3.3.1. Параметры атмосферы: 3.3.1.1. Состав; 3.3.1.2. Давление; 3.3.2. Температура и время цикла; 3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки. 4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице: 4.1. Критерии для статистической выборки; 4.2. Микроскопические критерии для: 4.2.1. Увеличения; 4.2.2. Равномерности толщины покрытия; 4.2.3. Целостности покрытия; 4.2.4. Состава покрытия; 4.2.5. Сцепления покрытия и подложки; 4.2.6. Микроструктурной однородности; 4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны): 4.3.1. Коэффициент отражения; 4.3.2. Коэффициент пропускания; 4.3.3. Поглощение; 4.3.4. Рассеяние. 5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице: 5.1. Для химического осаждения из паровой фазы (CVD): 5.1.1. Состав и химическая формула источника покрытия; 5.1.2. Состав газа-носителя; 5.1.3. Температура подложки; 5.1.4. Температура - время - давление циклов; 5.1.5. Управление потоком газа и подложкой; 5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом: 5.2.1. Состав заготовки или источника материала покрытия; 5.2.2. Температура подложки; 5.2.3. Состав газа-реагента; 5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала; 5.2.5. Температура - время - давление циклов; 5.2.6. Управление пучком и подложкой; 5.2.7. Параметры лазера: 5.2.7.1. Длина волны; 5.2.7.2. Плотность мощности; 5.2.7.3. Длительность импульса; 5.2.7.4. Периодичность импульсов; 5.2.7.5. Источник; 5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения: 5.3.1. Состав засыпки и химическая формула; 5.3.2. Состав газа-носителя; 5.3.3. Температура - время - давление циклов; 5.4. Для плазменного напыления: 5.4.1. Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав); 5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа; 5.4.3. Температура подложки; 5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки; 5.4.5. Дистанция напыления; 5.4.6. Угол напыления; 5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока; 5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой; 5.5. Для осаждения распылением: 5.5.1. Состав мишени и ее изготовление; 5.5.2. Регулировка положения детали и мишени; 5.5.3. Состав газа-реагента; 5.5.4. Напряжение смещения; 5.5.5. Температура - время - давление циклов; 5.5.6. Мощность триода; 5.5.7. Управление деталью (подложкой); 5.6. Для ионной имплантации: 5.6.1. Управление пучком и подложкой; 5.6.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.6.4. Температура - время - давление циклов; 5.7. Для ионного осаждения: 5.7.1. Управление пучком и подложкой; 5.7.2. Элементы конструкции источника ионов; 5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения; 5.7.4. Температура - время - давление циклов; 5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала; 5.7.6. Температура подложки; 5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения. -------------+---------------------------------------------+---------- ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦ Код ТН ВЭД ¦ ¦ ¦ ¦ <**> ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ КАТЕГОРИЯ 3. ЭЛЕКТРОНИКА ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, описанных в пункте 3.1, других, ¦ ¦ ¦ ¦нежели описаны в пунктах 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.10, и которые ¦ ¦ ¦ ¦специально разработаны для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или имеют те же самые ¦ ¦ ¦ ¦функциональные характеристики, как и другое ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, определяется по контрольному ¦ ¦ ¦ ¦статусу такого оборудования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦описанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 ¦ ¦ ¦ ¦или пункте 3.1.1.1.10, которые являются ¦ ¦ ¦ ¦неизменно запрограммированными или ¦ ¦ ¦ ¦разработанными для выполнения определенных ¦ ¦ ¦ ¦функций другого оборудования, определяется ¦ ¦ ¦ ¦по контрольному статусу такого оборудования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В тех случаях, когда изготовитель или ¦ ¦ ¦ ¦заявитель не может определить контрольный ¦ ¦ ¦ ¦статус другого оборудования, этот статус для ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем определяется в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии с отдельными пунктами ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.7 или пунктом 3.1.1.1.10 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1. ¦Электронные компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.1. ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.1. ¦Интегральные схемы, спроектированные или ¦8542 ¦ ¦ ¦относящиеся к классу радиационно стойких, ¦ ¦ ¦ ¦выдерживающие любое из следующих ¦ ¦ ¦ ¦воздействий: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦а) суммарную дозу 5 x 10 Гр (по кремнию) ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад] или выше; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦б) мощность дозы 5 x 10 Гр (по кремнию)/с ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦[5 x 10 рад/с] или выше; или ¦ ¦ ¦ ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов ¦ ¦ ¦ ¦(соответствующий ¦ ¦ ¦ ¦ 13 ¦ ¦ ¦ ¦энергии в 1 МэВ) 5 x 10 н/кв.см или более ¦ ¦ ¦ ¦по кремнию или его эквивалент для других ¦ ¦ ¦ ¦материалов ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦ ¦ ¦ ¦к структуре металл - диэлектрик - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник (МДП-структуре) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.2. ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 ¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦изготовленные из полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦соединений интегральные схемы памяти, ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦цифроаналоговые преобразователи, электронно- ¦ ¦ ¦ ¦оптические или оптические интегральные схемы ¦ ¦ ¦ ¦для обработки сигналов, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические устройства, ¦ ¦ ¦ ¦заказные интегральные схемы, функции которых ¦ ¦ ¦ ¦неизвестны, или неизвестно, распространяется ¦ ¦ ¦ ¦ли статус контроля на аппаратуру, в которой ¦ ¦ ¦ ¦будут использоваться эти интегральные схемы, ¦ ¦ ¦ ¦процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦ ¦ ¦ ¦электрически перепрограммируемые постоянные ¦ ¦ ¦ ¦запоминающие устройства (ЭППЗУ), память с ¦ ¦ ¦ ¦групповой перезаписью или статические ¦ ¦ ¦ ¦запоминающие устройства с произвольной ¦ ¦ ¦ ¦выборкой (СЗУПВ), имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды выше 398 К (125 °C); ¦ ¦ ¦ ¦б) работоспособные при температуре ¦ ¦ ¦ ¦окружающей среды ниже 218 К (-55 °C); или ¦ ¦ ¦ ¦в) работоспособные во всем диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур окружающей среды от 218 К (-55 °C)¦ ¦ ¦ ¦до 398 К (125 °C) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦интегральным схемам, используемым для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей и железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.3. ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы ¦8542 31 901 1;¦ ¦ ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров, ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦соединениях и работающие на тактовой ¦ ¦ ¦ ¦частоте, превышающей 40 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и ¦ ¦ ¦ ¦цифровые сопроцессоры ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.4. ¦Следующие интегральные схемы ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦аналого-цифровых преобразователей (АЦП) и ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦цифроаналоговых преобразователей (ЦАП): ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 8 бит или более, но ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 бит, со скоростью на выходе более ¦ ¦ ¦ ¦500 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 10 бит или более, но ¦ ¦ ¦ ¦менее 12 бит, со скоростью на выходе более ¦ ¦ ¦ ¦300 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью ¦ ¦ ¦ ¦на выходе более 200 млн. слов в секунду; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, но ¦ ¦ ¦ ¦равную 14 бит или меньше, со скоростью на ¦ ¦ ¦ ¦выходе более 125 млн. слов в секунду; или ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 14 бит со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью на выходе более 20 млн. слов в ¦ ¦ ¦ ¦секунду ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Разрешающая способность n битов ¦ ¦ ¦ ¦соответствует 2n уровням квантования. ¦ ¦ ¦ ¦2. Количество бит в выходном слове ¦ ¦ ¦ ¦соответствует разрешающей способности АЦП. ¦ ¦ ¦ ¦3. Скоростью на выходе является максимальная ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе преобразователя ¦ ¦ ¦ ¦независимо от структуры или выборки с ¦ ¦ ¦ ¦запасом по частоте дискретизации. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для многоканальных АЦП выходные сигналы ¦ ¦ ¦ ¦не объединяются и скоростью на выходе ¦ ¦ ¦ ¦является максимальная скорость на выходе ¦ ¦ ¦ ¦любого канала. ¦ ¦ ¦ ¦5. Для АЦП с временным разделением каналов ¦ ¦ ¦ ¦или многоканальных АЦП, которые в ¦ ¦ ¦ ¦соответствии со спецификацией имеют режим с ¦ ¦ ¦ ¦временным разделением каналов, выходные ¦ ¦ ¦ ¦сигналы объединяются и скоростью на выходе ¦ ¦ ¦ ¦является максимальная объединенная общая ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе всех выходных сигналов. ¦ ¦ ¦ ¦6. Поставщики могут также ссылаться на ¦ ¦ ¦ ¦скорость на выходе как на частоту выборки, ¦ ¦ ¦ ¦скорость преобразования или пропускную ¦ ¦ ¦ ¦способность. Ее часто определяют в ¦ ¦ ¦ ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в ¦ ¦ ¦ ¦секунду (Мвыб./с). ¦ ¦ ¦ ¦7. Для целей измерения скорости на выходе ¦ ¦ ¦ ¦одно выходное слово в секунду равнозначно ¦ ¦ ¦ ¦одному герцу или одной выборке в секунду. ¦ ¦ ¦ ¦8. Многоканальные АЦП определяются как ¦ ¦ ¦ ¦устройства, которые объединяют более одного ¦ ¦ ¦ ¦АЦП, разработанные так, чтобы каждый АЦП ¦ ¦ ¦ ¦имел отдельный аналоговый вход. ¦ ¦ ¦ ¦9. АЦП с временным разделением каналов ¦ ¦ ¦ ¦определяются как устройства, имеющие блоки с ¦ ¦ ¦ ¦многоканальными АЦП, которые производят ¦ ¦ ¦ ¦выборку одного и того же аналогового ¦ ¦ ¦ ¦входного сигнала в различное время таким ¦ ¦ ¦ ¦образом, чтобы при объединении выходных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов осуществлялись эффективный выбор ¦ ¦ ¦ ¦аналогового входного сигнала и его ¦ ¦ ¦ ¦преобразование на более высокую скорость ¦ ¦ ¦ ¦выборки; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разрешающую способность 10 бит или более ¦ ¦ ¦ ¦с приведенной скоростью обновления 3,5 ¦ ¦ ¦ ¦миллиарда выборок в секунду или более; или ¦ ¦ ¦ ¦2) разрешающую способность 12 бит или более ¦ ¦ ¦ ¦с приведенной скоростью обновления, равной ¦ ¦ ¦ ¦1,25 миллиарда выборок в секунду или более, ¦ ¦ ¦ ¦и имеющие любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦время установления сигнала менее 9 нс с ¦ ¦ ¦ ¦точностью 0,024% полной шкалы от шага полной ¦ ¦ ¦ ¦шкалы; или ¦ ¦ ¦ ¦динамический диапазон без паразитных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (SFDR) более 68 дБнч (несущая ¦ ¦ ¦ ¦частота) при синтезировании аналогового ¦ ¦ ¦ ¦сигнала полной шкалы в 100 МГц или наивысшей ¦ ¦ ¦ ¦частоты аналогового сигнала полной шкалы, ¦ ¦ ¦ ¦определенной ниже 100 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Динамический диапазон без паразитных ¦ ¦ ¦ ¦сигналов (SFDR) определяется как отношение ¦ ¦ ¦ ¦среднеквадратичного значения несущей частоты ¦ ¦ ¦ ¦(максимального компонента сигнала) на входе ¦ ¦ ¦ ¦ЦАП к среднеквадратичному значению ¦ ¦ ¦ ¦следующего наибольшего компонента шума или ¦ ¦ ¦ ¦гармонического искажения сигнала на его ¦ ¦ ¦ ¦выходе. ¦ ¦ ¦ ¦2. SFDR определяется непосредственно из ¦ ¦ ¦ ¦справочных таблиц или графиков зависимости ¦ ¦ ¦ ¦характеристик SFDR от частоты. ¦ ¦ ¦ ¦3. Сигнал определяется как сигнал полной ¦ ¦ ¦ ¦шкалы, когда его амплитуда более -3 дБпш ¦ ¦ ¦ ¦(полная шкала). ¦ ¦ ¦ ¦4. Приведенная скорость обновления для ЦАП: ¦ ¦ ¦ ¦а) для обычных (неинтерполирующих) ЦАП ¦ ¦ ¦ ¦приведенная скорость обновления - скорость, ¦ ¦ ¦ ¦на которой цифровой сигнал преобразуется в ¦ ¦ ¦ ¦аналоговый сигнал при помощи ЦАП. ЦАП, в ¦ ¦ ¦ ¦которых интерполяционный режим может быть ¦ ¦ ¦ ¦обойден (коэффициент интерполяции 1), ¦ ¦ ¦ ¦следует рассматривать как обычные ¦ ¦ ¦ ¦(неинтерполирующие) ЦАП; ¦ ¦ ¦ ¦б) для интерполирующих ЦАП (ЦАП с избыточной ¦ ¦ ¦ ¦дискретизацией) приведенная скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления определяется как скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления ЦАП, деленная на наименьший ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент интерполяции. Для ¦ ¦ ¦ ¦интерполирующих ЦАП приведенная скорость ¦ ¦ ¦ ¦обновления может выражаться по-разному, в ¦ ¦ ¦ ¦том числе как: ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода данных; ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода слов; ¦ ¦ ¦ ¦скорость ввода выборок; ¦ ¦ ¦ ¦максимальная общая скорость пропускания ¦ ¦ ¦ ¦шины; ¦ ¦ ¦ ¦максимальная тактовая частота ЦАП для ¦ ¦ ¦ ¦входного тактового сигнала ЦАП ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.5. ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки сигналов, ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦имеющие одновременно все перечисленные ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦составляющие: ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦ ¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) световоды ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.6. ¦Программируемые пользователем логические ¦8542 39 901 9 ¦ ¦ ¦устройства, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальное количество цифровых ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов более 200; или ¦ ¦ ¦ ¦б) количество логических элементов ¦ ¦ ¦ ¦(вентилей) в системе более 230000 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.1.6 включает: ¦ ¦ ¦ ¦простые программируемые логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства (ППЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦сложные программируемые логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства (СПЛУ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем вентильные ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППВМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦матрицы (ППЛМ); ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем межсоединения ¦ ¦ ¦ ¦(ППМС) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦устройства известны также как ¦ ¦ ¦ ¦программируемые пользователем логические ¦ ¦ ¦ ¦элементы (вентили) или программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем логические матрицы. ¦ ¦ ¦ ¦2. Максимальное количество цифровых ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов, определенное в подпункте "а" ¦ ¦ ¦ ¦пункта 3.1.1.1.6, называется также ¦ ¦ ¦ ¦максимальным количеством пользовательских ¦ ¦ ¦ ¦входов/выходов или максимальным количеством ¦ ¦ ¦ ¦доступных входов/выходов, независимо от ¦ ¦ ¦ ¦того, является ли интегральная схема ¦ ¦ ¦ ¦заключенной в корпус или бескорпусным ¦ ¦ ¦ ¦кристаллом ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.7. ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 39 901 9 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.8. ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦неизвестны или изготовителю неизвестен ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦статус контроля аппаратуры, в которой будут ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦использоваться эти интегральные схемы, с ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1500 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,02 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочая частота, превышающая 3 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.9. ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦описанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 и ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.10, созданные на основе ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦любого полупроводникового соединения и ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦характеризующиеся любым из нижеследующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентным количеством логических ¦ ¦ ¦ ¦элементов более 3000 (в пересчете на ¦ ¦ ¦ ¦элементы с двумя входами); или ¦ ¦ ¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.1.10. ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье, ¦8542 31 901 1;¦ ¦ ¦имеющие расчетное время выполнения ¦8542 31 909 9;¦ ¦ ¦комплексного N-точечного сложного быстрого ¦8542 39 909 9 ¦ ¦ ¦преобразования Фурье менее ¦ ¦ ¦ ¦(N log N)/20480 мс, ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦где N - количество точек ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула ¦ ¦ ¦ ¦в пункте 3.1.1.1.10 дает результат времени ¦ ¦ ¦ ¦выполнения 500 мкс ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или ¦ ¦ ¦ ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена ¦ ¦ ¦ ¦конкретная функция, оценивается по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1. ¦ ¦ ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает ¦ ¦ ¦ ¦следующие типы: ¦ ¦ ¦ ¦монолитные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦ ¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая ¦ ¦ ¦ ¦интегральные схемы типа "кремний на ¦ ¦ ¦ ¦сапфире"; ¦ ¦ ¦ ¦оптические интегральные схемы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.2. ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦ ¦ ¦ ¦диапазона: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1. ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные ¦ ¦ ¦ ¦лампы и катоды: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.1.¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 9 ¦ ¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со ¦ ¦ ¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦ ¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их ¦ ¦ ¦ ¦модификации с относительной шириной полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот более 7% или пиком мощности, ¦ ¦ ¦ ¦превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) спиральные лампы или их модификации, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более одной ¦ ¦ ¦ ¦октавы и произведение средней мощности ¦ ¦ ¦ ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту ¦ ¦ ¦ ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот в одну ¦ ¦ ¦ ¦октаву или менее и произведение средней ¦ ¦ ¦ ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую ¦ ¦ ¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более 1; или ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.2.¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦ ¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.1.3.¦Импрегнированные катоды, разработанные для ¦8540 99 000 0 ¦ ¦ ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном ¦ ¦ ¦ ¦режиме и штатных условиях работы ток ¦ ¦ ¦ ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, ¦ ¦ ¦ ¦разработанным или определенным изготовителем ¦ ¦ ¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, который ¦ ¦ ¦ ¦удовлетворяет всем следующим ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.2.1 не применяется к лампам, ¦ ¦ ¦ ¦непригодным для применения в космосе и ¦ ¦ ¦ ¦имеющим все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) среднюю выходную мощность, равную или ¦ ¦ ¦ ¦меньше 50 Вт; и ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанным или определенным ¦ ¦ ¦ ¦изготовителем для работы в любом диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦частот, который удовлетворяет всем следующим ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦ ¦ ¦частота выше 31,8 ГГц, но не превышает 43,5 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦диапазон распределен Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.2. ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую ¦8542 33 000; ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦8542 39 901 9;¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 4 Вт (36 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 16 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 16 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,8 Вт (29 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 нВт; ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,25 Вт (24 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; или ¦ ¦ ¦ ¦е) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощностью более 0,1 нВт ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус ММИС, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах "а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, ¦ ¦ ¦ ¦определяется наименьшим контрольным порогом ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощности. ¦ ¦ ¦ ¦2. Примечания 1 и 2 к пункту 3.1 ¦ ¦ ¦ ¦подразумевают, что пункт 3.1.1.2.2 не ¦ ¦ ¦ ¦применяется к ММИС, если они специально ¦ ¦ ¦ ¦разработаны для иных целей, например для ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникаций, радиолокационных станций, ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.3. ¦Дискретные микроволновые транзисторы, ¦8541 21 000 0;¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | Стр. 26 | Стр. 27 | Стр. 28 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
