|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28.12.2007 № 15/137 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"< Главная страница Стр. 13Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | Стр. 26 | Стр. 27 | Стр. 28 | ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦8541 29 000 0 ¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и имеющие среднюю выходную ¦ ¦ ¦ ¦мощность более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт); или ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и имеющие среднюю ¦ ¦ ¦ ¦выходную мощность более 0,1 нВт ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, ¦ ¦ ¦ ¦определяется наименьшим контрольным порогом ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощности ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.4. ¦Микроволновые твердотельные усилители и ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦микроволновые сборки/модули, содержащие ¦ ¦ ¦ ¦такие усилители, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 3,2 ГГц до 6,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 60 Вт (47,8 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 15%; ¦ ¦ ¦ ¦б) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 6,8 ГГц до 31,8 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 15 Вт (42 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦в) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 нВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах от более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦включительно и со средней выходной мощностью ¦ ¦ ¦ ¦более 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых ¦ ¦ ¦ ¦относительно уровня 1 мВт) при относительной ¦ ¦ ¦ ¦ширине полосы частот более 10%; ¦ ¦ ¦ ¦д) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 43,5 ГГц и со средней выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощностью более 0,1 нВт; или ¦ ¦ ¦ ¦е) определенные изготовителем для работы на ¦ ¦ ¦ ¦частотах выше 3,2 ГГц и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующее: ¦ ¦ ¦ ¦среднюю выходную мощность P (Вт), большую, ¦ ¦ ¦ ¦чем результат ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦от деления величины 150 (Вт·ГГц ) на ¦ ¦ ¦ ¦максимальную рабочую частоту f (ГГц) в ¦ ¦ ¦ ¦ 2 ¦ ¦ ¦ ¦квадрате, то есть: P > 150/f или в ¦ ¦ ¦ ¦единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦ 2 2 ¦ ¦ ¦ ¦[(Вт) > (Вт·ГГц ) / (ГГц) ]; ¦ ¦ ¦ ¦относительную ширину полосы частот 5% или ¦ ¦ ¦ ¦более; и ¦ ¦ ¦ ¦любые две взаимно перпендикулярные стороны с ¦ ¦ ¦ ¦длиной d (см), равной или меньше, чем ¦ ¦ ¦ ¦результат от деления величины 15 (см·ГГц) на ¦ ¦ ¦ ¦наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то есть: ¦ ¦ ¦ ¦d <= 15 / f или в единицах размерности ¦ ¦ ¦ ¦[(см) <= (см·ГГц)/(ГГц)] ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для усилителей, имеющих номинальный рабочий ¦ ¦ ¦ ¦диапазон частот, простирающийся в сторону ¦ ¦ ¦ ¦уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле ¦ ¦ ¦ ¦последнего абзаца подпункта "е" пункта ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей ¦ ¦ ¦ ¦частоты f (ГГц) следует применять равным 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, то есть: d <= 15/3,2 или в единицах ¦ ¦ ¦ ¦размерности [(см) <= (см·ГГц)/ГГц] ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны ¦ ¦ ¦ ¦применяться критерии, определенные в пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус изделий, номинальные ¦ ¦ ¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более ¦ ¦ ¦ ¦чем одной полосе частот, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦подпунктах "а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, ¦ ¦ ¦ ¦определяется наименьшим контрольным порогом ¦ ¦ ¦ ¦средней выходной мощности ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.5. ¦Полосовые или заградительные фильтры с ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦электронной или магнитной перестройкой, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых ¦ ¦ ¦ ¦резонаторов, обеспечивающих настройку в ¦ ¦ ¦ ¦полосе частот с соотношением максимальной и ¦ ¦ ¦ ¦минимальной частот 1,5 : 1 (f / f ) ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦менее чем за 10 мкс, и имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу пропускания частоты более 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты; или ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу подавления частоты менее 0,5% от ¦ ¦ ¦ ¦резонансной частоты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.6. ¦Преобразователи и смесители на гармониках, ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦разработанные для расширения частотного ¦ ¦ ¦ ¦диапазона аппаратуры, описанной в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.2, 3.1.2.3, 3.1.2.4 или пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.5, сверх пороговых значений, ¦ ¦ ¦ ¦установленных в этих пунктах ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.7. ¦Микроволновые усилители мощности ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦СВЧ-диапазона, содержащие лампы, определенные¦ ¦ ¦ ¦в пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) среднюю выходную мощность по отношению к ¦ ¦ ¦ ¦массе, превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦ ¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной или определенной изготовителем ¦ ¦ ¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, ¦ ¦ ¦ ¦распределенном Международным союзом ¦ ¦ ¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦ ¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.8. ¦Микроволновые модули питания (ММП), ¦8540 79 000 9;¦ ¦ ¦содержащие, по крайней мере, лампу бегущей ¦8542 31 901 9;¦ ¦ ¦волны, монолитную микроволновую интегральную ¦8543 70 900 0;¦ ¦ ¦схему и встроенный электронный стабилизатор ¦8543 90 000 1 ¦ ¦ ¦напряжения, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) время включения от выключенного состояния ¦ ¦ ¦ ¦до полностью эксплуатационного состояния ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 с; ¦ ¦ ¦ ¦б) физический объем ниже произведения ¦ ¦ ¦ ¦максимальной номинальной мощности в ваттах ¦ ¦ ¦ ¦на 10 куб.см/Вт; и ¦ ¦ ¦ ¦в) мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦одной октавы ¦ ¦ ¦ ¦(f > 2f ) и любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦ max min ¦ ¦ ¦ ¦для частот, равных или ниже 18 ГГц, ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную выходную мощность более 100 ¦ ¦ ¦ ¦Вт; или ¦ ¦ ¦ ¦частоту выше 18 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время ¦ ¦ ¦ ¦включения относится к периоду времени от ¦ ¦ ¦ ¦полностью выключенного состояния до ¦ ¦ ¦ ¦полностью эксплуатационного состояния, то ¦ ¦ ¦ ¦есть оно включает время готовности ММП. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 ¦ ¦ ¦ ¦приводится следующий пример расчета ¦ ¦ ¦ ¦физического объема ММП. ¦ ¦ ¦ ¦Для максимальной номинальной мощности 20 Вт ¦ ¦ ¦ ¦физический объем определяется как ¦ ¦ ¦ ¦20 [Вт] x 10 [куб.см/Вт] = 200 [куб.см]. Это ¦ ¦ ¦ ¦значение физического объема является ¦ ¦ ¦ ¦контрольным показателем и сравнивается с ¦ ¦ ¦ ¦фактическим физическим объемом ММП ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.9. ¦Гетеродины или сборки гетеродинов, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦разработанные для работы со всем ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующим: ¦ ¦ ¦ ¦а) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) ¦ ¦ ¦ ¦в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(126 + 20 log F - 20 log f) для 10 Гц < ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 10 кГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) фазовым шумом одной боковой полосы (ОБП) ¦ ¦ ¦ ¦в единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(114 + 20 log F - 20 log f) для 10 кГц <= ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 500 кГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В пункте 3.1.1.2.9 F - смещение от рабочей ¦ ¦ ¦ ¦частоты в Гц, а f - рабочая частота в МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.2.10. ¦Электронные сборки синтезаторов частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦имеющие время переключения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦определенное любым из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) менее 312 пс; ¦ ¦ ¦ ¦б) менее 100 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 1,6 ГГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 10,6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) менее 250 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦г) менее 500 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦д) менее 1 мс в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот, превышающего 43,5 ГГц¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для анализаторов сигналов, генераторов ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, схемных анализаторов и ¦ ¦ ¦ ¦микроволновых приемников-тестеров общего ¦ ¦ ¦ ¦назначения см. пункты 3.1.2.2, 3.1.2.3, ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.4 и 3.1.2.5 соответственно ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных акустических волнах ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦и на акустических волнах в тонком ¦ ¦ ¦ ¦поверхностном слое, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 6 ГГц, и имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 65 дБ; ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени задержки ¦ ¦ ¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени задержки ¦ ¦ ¦ ¦(в мкс) на ширину полосы частот (в МГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 100; ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 65 дБ и ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот, превышающую 100 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности - максимальная ¦ ¦ ¦ ¦величина подавления, определенная в перечне ¦ ¦ ¦ ¦технических характеристик (проспекте ¦ ¦ ¦ ¦изделия) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических волнах, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦обеспечивающие непосредственную обработку ¦ ¦ ¦ ¦сигналов на частотах, превышающих 6 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦использующие взаимодействие между ¦ ¦ ¦ ¦акустическими волнами (объемными или ¦ ¦ ¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, что ¦ ¦ ¦ ¦позволяет непосредственно обрабатывать ¦ ¦ ¦ ¦сигналы или изображения, включая анализ ¦ ¦ ¦ ¦спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.3 не применяется к приборам на ¦ ¦ ¦ ¦акустических волнах, ограниченным ¦ ¦ ¦ ¦пропусканием сигнала через однополосный ¦ ¦ ¦ ¦фильтр, фильтр низких или верхних частот или ¦ ¦ ¦ ¦узкополосный режекторный фильтр или функцией ¦ ¦ ¦ ¦резонирования ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦8540; ¦ ¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541; ¦ ¦ ¦материалов, специально разработанные для ¦8542; ¦ ¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦8543 ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих, и имеющие любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) переключение тока для цифровых схем, ¦ ¦ ¦ ¦использующих сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦ ¦ ¦которых произведение времени задержки на ¦ ¦ ¦ ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую ¦ ¦ ¦ ¦мощность на вентиль (в ваттах) менее ¦ ¦ ¦ ¦ -14 ¦ ¦ ¦ ¦10 Дж; или ¦ ¦ ¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦ ¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные мощные энергетические ¦ ¦ ¦ ¦устройства: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1. ¦Элементы: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1.1.¦Первичные элементы с плотностью энергии, ¦8506 ¦ ¦ ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.1.2.¦Вторичные элементы с плотностью энергии, ¦8507 ¦ ¦ ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность ¦ ¦ ¦ ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦ ¦ ¦номинальную емкость в ампер-часах, ¦ ¦ ¦ ¦поделенным на массу в килограммах. Если ¦ ¦ ¦ ¦номинальная емкость не установлена, ¦ ¦ ¦ ¦плотность энергии определяется произведением ¦ ¦ ¦ ¦возведенного в квадрат номинального ¦ ¦ ¦ ¦напряжения в вольтах на длительность разряда ¦ ¦ ¦ ¦в часах, поделенным на произведение ¦ ¦ ¦ ¦сопротивления нагрузки разряда в омах на ¦ ¦ ¦ ¦массу в килограммах. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" ¦ ¦ ¦ ¦определяется как электрохимическое ¦ ¦ ¦ ¦устройство, имеющее положительные и ¦ ¦ ¦ ¦отрицательные электроды и электролит и ¦ ¦ ¦ ¦являющееся источником электроэнергии. Он ¦ ¦ ¦ ¦является основным компоновочным блоком ¦ ¦ ¦ ¦батареи. ¦ ¦ ¦ ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как "элемент", который ¦ ¦ ¦ ¦не предназначен для заряда каким-либо другим ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии. ¦ ¦ ¦ ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный ¦ ¦ ¦ ¦элемент" определяется как "элемент", который ¦ ¦ ¦ ¦предназначен для заряда каким-либо внешним ¦ ¦ ¦ ¦источником энергии ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.5.1 не применяется к батареям, ¦ ¦ ¦ ¦включая батареи, содержащие один элемент ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2. ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦ ¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2.1.¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506; ¦ ¦ ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все ¦8507; ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.2.2.¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и ¦8506; ¦ ¦ ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие ¦8507; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8532 ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦ ¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 ¦ ¦ ¦ ¦или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦8504 50; ¦ ¦ ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 200 0 ¦ ¦ ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток ¦ ¦ ¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию более 8 Т ¦ ¦ ¦ ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦ ¦ ¦ ¦300 А/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.1.5.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящим электромагнитам или ¦ ¦ ¦ ¦соленоидам, специально разработанным для ¦ ¦ ¦ ¦медицинской аппаратуры отображения ¦ ¦ ¦ ¦магнитного резонанса (аппаратуры ¦ ¦ ¦ ¦магниторезонансной томографии) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.1.5.4. ¦Солнечные элементы, сборки электрически ¦8541 40 900 ¦ ¦ ¦соединенных элементов под защитным стеклом, ¦ ¦ ¦ ¦солнечные панели и солнечные батареи, ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦минимальное значение среднего КПД элементов ¦ ¦ ¦ ¦более 20% при рабочей температуре 301 К (28 ¦ ¦ ¦ ¦°C) под освещением с поверхностной ¦ ¦ ¦ ¦плотностью потока излучения 1367 Вт/кв.м при ¦ ¦ ¦ ¦имитации условий нулевой воздушной массы ¦ ¦ ¦ ¦(АМО) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется ¦ ¦ ¦ ¦спектральной плотностью потока солнечного ¦ ¦ ¦ ¦света за пределами атмосферы при расстоянии ¦ ¦ ¦ ¦между Землей и Солнцем, равном одной ¦ ¦ ¦ ¦астрономической единице (АЕ) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.6. ¦Преобразователи абсолютного углового ¦9031 80 320 0;¦ ¦ ¦положения вала, имеющие точность на входе в ¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦код, равную +/-1,0 угловая секунда или ¦ ¦ ¦ ¦меньше (лучше) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.7. ¦Твердотельные импульсные силовые ¦8536 50 030 0;¦ ¦ ¦коммутационные тиристорные устройства и ¦8536 50 800 0;¦ ¦ ¦тиристорные модули, использующие методы ¦8541 30 000 9 ¦ ¦ ¦электрического, оптического или электронно- ¦ ¦ ¦ ¦эмиссионного управления переключением, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс ¦ ¦ ¦ ¦и напряжение в закрытом состоянии более 1100 ¦ ¦ ¦ ¦В; или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную скорость нарастания ¦ ¦ ¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и ¦ ¦ ¦ ¦все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦импульсное напряжение в закрытом состоянии, ¦ ¦ ¦ ¦равное 3000 В или более; и ¦ ¦ ¦ ¦максимальный ток в импульсе (ударный ток) ¦ ¦ ¦ ¦более 3000 А ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: ¦ ¦ ¦ ¦кремниевые триодные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦электрические триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦световые триггерные тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦коммутационные тиристоры с интегральными ¦ ¦ ¦ ¦вентилями; ¦ ¦ ¦ ¦вентильные запираемые тиристоры; ¦ ¦ ¦ ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре ¦ ¦ ¦ ¦(структуре металл - оксид - полупроводник); ¦ ¦ ¦ ¦солидтроны. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.7 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦тиристорным устройствам и тиристорным ¦ ¦ ¦ ¦модулям, включенным в состав аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной для применения на ¦ ¦ ¦ ¦железнодорожном транспорте или в гражданских ¦ ¦ ¦ ¦летательных аппаратах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль ¦ ¦ ¦ ¦содержит одно или несколько тиристорных ¦ ¦ ¦ ¦устройств ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.1.8. ¦Твердотельные силовые полупроводниковые ¦8504 40 820 8;¦ ¦ ¦переключатели, диоды или модули, имеющие все ¦8536 50 030 0;¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦8536 50 050 0;¦ ¦ ¦а) рассчитанные для максимальной рабочей ¦8536 50 800 0;¦ ¦ ¦температуры ¦8541 10 000 9;¦ ¦ ¦p-n-перехода выше 488 К (215 °C); ¦8541 21 000 0;¦ ¦ ¦б) повторяющееся импульсное напряжение в ¦8541 29 000 0;¦ ¦ ¦закрытом состоянии (блокирующее напряжение), ¦8541 30 000 9;¦ ¦ ¦превышающее 300 В; и ¦8541 50 000 0 ¦ ¦ ¦в) постоянный ток более 1 А ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Повторяющееся импульсное напряжение в ¦ ¦ ¦ ¦закрытом состоянии в пункте 3.1.1.8 включает ¦ ¦ ¦ ¦напряжение сток - исток, выходное остаточное ¦ ¦ ¦ ¦напряжение, повторяющееся импульсное ¦ ¦ ¦ ¦обратное напряжение и блокирующее импульсное ¦ ¦ ¦ ¦напряжение в закрытом состоянии. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.1.8 включает: ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦p-n-переходом (JFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые транзисторы с вертикальным ¦ ¦ ¦ ¦p-n-переходом (VJFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые униполярные транзисторы на ¦ ¦ ¦ ¦МОП-структуре (структуре металл - оксид - ¦ ¦ ¦ ¦полупроводник) (MOSFET); ¦ ¦ ¦ ¦канальные полевые двойные диффузные металл- ¦ ¦ ¦ ¦оксид полупроводниковые транзисторы ¦ ¦ ¦ ¦(DMOSFET); ¦ ¦ ¦ ¦трехфазные тяговые преобразователи на ¦ ¦ ¦ ¦транзисторных ключах (IGBN); ¦ ¦ ¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью ¦ ¦ ¦ ¦электронов (ВПЭ-транзисторы) (НМЕТ); ¦ ¦ ¦ ¦биполярные плоскостные транзисторы (BJT); ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры и управляемые кремниевые ¦ ¦ ¦ ¦выпрямители (диоды) (SCR); ¦ ¦ ¦ ¦высоковольтные полупроводниковые запираемые ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры (GTO); ¦ ¦ ¦ ¦тиристоры с эмиттерами включения (ETO); ¦ ¦ ¦ ¦регулируемые резистивные диоды (PIN-диоды); ¦ ¦ ¦ ¦диоды Шоттки. ¦ ¦ ¦ ¦3. Пункт 3.1.1.8 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦переключателям, диодам или модулям, ¦ ¦ ¦ ¦включенным в состав аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦разработанной для применения на ¦ ¦ ¦ ¦железнодорожном транспорте, в гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилях или в гражданских летательных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратах ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.8 модуль содержит ¦ ¦ ¦ ¦один или несколько твердотельных силовых ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых переключателей или диодов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура ¦ ¦ ¦ ¦общего назначения и принадлежности для нее: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.1. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8519 81 750 1;¦ ¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая ¦8519 81 850; ¦ ¦ ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых ¦8519 81 950 0;¦ ¦ ¦сигналов (например, использующие модуль ¦8519 89 900 0;¦ ¦ ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие ¦8521 10 200 0;¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8521 10 950 0 ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку, при ¦ ¦ ¦ ¦количестве дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по методикам ¦ ¦ ¦ ¦соответствующих руководящих материалов ¦ ¦ ¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦ ¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации ¦ ¦ ¦ ¦электронной промышленности (EIA), менее ¦ ¦ ¦ ¦+/-0,1 мкс ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ¦ ¦ ¦ ¦ленте, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданского применения, не рассматриваются ¦ ¦ ¦ ¦как записывающие устройства, использующие ¦ ¦ ¦ ¦ленту ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ¦8521 10; ¦ ¦ ¦ленте, имеющие максимальную пропускную ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса более 360 ¦ ¦ ¦ ¦Мбит/с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.2.1.2 не применяется к цифровым ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофонам на магнитной ленте, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанным для телевизионной ¦ ¦ ¦ ¦записи, использующим формат сигнала, который ¦ ¦ ¦ ¦может включать сжатие формата сигнала, ¦ ¦ ¦ ¦стандартизированный или рекомендуемый для ¦ ¦ ¦ ¦применения в гражданском телевидении ¦ ¦ ¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦ ¦ ¦Международной электротехнической комиссией, ¦ ¦ ¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино и ¦ ¦ ¦ ¦телевидения, Европейским союзом ¦ ¦ ¦ ¦радиовещания, Европейским институтом ¦ ¦ ¦ ¦стандартов по телекоммуникациям или ¦ ¦ ¦ ¦Институтом инженеров по электротехнике и ¦ ¦ ¦ ¦радиоэлектронике ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.3. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 800 0;¦ ¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, использующие ¦8521 10 ¦ ¦ ¦принципы спирального сканирования или ¦ ¦ ¦ ¦принципы фиксированной головки и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную способность ¦ ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или ¦ ¦ ¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.2.1.3 не применяется к устройствам ¦ ¦ ¦ ¦записи данных на магнитной ленте, оснащенным ¦ ¦ ¦ ¦электронными блоками для преобразования в ¦ ¦ ¦ ¦цифровую запись высокой плотности и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенным для записи только цифровых ¦ ¦ ¦ ¦данных ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 9 ¦ ¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная в ¦ ¦ ¦ ¦целях переделки цифровых видеомагнитофонов ¦ ¦ ¦ ¦на магнитной ленте для использования их как ¦ ¦ ¦ ¦устройств записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0;¦ ¦ ¦цифровую форму и записи переходных ¦8543 70 900 0 ¦ ¦ ¦процессов, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦ ¦ ¦ ¦200 млн. проб в секунду или более и ¦ ¦ ¦ ¦разрешение 10 бит или более; и ¦ ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность 2 ¦ ¦ ¦ ¦Гбит/с или более ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦ ¦ ¦параллельной шине непрерывная пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность - произведение наибольшего ¦ ¦ ¦ ¦объема слов на количество бит в слове. ¦ ¦ ¦ ¦2. Непрерывная пропускная способность - ¦ ¦ ¦ ¦наивысшая скорость передачи данных ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры, с которой информация поступает в ¦ ¦ ¦ ¦запоминающее устройство без потерь при ¦ ¦ ¦ ¦сохранении скорости выборки и ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифрового преобразования ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.1.6. ¦Устройства записи данных цифровой ¦8471 50 000 0;¦ ¦ ¦аппаратуры, использующие способ хранения на ¦8471 60; ¦ ¦ ¦магнитном диске, имеющие все следующие ¦8471 70 200 0;¦ ¦ ¦характеристики: ¦8471 70 300 0;¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦8471 70 500 0;¦ ¦ ¦100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит ¦8519 81 950 0;¦ ¦ ¦или более; и ¦8519 89 900 0;¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность не ¦8521 90 000 9;¦ ¦ ¦менее 1 Гбит/с или более ¦8522 90 410 0;¦ ¦ ¦ ¦8522 90 490 0;¦ ¦ ¦ ¦8522 90 800 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.2. ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.1. ¦Анализаторы сигналов, имеющие разрешающую ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦способность 3 дБ для ширины полосы ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦пропускания более 10 МГц в любой точке ¦ ¦ ¦ ¦частотного диапазона выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 37,5 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.2. ¦Анализаторы сигналов, имеющие ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦воспроизводимый на дисплее средний уровень ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦шума (ВСУШ) меньше (лучше) - 150 дБм/Гц в ¦ ¦ ¦ ¦любой точке частотного диапазона выше 43,5 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 70 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.3. ¦Анализаторы сигналов, способные ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦анализировать сигналы с частотой выше 70 ГГц ¦9030 89 300 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.2.4. ¦Динамические анализаторы сигналов с полосой ¦9030 20 300 9;¦ ¦ ¦частот в реальном масштабе времени, ¦9030 32 000 9;¦ ¦ ¦превышающей 40 МГц ¦9030 39 000 9;¦ ¦ ¦ ¦9030 84 000 9;¦ ¦ ¦ ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.1.2.2.2 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦динамическим анализаторам сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующим только фильтры с полосой ¦ ¦ ¦ ¦пропускания фиксированных долей (известны ¦ ¦ ¦ ¦также как октавные или дробно-октавные ¦ ¦ ¦ ¦фильтры) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.3. ¦Генераторы сигналов синтезированных частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦формирующие выходные частоты с управлением ¦ ¦ ¦ ¦по параметрам точности, кратковременной и ¦ ¦ ¦ ¦долговременной стабильности на основе или с ¦ ¦ ¦ ¦помощью внутреннего задающего эталонного ¦ ¦ ¦ ¦генератора и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) определенные для создания длительности ¦ ¦ ¦ ¦импульса менее 100 нс в любом месте ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 31,8 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 70 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей подпункта "а" пункта 3.1.2.3 ¦ ¦ ¦ ¦длительность импульса определяется как ¦ ¦ ¦ ¦временной интервал между передним фронтом ¦ ¦ ¦ ¦импульса, достигающим 90% от максимума, и ¦ ¦ ¦ ¦задним фронтом импульса, достигающим 10% от ¦ ¦ ¦ ¦максимума; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) выходную мощность более 100 мВт (20 дБ, ¦ ¦ ¦ ¦отсчитываемых относительно уровня 1 мВт) в ¦ ¦ ¦ ¦любом месте диапазона синтезированных частот ¦ ¦ ¦ ¦выше 31,8 ГГц, но не превышающего 70 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) время переключения частоты, определенное ¦ ¦ ¦ ¦любым из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦менее 312 пс; ¦ ¦ ¦ ¦менее 100 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 1,6 ГГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 3,2 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 10,6 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 250 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 10,6 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 500 мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 43,5 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 56 ГГц; или ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 2,2 ГГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 56 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 70 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦г) при синтезированных частотах выше 3,2 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающих 70 ГГц, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующее: ¦ ¦ ¦ ¦фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше ¦ ¦ ¦ ¦-(126 + 20 log F - 20 log f) для 10 Гц < ¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦F < 10 кГц; и ¦ ¦ ¦ ¦фазовый шум одной боковой полосы (ОБП) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах (дБ по шкале С шумомера)/Гц лучше - ¦ ¦ ¦ ¦(114 + 20 log F - 20 log f) для 10 кГц <= F¦ ¦ ¦ ¦ 10 10 ¦ ¦ ¦ ¦< 500 кГц; или ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В подпункте "г" пункта 3.1.2.3 F - смещение ¦ ¦ ¦ ¦от рабочей частоты в Гц, а f - рабочая ¦ ¦ ¦ ¦частота в МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦д) максимальную синтезированную частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 70 ГГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.2.3 генераторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов синтезированных частот включают в ¦ ¦ ¦ ¦себя генераторы импульсов произвольной формы ¦ ¦ ¦ ¦и генераторы функций ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Генераторы импульсов произвольной формы и ¦ ¦ ¦ ¦генераторы функций обычно определяются ¦ ¦ ¦ ¦частотой выборки (например, Гвыб./с), ¦ ¦ ¦ ¦которая преобразовывается в радиочастотную ¦ ¦ ¦ ¦область посредством коэффициента Найквиста - ¦ ¦ ¦ ¦2. Так, 1 Гвыб./с произвольных импульсов ¦ ¦ ¦ ¦имеет возможность прямого вывода 500 МГц или ¦ ¦ ¦ ¦при использовании выборки с запасом по ¦ ¦ ¦ ¦частоте дискретизации максимальная ¦ ¦ ¦ ¦возможность прямого вывода пропорционально ¦ ¦ ¦ ¦ниже. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.1.2.3 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуре, в которой выходная частота ¦ ¦ ¦ ¦создается либо путем сложения или вычитания ¦ ¦ ¦ ¦частот с двух или более кварцевых ¦ ¦ ¦ ¦генераторов, либо путем сложения или ¦ ¦ ¦ ¦вычитания с последующим умножением ¦ ¦ ¦ ¦результирующей частоты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.4. ¦Схемные анализаторы, имеющие любое из ¦9030 40 000 0 ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц, и выходную мощность, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦31,62 мВт (15 дБ, отсчитываемых относительно ¦ ¦ ¦ ¦уровня 1 мВт); или ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦70 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.5. ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦8517 69 390 0 ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦ ¦ ¦и фазу ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.2.6. ¦Атомные эталоны частоты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.1. ¦Пригодные для применения в космосе ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пункте 3.1.2.6.1, см. также ¦ ¦ ¦ ¦пункт 3.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.2. ¦Не являющиеся рубидиевыми эталонами и ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦имеющие долговременную стабильность меньше ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(лучше) 1 x 10 в месяц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.1.2.6.3. ¦Рубидиевые эталоны, непригодные для ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦применения в космосе и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность меньше ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(лучше) 1 x 10 в месяц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.1.3. ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0;¦ ¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9;¦ ¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 8 ¦ ¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦ ¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦ ¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов в пределах их рабочего ¦ ¦ ¦ ¦диапазона, а также специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для них компоненты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.1. ¦Оборудование, разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.1. ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦ ¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.1.1 включает оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания атомного слоя ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.2. ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы ¦ ¦ ¦ ¦металлоорганических соединений, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для выращивания кристаллов ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединений с ¦ ¦ ¦ ¦использованием материалов, определенных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.3.3 или 3.3.4, в качестве исходных ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 ¦ ¦ ¦ ¦раздела 2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.1.3. ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием газообразных ¦ ¦ ¦ ¦или твердых источников ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.2. ¦Оборудование, разработанное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦ ¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально разработанное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦ ¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу ¦ ¦ ¦ ¦тока пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦ ¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.3. ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦8456 90 800 0;¦ ¦ ¦плазменного травления, разработанное или ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦оптимизированное для создания всего ¦ ¦ ¦ ¦следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) критических размеров 65 нм или менее; и ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренней неоднородности пластины ¦ ¦ ¦ ¦(подложки), равной или меньше 10% (3сигма), ¦ ¦ ¦ ¦измеренной, за исключением контура (кромки), ¦ ¦ ¦ ¦равного 2 мм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.4. ¦Оборудование химического осаждения из ¦8419 89 300 0;¦ ¦ ¦паровой фазы с применением плазменного ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦разряда, ускоряющего процесс: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.1. ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты ¦ ¦ ¦ ¦в кассету и шлюзовой загрузкой, ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 65 нм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.4.2. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦систем, определенных в пункте 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 65 нм или менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.5. ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦системы с центральным транспортно- ¦8456 90 800 0;¦ ¦ ¦загрузочным устройством для пластин ¦8479 50 000 0;¦ ¦ ¦(подложек), имеющие все следующее: ¦8486 20 900 2;¦ ¦ ¦а) средства сопряжения для загрузки и ¦8486 20 900 3 ¦ ¦ ¦выгрузки пластин (подложек), разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для возможности присоединения более двух ¦ ¦ ¦ ¦отличных по функциональным возможностям ¦ ¦ ¦ ¦инструментов для обработки полупроводников, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пунктах 3.2.1.1, 3.2.1.2, ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.3 или пункте 3.2.1.4; и ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанные для создания ¦ ¦ ¦ ¦интегрированной системы последовательной ¦ ¦ ¦ ¦многопозиционной обработки пластин ¦ ¦ ¦ ¦(подложек) в вакууме ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.2.1.5 инструменты для ¦ ¦ ¦ ¦обработки полупроводников относятся к ¦ ¦ ¦ ¦инструментам модульной конструкции, которые ¦ ¦ ¦ ¦обеспечивают такие отличные по ¦ ¦ ¦ ¦функциональности физические процессы ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводников, как осаждение, ¦ ¦ ¦ ¦травление, ионная имплантация или ¦ ¦ ¦ ¦термообработка. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для целей пункта 3.2.1.5 многопозиционная ¦ ¦ ¦ ¦обработка пластин (подложек) означает ¦ ¦ ¦ ¦возможность обрабатывать каждую пластину ¦ ¦ ¦ ¦(подложку) с помощью различных инструментов ¦ ¦ ¦ ¦для обработки полупроводников, например, ¦ ¦ ¦ ¦путем передачи каждой пластины (подложки) от ¦ ¦ ¦ ¦первого инструмента ко второму и далее к ¦ ¦ ¦ ¦третьему посредством автоматически ¦ ¦ ¦ ¦загружаемых многокамерных систем с ¦ ¦ ¦ ¦центральным транспортно-загрузочным ¦ ¦ ¦ ¦устройством ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.5 не применяется к ¦ ¦ ¦ ¦автоматическим роботизированным системам для ¦ ¦ ¦ ¦загрузки-разгрузки пластин (подложек), ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанным для параллельной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин (подложек) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.6. ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.1. ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 390 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно ¦ ¦ ¦ ¦на пластине) или сканированием (сканер), ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 95 ¦ ¦ ¦ ¦нм и менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента ¦ ¦ ¦ ¦(МРР) рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦ ¦ ¦МРР = (длина волны источника света в ¦ ¦ ¦ ¦нанометрах) x (К фактор) / (числовая ¦ ¦ ¦ ¦апертура), где К фактор = 0,35 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.2. ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦ ¦ ¦способное создавать элементы размером 95 нм ¦8486 20 900 ¦ ¦ ¦или менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦ ¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦ ¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦ ¦ ¦тиснения; ¦ ¦ ¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦ ¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦3.2.1.6.3. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3;¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦ ¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦ ¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦ ¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦ ¦ ¦возможность формирования рисунка с размером ¦ ¦ ¦ ¦элементов менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦точность совмещения слоев лучше +/-0,20 мкм ¦ ¦ ¦ ¦(3 сигма) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.7. ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.8 не применяется к многослойным ¦ ¦ ¦ ¦шаблонам с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦ ¦ ¦разработанным для изготовления запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств, не определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.1.9. ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦определенных в пункте 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2. ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.2.2.2. ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦ ¦ ¦схем, определенных в пункте 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0;¦ ¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3. ¦Материалы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦ ¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.1. ¦Кремний (Si) ¦3818 00 100 0;¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.2. ¦Германий (Ge) ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.3. ¦Карбид кремния (SiC); или ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.1.4. ¦Соединения III - V на основе галлия или ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦индия ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2. ¦Резисты, определенные ниже, а также ¦ ¦ ¦ ¦подложки, покрытые ими: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, разработанные для ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.2. ¦Все резисты, разработанные для использования ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦при экспонировании электронными или ионными ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦пучками, с чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦или лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.3. ¦Все резисты, разработанные для использования ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦при экспонировании рентгеновскими лучами, с ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦резисты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Технология силилирования - процесс, ¦ ¦ ¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, ¦ ¦ ¦ ¦для повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.2.5. ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 870 0;¦ ¦ ¦приспособленные для применения с ¦3824 90 970 9 ¦ ¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦ ¦ ¦определенным в пункте 3.2.1.6.2 и ¦ ¦ ¦ ¦использующим процесс термообработки или ¦ ¦ ¦ ¦светоотверждения ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3. ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3.1. ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 90 ¦ ¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦ ¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.3.2. ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 90 ¦ ¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦основы неорганического элемента более ¦ ¦ ¦ ¦99,999% ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.3.3 применяется только к ¦ ¦ ¦ ¦соединениям, металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦ ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0;¦ ¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.3.4 не применяется к гидридам, ¦ ¦ ¦ ¦содержащим 20% или более молей инертных ¦ ¦ ¦ ¦газов или водорода ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.5. ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦ ¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦ ¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦ ¦ ¦более 100 Ом·м при 20 °C ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.3.6. ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния ¦ ¦ ¦ ¦(SiC), нитрида галлия (GaN), нитрида ¦ ¦ ¦ ¦алюминия (AlN) или нитрида галлия-алюминия ¦ ¦ ¦ ¦(AlGaN) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+---------------------------------------------+--------------+ ¦ 3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, определенного в ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | Стр. 26 | Стр. 27 | Стр. 28 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
