|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 22.02.2005 № 4/11 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 11Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | ¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.3.2.¦Более одной шины данных или команд ¦8542 21 45; ¦ ¦ ¦либо последовательный порт связи, что ¦8542 21 500 0; ¦ ¦ ¦обеспечивает прямое внешнее соединение ¦8542 21 83; ¦ ¦ ¦между параллельными микросхемами ¦8542 21 850 0; ¦ ¦ ¦микропроцессоров со скоростью ¦8542 60 000 ¦ ¦ ¦передачи, превышающей 150 Мбайт/с ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых сигналов, ¦ ¦цифровые матричные процессоры и цифровые сопроцессоры ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.4. ¦Интегральные схемы памяти, ¦8542 21 45; ¦ ¦ ¦изготовленные на полупроводниковых ¦8542 21 500 0; ¦ ¦ ¦соединениях ¦8542 21 83; ¦ ¦ ¦ ¦8542 21 850 0; ¦ ¦ ¦ ¦8542 60 000 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.5. ¦Следующие интегральные схемы для ¦8542 29 600 0; ¦ ¦ ¦аналого-цифровых и цифроаналоговых ¦8542 29 900 9; ¦ ¦ ¦преобразователей: ¦8542 60 000 9 ¦ ¦ ¦а) аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 8 бит или ¦ ¦ ¦ ¦более, но менее 12 бит с общим ¦ ¦ ¦ ¦временем преобразования ¦ ¦ ¦ ¦менее 5 нс; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность 12 бит с общим ¦ ¦ ¦ ¦временем преобразования менее 20 нс; ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 12 бит, ¦ ¦ ¦ ¦но равную или меньше 14 бит с общим ¦ ¦ ¦ ¦временем преобразования менее 200 нс; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦разрешающую способность более 14 бит с ¦ ¦ ¦ ¦общим временем преобразования менее ¦ ¦ ¦ ¦1 мкс; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифроаналоговые преобразователи с ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способностью 12 бит или ¦ ¦ ¦ ¦более и временем установления сигнала ¦ ¦ ¦ ¦менее 10 нс ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Технические примечания: ¦ ¦ n ¦ ¦1. Разрешающая способность n битов соответствует 2 уровням ¦ ¦квантования. ¦ ¦2. Общее время преобразования является величиной, обратной частоте ¦ ¦выборки ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.6. ¦Электронно-оптические и оптические ¦8542 ¦ ¦ ¦интегральные схемы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, имеющие одновременно ¦ ¦ ¦ ¦все перечисленные составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦а) один внутренний лазерный диод или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦б) один внутренний светочувствительный ¦ ¦ ¦ ¦элемент или более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) световоды; ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.7. ¦Программируемые пользователем ¦8542 21 690 0; ¦ ¦ ¦логические устройства, имеющие любую ¦8542 21 990 0 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентное количество ¦ ¦ ¦ ¦задействованных логических элементов ¦ ¦ ¦ ¦более 30000 (в пересчете на элементы ¦ ¦ ¦ ¦с двумя входами); ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) частоту переключения выше 133 МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Пункт 3.1.1.1.7 включает: ¦ ¦простые программируемые логические устройства (ППЛУ); ¦ ¦сложные программируемые логические устройства (СПЛУ); ¦ ¦программируемые пользователем вентильные матрицы (ППВМ); ¦ ¦программируемые пользователем логические матрицы (ППЛМ); ¦ ¦программируемые пользователем межсоединения (ППМС) ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦Программируемые пользователем логические устройства также известны ¦ ¦как программируемые пользователем вентильные или программируемые ¦ ¦пользователем логические матрицы ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.8. ¦Интегральные схемы для нейронных сетей ¦8542 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.9. ¦Заказные интегральные схемы, функции ¦8542 21 690 0; ¦ ¦ ¦которых неизвестны или изготовителю не ¦8542 21 990 0; ¦ ¦ ¦известно, распространяется ли статус ¦8542 29; ¦ ¦ ¦контроля на аппаратуру, в которой ¦8542 60 000 ¦ ¦ ¦будут использоваться эти интегральные ¦ ¦ ¦ ¦схемы, с любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1000 выводов; ¦ ¦ ¦ ¦б) типовое время задержки основного ¦ ¦ ¦ ¦логического элемента менее 0,1 нс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.10. ¦Цифровые интегральные схемы, иные, ¦8542 ¦ ¦ ¦нежели указанные в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и пункте ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.11, созданные на основе любого ¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового соединения и ¦ ¦ ¦ ¦характеризующиеся любым из ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) эквивалентным количеством ¦ ¦ ¦ ¦логических элементов более 3000 ¦ ¦ ¦ ¦(в пересчете на элементы с двумя ¦ ¦ ¦ ¦входами); или ¦ ¦ ¦ ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.1.11. ¦Процессоры быстрого преобразования ¦8542 21 45; ¦ ¦ ¦Фурье, имеющие расчетное время ¦8542 21 500 0; ¦ ¦ ¦выполнения комплексного N-точечного ¦8542 21 83; ¦ ¦ ¦сложного быстрого преобразования Фурье ¦8542 21 850 0; ¦ ¦ ¦ 2 ¦8542 60 000 ¦ ¦ ¦менее (N log N) / 20 480 мс, ¦ ¦ ¦ ¦где N - количество точек ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в пункте 3.1.1.1.11 дает¦ ¦результат времени выполнения 500 мкс ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или полуфабрикатов), на ¦ ¦которых воспроизведена конкретная функция, оценивается по ¦ ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1. ¦ ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает следующие типы: ¦ ¦монолитные интегральные схемы; ¦ ¦гибридные интегральные схемы; ¦ ¦многокристальные интегральные схемы; ¦ ¦пленочные интегральные схемы, включая интегральные схемы типа ¦ ¦"кремний на сапфире"; ¦ ¦оптические интегральные схемы. ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2. ¦Компоненты микроволнового или ¦ ¦ ¦ ¦миллиметрового диапазона: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1. ¦Нижеперечисленные электронные ¦ ¦ ¦ ¦вакуумные лампы и катоды: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.1.¦Лампы бегущей волны импульсного или ¦8540 79 000 0 ¦ ¦ ¦непрерывного действия: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих ¦ ¦ ¦ ¦31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие элемент подогрева катода со ¦ ¦ ¦ ¦временем выхода лампы на предельную ¦ ¦ ¦ ¦радиочастотную мощность менее 3 с; ¦ ¦ ¦ ¦в) лампы с сопряженными резонаторами ¦ ¦ ¦ ¦или их модификации с относительной ¦ ¦ ¦ ¦шириной полосы частот более 7% или ¦ ¦ ¦ ¦пиком мощности, превышающим 2,5 кВт; ¦ ¦ ¦ ¦г) спиральные лампы или их ¦ ¦ ¦ ¦модификации, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦ ¦ ¦одной октавы и произведение средней ¦ ¦ ¦ ¦мощности (выраженной в кВт) на рабочую ¦ ¦ ¦ ¦частоту (выраженную в ГГц) более 0,5; ¦ ¦ ¦ ¦мгновенную ширину полосы частот в одну ¦ ¦ ¦ ¦октаву или менее и произведение ¦ ¦ ¦ ¦средней мощности (выраженной в кВт) на ¦ ¦ ¦ ¦рабочую частоту (выраженную в ГГц) ¦ ¦ ¦ ¦более 1; или ¦ ¦ ¦ ¦пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.2.¦Лампы-усилители магнетронного типа с ¦8540 71 000 0 ¦ ¦ ¦коэффициентом усиления более 17 дБ ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.1.3.¦Импрегнированные катоды, разработанные ¦8540 99 000 0 ¦ ¦ ¦для электронных ламп, эмитирующие в ¦ ¦ ¦ ¦непрерывном режиме и штатных условиях ¦ ¦ ¦ ¦работы ток плотностью, превышающей ¦ ¦ ¦ ¦5 А/кв.см ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, спроектированные для¦ ¦работы в любом диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦ ¦следующим характеристикам: ¦ ¦а) частота не превышает 31 ГГц; и ¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для ¦ ¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения. ¦ ¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются лампы, которые непригодны ¦ ¦для применения в космосе и удовлетворяют всем следующим ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; и ¦ ¦б) спроектированные для работы в любом диапазоне частот, который ¦ ¦удовлетворяет всем следующим характеристикам: ¦ ¦частота выше 31 ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и ¦ ¦диапазон распределен Международным союзом электросвязи для ¦ ¦обслуживания адиосвязи, но не для радиоопределения ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.2. ¦Микроволновые интегральные схемы или ¦8542 29; ¦ ¦ ¦модули, которые: ¦8542 60 000; ¦ ¦ ¦а) содержат монолитные интегральные ¦8542 70 000 0 ¦ ¦ ¦схемы, имеющие один или более активных ¦ ¦ ¦ ¦элементов; и ¦ ¦ ¦ ¦б) работают на частотах выше 3 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируются схемы или модули для ¦ ¦оборудования, разработанного или предназначенного для работы в любом¦ ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем следующим ¦ ¦характеристикам: ¦ ¦а) не превышает 31 ГГц; ¦ ¦б) диапазон распределен Международным союзом электросвязи для ¦ ¦обслуживания радиосвязи, но не для радиоопределения. ¦ ¦2. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется радиопередающее ¦ ¦спутниковое оборудование, разработанное или предназначенное для ¦ ¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.3. ¦Микроволновые транзисторы, ¦8541 21 000 0; ¦ ¦ ¦предназначенные для работы на ¦8541 29 000 0 ¦ ¦ ¦частотах, превышающих 31 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.4. ¦Микроволновые твердотельные усилители, ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) работающие на частотах, превышающих ¦ ¦ ¦ ¦10,5 ГГц, и имеющие мгновенную ширину ¦ ¦ ¦ ¦полосы частот более половины октавы; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) работающие на частотах, превышающих ¦ ¦ ¦ ¦31 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.5. ¦Полосовые или заградительные фильтры с ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦электронной или магнитной перестройкой,¦ ¦ ¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых ¦ ¦ ¦ ¦резонаторов, обеспечивающих настройку ¦ ¦ ¦ ¦в полосе частот с соотношением ¦ ¦ ¦ ¦максимальной и минимальной частот ¦ ¦ ¦ ¦1,5:1 (fmax / fmin) менее чем за ¦ ¦ ¦ ¦10 мкс, и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу пропускания частоты более ¦ ¦ ¦ ¦0,5% от резонансной частоты; или ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу подавления частоты менее ¦ ¦ ¦ ¦0,5% от резонансной частоты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.6. ¦Микроволновые сборки, способные ¦8529 10 700 0; ¦ ¦ ¦работать на частотах, превышающих ¦8542 70 000 0 ¦ ¦ ¦31 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.7. ¦Смесители и преобразователи, ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦разработанные для расширения ¦ ¦ ¦ ¦частотного диапазона аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦указанной в пункте 3.1.2.3, 3.1.2.5 ¦ ¦ ¦ ¦или 3.1.2.6 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.2.8. ¦Микроволновые усилители мощности ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦СВЧ-диапазона, содержащие лампы, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемые по пункту 3.1.1.2, и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность средней выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощности, превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦ ¦ ¦в) объем менее 400 куб.см ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.2.8 не контролируется аппаратура, ¦ ¦спроектированная для работы в любом диапазоне частот, распределенном¦ ¦Международным союзом электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦не для радиоопределения ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.3. ¦Приборы на акустических волнах и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.3.1. ¦Приборы на поверхностных акустических ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦волнах и на акустических волнах в ¦ ¦ ¦ ¦тонком поверхностном слое (то есть ¦ ¦ ¦ ¦приборы для обработки сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующие упругие волны ¦ ¦ ¦ ¦в материале), имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) несущую частоту выше 2,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 2,5 ГГц, и дополнительно ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ; ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени ¦ ¦ ¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот (в МГц) более 100; ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и ¦ ¦ ¦ ¦дополнительно имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦произведение максимального времени ¦ ¦ ¦ ¦задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот (в МГц) более 100; ¦ ¦ ¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦частотное подавление боковых лепестков ¦ ¦ ¦ ¦диаграммы направленности более 55 дБ и ¦ ¦ ¦ ¦ширину полосы частот, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦50 МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.3.2. ¦Приборы на объемных акустических ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦волнах (то есть приборы для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов, использующие упругие волны в ¦ ¦ ¦ ¦материале), обеспечивающие ¦ ¦ ¦ ¦непосредственную обработку сигналов на ¦ ¦ ¦ ¦частотах, превышающих 1 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.3.3. ¦Акустооптические приборы обработки ¦8541 60 000 0 ¦ ¦ ¦сигналов, использующие взаимодействие ¦ ¦ ¦ ¦между акустическими волнами (объемными ¦ ¦ ¦ ¦или поверхностными) и световыми ¦ ¦ ¦ ¦волнами, что позволяет непосредственно ¦ ¦ ¦ ¦обрабатывать сигналы или изображения, ¦ ¦ ¦ ¦включая анализ спектра, корреляцию или ¦ ¦ ¦ ¦свертку ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.4. ¦Электронные приборы и схемы, ¦8540; ¦ ¦ ¦содержащие компоненты, изготовленные ¦8541; ¦ ¦ ¦из сверхпроводящих материалов, ¦8542; ¦ ¦ ¦специально спроектированные для работы ¦8543 ¦ ¦ ¦при температурах ниже критической ¦ ¦ ¦ ¦температуры хотя бы одной из ¦ ¦ ¦ ¦сверхпроводящих составляющих, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦хотя бы один из следующих признаков: ¦ ¦ ¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых ¦ ¦ ¦ ¦схем, использующие сверхпроводящие ¦ ¦ ¦ ¦вентили, у которых произведение ¦ ¦ ¦ ¦времени задержки на вентиль (в ¦ ¦ ¦ ¦секундах) на рассеиваемую мощность на ¦ ¦ ¦ ¦ -14 ¦ ¦ ¦ ¦вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦ ¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦ ¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5. ¦Нижеперечисленные мощные ¦ ¦ ¦ ¦энергетические устройства: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1. ¦Батареи и сборки фотоэлектрических ¦ ¦ ¦ ¦элементов: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.1.¦Первичные элементы и батареи с ¦8506; ¦ ¦ ¦плотностью энергии, превышающей ¦8507; ¦ ¦ ¦480 Вт·ч/кг, и пригодные для работы ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦в диапазоне температур от ниже 243 К ¦ ¦ ¦ ¦(-30 град. С) до выше 343 К (70 ¦ ¦ ¦ ¦град. С); ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.2.¦Подзаряжаемые элементы и батареи с ¦8506; ¦ ¦ ¦плотностью энергии более ¦8507; ¦ ¦ ¦150 Вт·ч/кг после 75 циклов ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦заряд-разряда при токе разряда, равном ¦ ¦ ¦ ¦С/5 (С - номинальная емкость в ¦ ¦ ¦ ¦ампер-часах, 5 - время разряда в ¦ ¦ ¦ ¦часах), при работе в диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦температур от ниже 253 К (-20 град. С) ¦ ¦ ¦ ¦до выше 333 К (60 град. С) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Плотность энергии определяется путем умножения средней мощности в ¦ ¦ваттах (произведение среднего напряжения в вольтах на средний ток в ¦ ¦амперах) на длительность цикла разряда в часах, при котором ¦ ¦напряжение на разомкнуты клеммах падает до 75% от номинала, и ¦ ¦деления полученного произведения на общую массу элемента (или ¦ ¦батареи) в килограммах ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.1.3.¦Батареи, пригодные для применения в ¦8506; ¦ ¦ ¦космосе, и радиационно стойкие сборки ¦8507; ¦ ¦ ¦фотоэлектрических элементов с удельной ¦8541 40 900 0 ¦ ¦ ¦мощностью более 160 Вт/кв.м при ¦ ¦ ¦ ¦рабочей температуре 301 К (28 град. С) ¦ ¦ ¦ ¦облучении от вольфрамового источника, ¦ ¦ ¦ ¦нагретого до температуры 2800 К ¦ ¦ ¦ ¦(2527 град. С) с плотностью мощности ¦ ¦ ¦ ¦излучения 1 кВт/кв.м ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пунктам 3.1.1.5.1.1 - 3.1.1.5.1.3 не контролируются ¦ ¦батареи объемом 27 куб.см или менее (например, стандартные элементы ¦ ¦с угольными стержнями или батареи типа R14) ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2. ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦ ¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.1.¦Конденсаторы с частотой повторения ¦8506; ¦ ¦ ¦ниже 10 Гц (одноразрядные ¦8507; ¦ ¦ ¦конденсаторы), имеющие все следующие ¦8532 ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или ¦ ¦ ¦ ¦более; и ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.2.2.¦Конденсаторы с частотой повторения ¦8506; ¦ ¦ ¦10 Гц и выше (многоразрядные ¦8507; ¦ ¦ ¦конденсаторы), имеющие все следующие ¦8532 ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦ ¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда ¦ ¦ ¦ ¦10000 или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и ¦8504 50; ¦ ¦ ¦соленоиды, специально разработанные на ¦8505 90 100 0 ¦ ¦ ¦полный заряд или разряд менее чем за ¦ ¦ ¦ ¦1 с, имеющие все нижеперечисленные ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих ¦ ¦ ¦ ¦обмоток более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию ¦ ¦ ¦ ¦больше 8 Т или суммарную плотность ¦ ¦ ¦ ¦тока в обмотке более 300 А/кв.мм ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются сверхпроводящие ¦ ¦электромагниты или соленоиды, специально разработанные для ¦ ¦медицинской аппаратуры магниторезонансной томографии ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.1.6. ¦Цифровые преобразователи абсолютного ¦9031 80 320 0; ¦ ¦ ¦углового положения вращающегося вала, ¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от ¦ ¦ ¦ ¦полного диапазона (18 бит); или ¦ ¦ ¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл.с ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанная измерительная магнитная ¦ ¦ ¦ ¦лента для нее: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.1. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8520 32 500 0; ¦ ¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, ¦8520 32 990 0; ¦ ¦ ¦включая аппаратуру с возможностью ¦8520 39 900 0; ¦ ¦ ¦записи цифровых сигналов (например, ¦8520 90 900 0; ¦ ¦ ¦использующие модуль цифровой записи ¦8521 10 300 0; ¦ ¦ ¦высокой плотности), имеющие любую из ¦8521 10 800 0 ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦ ¦ ¦электронный канал или дорожку, при ¦ ¦ ¦ ¦количестве дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по ¦ ¦ ¦ ¦методикам соответствующих руководящих ¦ ¦ ¦ ¦материалов Межведомственного совета по ¦ ¦ ¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или ¦ ¦ ¦ ¦Ассоциации электронной промышленности ¦ ¦ ¦ ¦(ЕIA), менее +/- 0,1 мкс ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ленте, ¦ ¦специально разработанные для гражданского применения, не ¦ ¦рассматриваются как записывающие устройства, использующие ленту ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ¦8521 10; ¦ ¦ ¦ленте, имеющие максимальную пропускную ¦8521 90 000 0 ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса более ¦ ¦ ¦ ¦360 Мбит/с ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются цифровые ¦ ¦видеомагнитофоны на магнитной ленте, специально разработанные для ¦ ¦телевизионной записи, использующие формат сигнала, который может ¦ ¦включать сжатие формата сигнала, стандартизированный или ¦ ¦рекомендуемый для применения в гражданском телевидении Международным¦ ¦союзом электросвязи, Международной электротехнической комиссией, ¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино и телевидения, Европейским ¦ ¦союзом радиовещания, Европейским институтом стандартов по ¦ ¦телекоммуникациям или Институтом инженеров по электротехнике ¦ ¦и радиоэлектронике ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.3. ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 600 0; ¦ ¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, ¦8521 10 ¦ ¦ ¦использующие принципы спирального ¦ ¦ ¦ ¦сканирования или принципы ¦ ¦ ¦ ¦фиксированной головки и имеющие любую ¦ ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную способность ¦ ¦ ¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются устройства записи ¦ ¦данных на магнитной ленте, оснащенные электронными блоками для ¦ ¦преобразования в цифровую запись высокой плотности и предназначенные¦ ¦для записи только цифровых данных ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 0 ¦ ¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная ¦ ¦ ¦ ¦в целях переделки цифровых ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофонов на магнитной ленте ¦ ¦ ¦ ¦для использования их как устройств ¦ ¦ ¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0; ¦ ¦ ¦цифровую форму и записи переходных ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦процессов, имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦ ¦ ¦ ¦форму 200 млн. проб в секунду или ¦ ¦ ¦ ¦более и разрешение 10 бит или более; и ¦ ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность ¦ ¦ ¦ ¦2 Гбит/с или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на параллельной шине непрерывная ¦ ¦пропускная способность есть произведение наибольшего объема слов ¦ ¦на количество бит в слове. Непрерывная пропускная способность - это ¦ ¦наивысшая скорость передачи данных аппаратуры, с которой информация ¦ ¦поступает в запоминающее устройство без потерь при сохранении ¦ ¦скорости выборки и аналого-цифрового преобразования ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.1.6. ¦Устройства записи данных цифровой ¦8471 50; ¦ ¦ ¦аппаратуры, использующие способ ¦8471 60 100 0; ¦ ¦ ¦хранения на магнитном диске, имеющие ¦8471 60 900 0; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8471 70 100 0; ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую ¦8471 70 510 0; ¦ ¦ ¦форму 100 млн. проб в секунду и ¦8471 70 530 0; ¦ ¦ ¦разрешение 8 бит или более; и ¦8520 90 100 0; ¦ ¦ ¦б) непрерывную пропускную способность ¦8520 90 900 0; ¦ ¦ ¦не менее 1 Гбит/с или более; ¦8521 90 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦8522 90 590 0; ¦ ¦ ¦ ¦8522 90 930 0; ¦ ¦ ¦ ¦8522 90 980 0 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.2. ¦Электронные сборки синтезаторов ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦частот, имеющие время переключения ¦ ¦ ¦ ¦частоты менее 1 мс ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.3. ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.3.1. ¦Анализаторы сигналов, анализирующие ¦9030 83 900 0; ¦ ¦ ¦любые сигналы с частотой выше ¦9030 89 920 0 ¦ ¦ ¦31,8 ГГц, но ниже 37,5 ГГц, или ¦ ¦ ¦ ¦превышающие 43,5 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.3.2. ¦Динамические анализаторы сигналов с ¦9030 83 900 0; ¦ ¦ ¦полосой частот в реальном масштабе ¦9030 89 920 0 ¦ ¦ ¦времени, превышающей 500 кГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.3.2 не контролируются динамические ¦ ¦анализаторы сигналов, использующие только фильтры с полосой ¦ ¦пропускания фиксированных долей (известны также как октавные или ¦ ¦дробно-октавные фильтры) ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.4. ¦Генераторы сигналов синтезированных ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦частот, формирующие выходные частоты с ¦ ¦ ¦ ¦управлением по параметрам точности, ¦ ¦ ¦ ¦кратковременной и долговременной ¦ ¦ ¦ ¦стабильности на основе или с помощью ¦ ¦ ¦ ¦внутренней эталонной частоты и имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения с одной ¦ ¦ ¦ ¦выбранной частоты на другую менее ¦ ¦ ¦ ¦1 мс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) фазовый шум одной боковой полосы ¦ ¦ ¦ ¦лучше -(126 + 20 lgF - 20 lgf) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах дБ/Гц, где F - смещение от ¦ ¦ ¦ ¦рабочей частоты в Гц, а f - рабочая ¦ ¦ ¦ ¦частота в МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.1.2.4 не контролируется аппаратура, в ¦ ¦которой выходная частота создается либо путем сложения или вычитания¦ ¦частот с двух или более кварцевых генераторов, либо путем сложения ¦ ¦или вычитания с последующим умножением результирующей частоты ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.5. ¦Схемные анализаторы (панорамные ¦9030 40 900 0 ¦ ¦ ¦измерители полных сопротивлений; ¦ ¦ ¦ ¦измерители амплитуды, фазы и групповой ¦ ¦ ¦ ¦задержки двух сигналов относительно ¦ ¦ ¦ ¦опорного сигнала) с максимальной ¦ ¦ ¦ ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.6. ¦Микроволновые приемники-тестеры, ¦8527 90 980 0 ¦ ¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 43,5 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять ¦ ¦ ¦ ¦амплитуду и фазу ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.1.2.7. ¦Атомные эталоны частоты, имеющие любую ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(старение) меньше (лучше) 1 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦в месяц; или ¦ ¦ ¦ ¦б) пригодные для применения в космосе ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не контролируются ¦ ¦рубидиевые эталоны, непригодные для применения в космосе ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, указанных в подпункте "б" ¦ ¦пункта 3.1.2.7, см. также пункт 3.1.1 раздела 2 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов или материалов и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты и оснастка ¦ ¦ ¦ ¦для них: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.1. ¦Управляемое встроенной программой ¦ ¦ ¦ ¦оборудование для эпитаксиального ¦ ¦ ¦ ¦выращивания: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.1.1. ¦Оборудование, обеспечивающее толщину ¦8479 89 650 0 ¦ ¦ ¦выращиваемого слоя с отклонением менее ¦ ¦ ¦ ¦+/- 2,5% на расстояниях 75 мм или более¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.1.2. ¦Установки (реакторы) для химического ¦8419 89 200 0 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы ¦ ¦ ¦ ¦металлоорганических соединений, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦выращивания кристаллов ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых соединений с ¦ ¦ ¦ ¦использованием материалов, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или ¦ ¦ ¦ ¦3.3.4, в качестве исходных ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте 3.2.1.1.2, см. также ¦ ¦пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.1.3. ¦Оборудование для ¦8479 89 700 0; ¦ ¦ ¦молекулярно-эпитаксиального ¦8543 89 650 0 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием ¦ ¦ ¦ ¦газообразных или твердых источников ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.2. ¦Управляемое встроенной программой ¦8543 11 000 0 ¦ ¦ ¦оборудование, предназначенное для ¦ ¦ ¦ ¦ионной имплантации, имеющее любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее ¦ ¦ ¦ ¦напряжение) более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией ¦ ¦ ¦ ¦пучка (ускоряющим напряжением) менее ¦ ¦ ¦ ¦2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) имеет возможность ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦ ¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового материала ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.3. ¦Управляемое встроенной программой ¦ ¦ ¦ ¦оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦ ¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.3.1. ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦8456 99 800 0 ¦ ¦ ¦загрузкой, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критическим размером 0,3 мкм или менее ¦ ¦ ¦ ¦и погрешностью (3S), равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.3.2. ¦Оборудование, специально ¦8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦спроектированное для систем, ¦8456 99 800 0 ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с критическим¦ ¦ ¦ ¦размером 0,3 мкм или менее и ¦ ¦ ¦ ¦погрешностью (3S), равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ ¦ ¦ ------------------------- ¦ ¦ ¦ ¦ S - греческая буква "сигма" ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.4. ¦Управляемое встроенной программой ¦8419 89 200 0; ¦ ¦ ¦оборудование химического осаждения из ¦8419 89 300 0 ¦ ¦ ¦паровой фазы с применением плазменного ¦ ¦ ¦ ¦разряда, ускоряющего процесс: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.4.1. ¦Оборудование с подачей заготовок из ¦ ¦ ¦ ¦кассеты в кассету и шлюзовой ¦ ¦ ¦ ¦загрузкой, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями производителя ¦ ¦ ¦ ¦или оптимизированное для производства ¦ ¦ ¦ ¦структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦0,3 мкм или менее и погрешностью (3S), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.4.2. ¦Оборудование, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное для систем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями производителя ¦ ¦ ¦ ¦или оптимизированное для производства ¦ ¦ ¦ ¦структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦0,3 мкм или менее и погрешностью (3S), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦чистоты лучше 0,04 частицы на кв.см, ¦ ¦ ¦ ¦при этом измеряемый размер частицы ¦ ¦ ¦ ¦более 0,1 мкм в диаметре ¦ ¦ ¦ ¦ ------------------------- ¦ ¦ ¦ ¦ S - греческая буква "сигма" ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой ¦8456 10; ¦ ¦ ¦автоматически загружаемые ¦8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦многокамерные системы с центральной ¦8456 99 800 0; ¦ ¦ ¦загрузкой полупроводниковых пластин ¦8456 99 300 0; ¦ ¦ ¦(подложек), имеющие все следующие ¦8479 50 000 0 ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки ¦ ¦ ¦ ¦пластин (подложек), к которым ¦ ¦ ¦ ¦присоединяется более двух единиц ¦ ¦ ¦ ¦оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной ¦ ¦ ¦ ¦многопозиционной обработки пластин ¦ ¦ ¦ ¦(подложек) в вакууме ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.2.1.5 не контролируются автоматические ¦ ¦робототехнические системы управления загрузкой пластин (подложек), ¦ ¦не предназначенные для работы в вакууме ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.6. ¦Управляемое встроенной программой ¦ ¦ ¦ ¦оборудование для литографии: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.6.1. ¦Оборудование для обработки пластин с ¦9009 22 000 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией ¦ ¦ ¦ ¦(непосредственно на пластине) или ¦ ¦ ¦ ¦сканированием (сканер), имеющее любое ¦ ¦ ¦ ¦из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны ¦ ¦ ¦ ¦короче 350 нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером ¦ ¦ ¦ ¦элемента 0,35 мкм и менее ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. Минимальный разрешаемый размер элемента ¦ ¦(МРР) рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦МРР = (длина волны источника света в микрометрах) x (К фактор) / ¦ ¦/ (числовая апертура), где К фактор = 0,7 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.6.2. ¦Оборудование, специально разработанное ¦8456 10; ¦ ¦ ¦для изготовления шаблонов или ¦8456 99 ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов с использованием отклоняемого ¦ ¦ ¦ ¦сфокусированного электронного, ионного ¦ ¦ ¦ ¦или лазерного пучка, имеющее любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦размером элементов менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦в) точность совмещения слоев лучше ¦ ¦ ¦ ¦+/- 0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.7. ¦Маски и промежуточные шаблоны, ¦9010 90 ¦ ¦ ¦разработанные для производства ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.1.1 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим ¦9010 90 ¦ ¦ ¦слоем ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.2. ¦Управляемое встроенной программой ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, специально разработанное ¦ ¦ ¦ ¦для испытания готовых или находящихся ¦ ¦ ¦ ¦в разной степени изготовления ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов, и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для этого ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и приспособления: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦транзисторных приборов на частотах ¦ ¦ ¦ ¦выше 31 ГГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.2.2. ¦Для испытания интегральных схем, ¦9030; ¦ ¦ ¦способное выполнять функциональное ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦тестирование (по таблицам истинности) ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦с частотой тестирования строк выше ¦ ¦ ¦ ¦333 МГц ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.2.2.2 не контролируется оборудование, ¦ ¦специально разработанное для испытания: ¦ ¦а) электронных сборок или любого класса электронных сборок бытового ¦ ¦или развлекательного назначения; ¦ ¦б) неконтролируемых электронных компонентов, электронных сборок или ¦ ¦интегральных схем; ¦ ¦в) запоминающих устройств ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Для целей этого пункта частота тестирования определяется как ¦ ¦максимальная частота цифрового режима работы испытательного ¦ ¦устройства. Поэтому она является эквивалентом скорости тестирования,¦ ¦которую может обеспечить указанное устройство во внемультиплексном ¦ ¦режиме. Она может также считаться скоростью испытания, относиться ¦ ¦к максимальной цифровой частоте или к максимальной цифровой скорости¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.2.2.3. ¦Для испытания микроволновых ¦9030; ¦ ¦ ¦интегральных схем, контролируемых по ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 80 390 0 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3. ¦Материалы ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные структуры ¦ ¦ ¦ ¦(материалы), состоящие из подложки с ¦ ¦ ¦ ¦несколькими последовательно ¦ ¦ ¦ ¦наращенными эпитаксиальными слоями ¦ ¦ ¦ ¦любого из следующих материалов: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.1.1. ¦Кремний ¦3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.1.2. ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.1.3. ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.1.4. ¦Соединения III / V на основе галлия или¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦индия ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Соединения III / V - это либо поликристаллические, либо бинарные или¦ ¦многокомпонентные монокристаллические продукты, состоящие из ¦ ¦элементов групп IIIA и VA (по отечественной классификации это ¦ ¦группы А3 и В5) периодической системы Менделеева (например, арсенид ¦ ¦галлия, алюмоарсенид галлия, фосфид индия и тому подобное) ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.2. ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦для полупроводниковой литографии, ¦ ¦ ¦ ¦специально приспособленные ¦ ¦ ¦ ¦(оптимизированные) для использования ¦ ¦ ¦ ¦на длине волны менее 350 нм ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.2.2. ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦электронными или ионными пучками, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм или ¦ ¦ ¦ ¦лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.2.3. ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или ¦ ¦ ¦ ¦лучше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦технологии формирования рисунка, ¦ ¦ ¦ ¦включая силилированные резисты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Технология силилирования - это процесс, включающий окисление ¦ ¦поверхности резиста, для повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦проявления ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.3. ¦Следующие органо-неорганические ¦ ¦ ¦ ¦соединения: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.3.1. ¦Металлоорганические соединения ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦алюминия, галлия или индия с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦металлической основы более 99,999% ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.3.2. ¦Органические соединения мышьяка, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦сурьмы и фосфорорганические соединения ¦ ¦ ¦ ¦с чистотой неорганического элемента ¦ ¦ ¦ ¦более 99,999% ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.3.3 контролируются только соединения, ¦ ¦металлический, частично металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом органической части ¦ ¦молекулы ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, ¦2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦имеющие чистоту более 99,999%, даже ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦будучи растворенными в инертных газах ¦ ¦ ¦ ¦или водороде ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, содержащие ¦ ¦20% и более молей инертных газов или водорода ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения в ¦ ¦ ¦ ¦оборудовании, управляемом встроенной ¦ ¦ ¦ ¦программой и контролируемом по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.4.3. ¦Программное обеспечение систем ¦ ¦ ¦ ¦автоматизированного проектирования ¦ ¦ ¦ ¦(САПР), имеющее все следующие ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ ¦ ¦а) предназначено для разработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначено для выполнения или ¦ ¦ ¦ ¦использования любого из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦реализации правил проектирования или ¦ ¦ ¦ ¦правил проверки схем; ¦ ¦ ¦ ¦моделирования физической топологии ¦ ¦ ¦ ¦схем; или ¦ ¦ ¦ ¦проектного моделирования ¦ ¦ ¦ ¦литографических процессов ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Проектное моделирование литографических процессов - это пакет ¦ ¦программного обеспечения, используемый на этапе проектирования для ¦ ¦определения последовательности операций литографии, травления и ¦ ¦саждения в целях воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦топологические рисунки на проводниках, диэлектриках или ¦ ¦полупроводниках ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. По пункту 3.4.3 не контролируется программное обеспечение, ¦ ¦специально разработанное для ввода описания схемы, моделирования ¦ ¦логической схемы, раскладки и трассировки (проведения соединений ¦ ¦между точками схемы), проверки топологии или ленты-носителя ¦ ¦формирования рисунка. ¦ ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты или сопутствующие данные для ¦ ¦проектирования полупроводниковых приборов или интегральных схем ¦ ¦рассматриваются как технология ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.5. ¦Технология ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.5.1. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к ¦ ¦ ¦ ¦настоящему Перечню для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦материалов, контролируемых по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.5.2. ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к ¦ ¦ ¦ ¦настоящему Перечню другие, чем те, ¦ ¦ ¦ ¦которые контролируются по пункту ¦ ¦ ¦ ¦3.5.1, для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦микросхем микропроцессоров, микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микрокомпьютеров и микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллеров, имеющих совокупную ¦ ¦ ¦ ¦теоретическую производительность (СТП) ¦ ¦ ¦ ¦530 Мтопс (миллионов теоретических ¦ ¦ ¦ ¦операций в секунду) или более и ¦ ¦ ¦ ¦арифметико-логическое устройство с ¦ ¦ ¦ ¦длиной выборки 32 бит или более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пунктам 3.5.1 и 3.5.2 не контролируются технологии ¦ ¦для разработки или производства: ¦ ¦а) микроволновых транзисторов, работающих на частотах ниже 31 ГГц; ¦ ¦б) интегральных схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - ¦ ¦3.1.1.1.11, имеющих оба нижеперечисленных признака ¦ ¦1) использующие технологии с разрешением 0,5 мкм или выше; и ¦ ¦2) не содержащие многослойных структур ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Техническое примечание. ¦ ¦Термин "многослойные структуры", приведенный в подпункте 2 пункта ¦ ¦"б" примечания, не включает приборы, содержащие максимум три ¦ ¦металлических слоя и три слоя поликристаллического кремния ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦3.5.3. ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов;¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких, как ¦ ¦ ¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью ¦ ¦ ¦ ¦электронов, биполярных транзисторов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми ¦ ¦ ¦ ¦ямами или приборов на сверхрешетках; ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных ¦ ¦ ¦ ¦приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек из алмазных пленок для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем, в которых ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриком является диоксид кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦ж) электронных вакуумных ламп, ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах 31 ГГц или выше ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦ Категория 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, ¦ ¦задействованные в телекоммуникациях или локальных вычислительных ¦ ¦сетях, должны быть также проанализированы на соответствие ¦ ¦характеристикам, указанным в части 1 категории 5 (Телекоммуникации).¦ ¦2. Устройства управления, которые непосредственно связывают шины ¦ ¦или каналы центральных процессоров, устройства оперативной памяти ¦ ¦или дисковые контроллеры, не рассматриваются как ¦ ¦телекоммуникационное оборудование, описанное в части 1 категории 5 ¦ ¦(Телекоммуникации). ¦ ¦ Особое примечание. ¦ ¦ Для определения контрольного статуса программного обеспечения, ¦ ¦ специально разработанного для коммутации пакетов, следует применять¦ ¦ пункт 5.4.1. ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и программное обеспечение, ¦ ¦выполняющие функции криптографии, криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦многоуровневой защиты информации или сертифицируемые функции ¦ ¦изоляции пользователей либо ограничивающие электромагнитную ¦ ¦совместимость (ЭМС), должны быть также проанализированы на ¦ ¦соответствие характеристикам, указанным в части 2 категории 5 ¦ ¦(Защита информации) ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.1. ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, а ¦ ¦ ¦ ¦также электронные сборки и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.1.1. ¦Специально разработанные для ¦8471 ¦ ¦ ¦достижения любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные ¦ ¦ ¦ ¦для работы при температуре внешней ¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 228 К (-45 град. С) или выше¦ ¦ ¦ ¦358 К (85 град. С) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не контролируются ЭВМ, ¦ ¦специально созданные для гражданских автомобилей или железнодорожных¦ ¦поездов. ¦ ¦б) радиационно стойкие при превышении любого из следующих ¦ ¦требований: ¦ ¦ 3 5 ¦ ¦общая доза 5 x 10 Гр (Si) [5 x 10 рад]; ¦ ¦ 6 8 ¦ ¦мощность дозы 5 x 10 Гр (Si)/с [5 x 10 рад/с]; ¦ ¦ -7 ¦ ¦сбой от однократного события 10 ошибок/бит/день ¦ +--------------------------------------------------------------------+ ¦Особое примечание. ¦ ¦В отношении систем, оборудования и компонентов, соответствующих ¦ ¦требованиям подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт 4.1.1 ¦ ¦раздела 2 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.1.2. ¦Имеющие характеристики или функции ¦8471 ¦ ¦ ¦производительности, превосходящие ¦ ¦ ¦ ¦пределы, указанные в части 2 категории ¦ ¦ ¦ ¦5 (Защита информации) ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 4.1.1.2 не контролируются ЭВМ и относящееся к ¦ ¦ним оборудование, когда они вывозятся пользователями для своего ¦ ¦индивидуального использования ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.2. ¦Гибридные ЭВМ, электронные сборки и ¦8471 10 ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты, имеющие в своем составе: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровые ЭВМ, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 4.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦обладающие всеми следующими ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками: ¦ ¦ ¦ ¦32 каналами или более; и ¦ ¦ ¦ ¦разрешающей способностью 14 бит (плюс ¦ ¦ ¦ ¦знаковый разряд) или более со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью 200000 преобразований/с или ¦ ¦ ¦ ¦более ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3. ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты: ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3.1. ¦Спроектированные или модифицированные ¦8471 ¦ ¦ ¦для обеспечения отказоустойчивости ¦(кроме 8471 10)¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. Применительно к пункту 4.1.3.1 цифровые ЭВМ и ¦ ¦сопутствующее оборудование не считаются спроектированными или ¦ ¦модифицированными для обеспечения отказоустойчивости, если в них ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ошибок, хранимые в ¦ ¦оперативной памяти; ¦ ¦б) соединение двух цифровых вычислительных машин такое, что если ¦ ¦происходит отказ активного центрального процессора, то холостой ¦ ¦зеркальный центральный процессор может продолжить функционирование ¦ ¦системы; ¦ ¦в) соединение двух центральных процессоров посредством каналов ¦ ¦передачи данных или с применением разделяемой памяти, для того чтобы¦ ¦обеспечить одному центральному процессору возможность выполнять ¦ ¦некоторую работу, пока не откажет другой центральный процессор; ¦ ¦тогда первый центральный процессор принимает его работу на себя, ¦ ¦чтобы продолжить функционирование системы; или ¦ ¦г) синхронизация двух центральных процессоров, объединенных ¦ ¦посредством программного обеспечения так, что один центральный ¦ ¦процессор распознает, когда отказывает другой центральный ¦ ¦процессор, и восстанавливает задачи, выполнявшиеся отказавшим ¦ ¦процессором ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3.2. ¦Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную ¦8471 ¦ ¦ ¦теоретическую производительность ¦(кроме 8471 10)¦ ¦ ¦(СТП), превышающую 190000 Мтопс ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3.3. ¦Электронные сборки, специально ¦8471 ¦ ¦ ¦разработанные или модифицированные для ¦(кроме 8471 10)¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения вычислительных элементов ¦ ¦ ¦ ¦таким образом, чтобы совокупная ¦ ¦ ¦ ¦теоретическая производительность ¦ ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечания: ¦ ¦1. Пункт 4.1.3.3 распространяется только на электронные сборки и ¦ ¦программируемые взаимосвязи, не превышающие пределы, указанные в ¦ ¦пункте 4.1.3.2, при поставке в виде необъединенных электронных ¦ ¦сборок. Он не применим к электронным сборкам, конструкция которых ¦ ¦пригодна только для использования в качестве сопутствующего ¦ ¦оборудования, контролируемого по пункту 4.1.3.4. ¦ ¦2. По пункту 4.1.3.3 не контролируются электронные сборки, ¦ ¦специально разработанные для продукции или целого семейства ¦ ¦продукции, максимальная конфигурация которых не превышает пределы, ¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2 ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3.4. ¦Оборудование, выполняющее ¦8543 90 200 0; ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразования, ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦превосходящее пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.5 ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦4.1.3.5. ¦Аппаратура, специально разработанная ¦8471 90 000 0; ¦ ¦ ¦для обеспечения внешних соединений ¦8517 50 ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, которые в коммуникациях ¦ ¦ ¦ ¦имеют скорость передачи данных, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1,25 Гбайт/с ¦ ¦ +------------+---------------------------------------+---------------+ ¦Примечание. По пункту 4.1.3.5 не контролируется оборудование ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
