|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Министерства иностранных дел Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 15.08.2002 № 8/73 "Об утверждении перечней специфических товаров (работ, услуг)"Документ утратил силу
< Главная страницаСтр. 13Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) подзаряжаемые элементы и батареи ¦ ¦ ¦ ¦с плотностью энергии свыше ¦ ¦ ¦ ¦150 Вт ч/кг после 75 циклов ¦ ¦ ¦ ¦заряда-разряда при токе разряда, ¦ ¦ ¦ ¦равном С/5 ч (С - номинальная ¦ ¦ ¦ ¦емкость в ампер-часах), при работе в ¦ ¦ ¦ ¦диапазоне температур от 253 K ¦ ¦ ¦ ¦(-20 град. C) и ниже до 333 K ¦ ¦ ¦ ¦(60 град. C) и выше; ¦ ¦ ¦ ¦в) батареи, по техническим условиям ¦ ¦ ¦ ¦годные для применения в космосе, и ¦ ¦ ¦ ¦радиационно стойкие батареи на ¦ ¦ ¦ ¦фотоэлектрических элементах с ¦ ¦ ¦ ¦удельной мощностью свыше 160 Вт/кв.м ¦ ¦ ¦ ¦при рабочей температуре 301 K ¦ ¦ ¦ ¦(28 град. C) и вольфрамовом ¦ ¦ ¦ ¦источнике, нагретом до 2800 K ¦ ¦ ¦ ¦(2527 град. C) и создающем ¦ ¦ ¦ ¦энергетическую освещенность ¦ ¦ ¦ ¦1 кВт/кв.м ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются батареи объемом ¦ ¦ ¦ ¦27 куб.см и меньше (например, ¦ ¦ ¦ ¦стандартные угольные элементы или ¦ ¦ ¦ ¦батареи типа R14); ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5.2. ¦Накопители большой энергии, ¦8506; ¦ ¦ ¦такие, как: ¦8507; ¦ ¦ ¦а) накопители с частотой повторения ¦8532 ¦ ¦ ¦менее 10 Гц (одноразовые ¦ ¦ ¦ ¦накопители), имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦1) номинальное напряжение 5 кВ или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ ¦ ¦2) плотность энергии 250 Дж/кг или ¦ ¦ ¦ ¦более; и ¦ ¦ ¦ ¦3) общую энергию 25 кДж или более; ¦ ¦ ¦ ¦б) накопители с частотой повторения ¦ ¦ ¦ ¦10 Гц и более (многоразовые ¦ ¦ ¦ ¦накопители), имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦1) номинальное напряжение не менее ¦ ¦ ¦ ¦5 кВ; ¦ ¦ ¦ ¦2) плотность энергии не менее ¦ ¦ ¦ ¦50 Дж/кг; ¦ ¦ ¦ ¦3) общую энергию не менее 100 Дж; и ¦ ¦ ¦ ¦4) количество циклов заряда-разряда ¦ ¦ ¦ ¦не менее 10000; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.5.3. ¦Сверхпроводящие электромагниты и ¦8505 19 900 0 ¦ ¦ ¦соленоиды, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные на полный заряд или ¦ ¦ ¦ ¦разряд менее чем за одну секунду, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие все нижеперечисленные ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 10 кДж за первую ¦ ¦ ¦ ¦секунду; ¦ ¦ ¦ ¦б) внутренний диаметр токопроводящих ¦ ¦ ¦ ¦обмоток более 250 мм; и ¦ ¦ ¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию ¦ ¦ ¦ ¦свыше 8 Т или суммарную плотность ¦ ¦ ¦ ¦тока в обмотке больше 300 А/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются сверхпроводящие ¦ ¦ ¦ ¦электромагниты или соленоиды, ¦ ¦ ¦ ¦специально спроектированные для ¦ ¦ ¦ ¦медицинской аппаратуры ¦ ¦ ¦ ¦магниторезонансной томографии ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.1.6. ¦Вращающиеся преобразователи ¦9031 80 340 0 ¦ ¦ ¦абсолютного углового положения вала ¦ ¦ ¦ ¦в код, имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от ¦ ¦ ¦ ¦полного диапазона (18 бит); или ¦ ¦ ¦ ¦б) точность лучше +/- 2,5 угл.с ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2. ¦Нижеперечисленная электронная ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура общего назначения: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1. ¦Записывающая аппаратура и ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанная ¦ ¦ ¦ ¦измерительная магнитная лента ¦ ¦ ¦ ¦для нее, такие, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.1. ¦Накопители на магнитной ленте для ¦8520 39 900 0; ¦ ¦ ¦аналоговой аппаратуры, включая ¦8520 90 900 0; ¦ ¦ ¦аппаратуру с возможностью записи ¦8521 10 300 0; ¦ ¦ ¦цифровых сигналов (например, ¦8521 10 800 0 ¦ ¦ ¦использующие модуль цифровой записи ¦ ¦ ¦ ¦высокой плотности), имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц ¦ ¦ ¦ ¦на электронный канал или дорожку; ¦ ¦ ¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц ¦ ¦ ¦ ¦на электронный канал или дорожку, ¦ ¦ ¦ ¦при числе дорожек более 42; или ¦ ¦ ¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦ ¦ ¦временной шкалы, измеренную по ¦ ¦ ¦ ¦методикам соответствующих ¦ ¦ ¦ ¦руководящих материалов ¦ ¦ ¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦ ¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или ¦ ¦ ¦ ¦Ассоциации электронной промышленности¦ ¦ ¦ ¦(EIA), менее +/- 0,1 мкс ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданского применения, не ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваются как записывающая ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.2. ¦Цифровые видеомагнитофоны, ¦8521 10; ¦ ¦ ¦имеющие максимальную пропускную ¦8521 90 000 0 ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦ ¦ ¦свыше 360 Мбит/с; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.1.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются цифровые ¦ ¦ ¦ ¦видеомагнитофоны, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированные для телевизионной ¦ ¦ ¦ ¦записи, использующие формат сигнала, ¦ ¦ ¦ ¦который может включать сжатие ¦ ¦ ¦ ¦формата сигнала, стандартизированный ¦ ¦ ¦ ¦или рекомендуемый для применения ¦ ¦ ¦ ¦в гражданском телевидении ¦ ¦ ¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦ ¦ ¦Международной электротехнической ¦ ¦ ¦ ¦комиссией, Организацией инженеров по ¦ ¦ ¦ ¦развитию кино и телевидения, ¦ ¦ ¦ ¦Европейским союзом радиовещания или ¦ ¦ ¦ ¦Институтом инженеров по ¦ ¦ ¦ ¦электротехнике и радиоэлектронике; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.3. ¦Накопители на магнитной ленте для ¦8521 10 ¦ ¦ ¦цифровой аппаратуры, использующие ¦ ¦ ¦ ¦принципы спирального сканирования ¦ ¦ ¦ ¦или принципы фиксированной головки и ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную пропускную ¦ ¦ ¦ ¦способность цифрового интерфейса ¦ ¦ ¦ ¦более 175 Мбит/с; или ¦ ¦ ¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.1.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются аналоговые накопители ¦ ¦ ¦ ¦на магнитной ленте, оснащенные ¦ ¦ ¦ ¦электронными блоками для ¦ ¦ ¦ ¦преобразования в цифровую запись ¦ ¦ ¦ ¦высокой плотности и предназначенные ¦ ¦ ¦ ¦для записи только цифровых данных; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.4. ¦Аппаратура с максимальной ¦8521 90 000 0 ¦ ¦ ¦пропускной способностью цифрового ¦ ¦ ¦ ¦интерфейса свыше 175 Мбит/с, ¦ ¦ ¦ ¦спроектированная в целях переделки ¦ ¦ ¦ ¦цифровых видеомагнитофонов для ¦ ¦ ¦ ¦использования их как устройств ¦ ¦ ¦ ¦записи данных цифровой аппаратуры; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.1.5. ¦Приборы для преобразования ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦сигналов в цифровую форму и записи ¦ ¦ ¦ ¦переходных процессов, имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) скорость преобразования в ¦ ¦ ¦ ¦цифровую форму не менее 200 млн.проб ¦ ¦ ¦ ¦в секунду и разрешение 10 или более ¦ ¦ ¦ ¦проб в секунду; и ¦ ¦ ¦ ¦б) пропускную способность не менее ¦ ¦ ¦ ¦2 Гбит/с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦ ¦ ¦параллельной шине пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность есть произведение ¦ ¦ ¦ ¦наибольшего объема слов на ¦ ¦ ¦ ¦количество бит в слове. Пропускная ¦ ¦ ¦ ¦способность - это наивысшая скорость ¦ ¦ ¦ ¦передачи данных аппаратуры, с ¦ ¦ ¦ ¦которой информация поступает в ¦ ¦ ¦ ¦запоминающее устройство без потерь ¦ ¦ ¦ ¦при сохранении скорости выборки и ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифрового преобразования; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.2. ¦Электронные сборки синтезаторов ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦частоты, имеющие время переключения ¦ ¦ ¦ ¦с одной заданной частоты на ¦ ¦ ¦ ¦другую менее 1 мс; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.3. ¦Анализаторы сигналов: ¦9030 83 900 0; ¦ ¦ ¦а) способные анализировать частоты, ¦9030 89 920 0 ¦ ¦ ¦превышающие 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) динамические анализаторы сигналов ¦ ¦ ¦ ¦с полосой пропускания в реальном ¦ ¦ ¦ ¦времени, превышающей 500 кГц; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.1.2.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются динамические ¦ ¦ ¦ ¦анализаторы сигналов, использующие ¦ ¦ ¦ ¦только фильтры с полосой пропускания ¦ ¦ ¦ ¦фиксированных долей (известны также ¦ ¦ ¦ ¦как октавные или дробно-октавные ¦ ¦ ¦ ¦фильтры) ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.4. ¦Генераторы сигналов ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦синтезированных частот, формирующие ¦ ¦ ¦ ¦выходные частоты с управлением по ¦ ¦ ¦ ¦параметрам точности, кратковременной ¦ ¦ ¦ ¦и долговременной стабильности ¦ ¦ ¦ ¦на основе или с помощью внутренней ¦ ¦ ¦ ¦эталонной частоты, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную синтезируемую ¦ ¦ ¦ ¦частоту более 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения с одной ¦ ¦ ¦ ¦заданной частоты на другую менее ¦ ¦ ¦ ¦1 мс; или ¦ ¦ ¦ ¦в) фазовый шум одной боковой полосы ¦ ¦ ¦ ¦лучше -(126 + 20lgF - 20lgf) в ¦ ¦ ¦ ¦единицах дБ x с/Гц, где F - смещение ¦ ¦ ¦ ¦рабочей частоты в Гц, а f - рабочая ¦ ¦ ¦ ¦частота в МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.4 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура, в которой выходная ¦ ¦ ¦ ¦частота создается либо путем ¦ ¦ ¦ ¦сложения или вычитания частот с двух ¦ ¦ ¦ ¦или более кварцевых генераторов, ¦ ¦ ¦ ¦либо путем сложения или вычитания с ¦ ¦ ¦ ¦последующим умножением ¦ ¦ ¦ ¦результирующей частоты; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.5. ¦Сетевые анализаторы с ¦9030 40 900 0 ¦ ¦ ¦максимальной рабочей частотой, ¦ ¦ ¦ ¦превышающей 40 ГГц; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.6. ¦Микроволновые приемники-тестеры, ¦8527 90 980 0 ¦ ¦ ¦имеющие все следующие ¦ ¦ ¦ ¦характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, ¦ ¦ ¦ ¦превышающую 40 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять ¦ ¦ ¦ ¦амплитуду и фазу; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.1.2.7. ¦Атомные эталоны частоты, имеющие ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦(старение) менее (лучше) 10 в ¦ ¦ ¦ ¦месяц; или ¦ ¦ ¦ ¦б) годные для применения в космосе ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "а" пункта 3.1.2.7 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются рубидиевые стандарты, ¦ ¦ ¦ ¦не предназначенные для космического ¦ ¦ ¦ ¦применения ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1. ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов или материалов и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные компоненты и ¦ ¦ ¦ ¦оснастка для них: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1. ¦Установки, управляемые встроенной ¦ ¦ ¦ ¦программой, предназначенные для ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.1. ¦Установки, способные выдерживать ¦8479 89 650 0 ¦ ¦ ¦толщину слоя с отклонением не более ¦ ¦ ¦ ¦+/- 2,5% на протяжении 75 мм или ¦ ¦ ¦ ¦более; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.2. ¦Установки химического осаждения ¦8419 89 200 0 ¦ ¦ ¦паров металлорганических соединений, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦выращивания кристаллов сложных ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников с помощью химических ¦ ¦ ¦ ¦реакций между материалами, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.3.3 или ¦ ¦ ¦ ¦3.3.4; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.1.3. ¦Молекулярно-лучевые установки ¦8479 89 650 0; ¦ ¦ ¦эпитаксиального выращивания, ¦8543 89 700 0 ¦ ¦ ¦использующие газовые или твердые ¦ ¦ ¦ ¦источники ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.2. ¦Установки, управляемые встроенной ¦8543 11 000 0 ¦ ¦ ¦программой, специально ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для ионной ¦ ¦ ¦ ¦имплантации, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию излучения (ускоряющее ¦ ¦ ¦ ¦напряжение) свыше 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦и оптимизированные для работы с ¦ ¦ ¦ ¦энергией излучения (ускоряющим ¦ ¦ ¦ ¦напряжением) ниже 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) обладающие способностью ¦ ¦ ¦ ¦непосредственной записи; или ¦ ¦ ¦ ¦г) пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации ¦ ¦ ¦ ¦кислорода в нагретую подложку ¦ ¦ ¦ ¦полупроводникового материала; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.3. ¦Установки сухого травления ¦8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦анизотропной плазмой, управляемые ¦8456 99 800 0 ¦ ¦ ¦встроенной программой: ¦ ¦ ¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин ¦ ¦ ¦ ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные или ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированные для производства ¦ ¦ ¦ ¦структур с критической величиной ¦ ¦ ¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦ ¦ ¦ ¦при среднеквадратичной погрешности ¦ ¦ ¦ ¦3s= +/- 5%; или ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦------------------------ ¦ ¦s - греческая буква "сигма". ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦ ¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦для оборудования, контролируемого по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.2.1.5, и имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные или ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированные для производства ¦ ¦ ¦ ¦структур с критической величиной ¦ ¦ ¦ ¦отклонения размера 0,3 мкм или менее ¦ ¦ ¦ ¦при среднеквадратичной погрешности ¦ ¦ ¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦------------------------ ¦ ¦s - греческая буква "сигма". ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦ ¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.4. ¦Установки химического парофазового ¦8419 89 200 0; ¦ ¦ ¦осаждения и плазменной стимуляции, ¦8419 89 300 0 ¦ ¦ ¦управляемые встроенной программой: ¦ ¦ ¦ ¦а) с покассетной обработкой пластин ¦ ¦ ¦ ¦и загрузкой через загрузочные шлюзы, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированные ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критической величиной отклонения ¦ ¦ ¦ ¦размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦ ¦ ¦среднеквадратичной погрешности ¦ ¦ ¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦------------------------ ¦ ¦s - греческая буква "сигма". ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦ ¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦для оборудования, контролируемого по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 3.2.1.5, имеющие любую из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦1) разработанные в соответствии с ¦ ¦ ¦ ¦техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированные ¦ ¦ ¦ ¦для производства структур с ¦ ¦ ¦ ¦критической величиной отклонения ¦ ¦ ¦ ¦размера 0,3 мкм или менее при ¦ ¦ ¦ ¦среднеквадратичной погрешности ¦ ¦ ¦ ¦3s = +/- 5%; или ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦------------------------ ¦ ¦s - греческая буква "сигма". ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦2) разработанные для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦дефектности поверхности менее 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦частицы на кв.см для частиц ¦ ¦ ¦ ¦размером более 0,1 мкм в диаметре; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.5. ¦Управляемые встроенной программой ¦8456 10; ¦ ¦ ¦автоматически загружаемые ¦8456 91 000 0; ¦ ¦ ¦многокамерные системы с центральной ¦8456 99 800 0; ¦ ¦ ¦загрузкой пластин, имеющие все ¦8456 99 300 0; ¦ ¦ ¦следующие составляющие: ¦8479 50 000 0 ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и ¦ ¦ ¦ ¦выгрузки пластин, к которым ¦ ¦ ¦ ¦присоединяется более двух единиц ¦ ¦ ¦ ¦оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для ¦ ¦ ¦ ¦интегрированной системы ¦ ¦ ¦ ¦последовательной многопозиционной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин в вакуумной среде ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦автоматические робототехнические ¦ ¦ ¦ ¦системы загрузки пластин, не ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.6. ¦Установки литографии, управляемые ¦ ¦ ¦ ¦встроенной программой, такие, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.6.1. ¦Установки многократного совмещения ¦9009 22 000 0 ¦ ¦ ¦и экспонирования (прямого ¦ ¦ ¦ ¦последовательного шагового ¦ ¦ ¦ ¦экспонирования) или шагового ¦ ¦ ¦ ¦сканирования (сканеры) для обработки ¦ ¦ ¦ ¦пластин методом фотооптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии, имеющие ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны ¦ ¦ ¦ ¦короче 350 нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) способность воспроизводить ¦ ¦ ¦ ¦рисунок с минимальным размером ¦ ¦ ¦ ¦разрешения от 0,5 мкм и менее ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный размер разрешения (МРР) ¦ ¦ ¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ (экспозиция источника ¦ ¦ ¦ ¦ освещения с длиной волны в ¦ ¦ ¦ ¦ мкм) x (К фактор) ¦ ¦ ¦ ¦МРР = ----------------------------, ¦ ¦ ¦ ¦ цифровая апертура ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦где К фактор = 0,7; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.6.2. ¦Установки, специально ¦8456 10; ¦ ¦ ¦спроектированные для производства ¦8456 99 ¦ ¦ ¦шаблонов или обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с ¦ ¦ ¦ ¦использованием отклоняемого ¦ ¦ ¦ ¦фокусируемого электронного луча, ¦ ¦ ¦ ¦пучка ионов или лазерного луча, ¦ ¦ ¦ ¦имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) размер пятна менее 0,2 мкм; ¦ ¦ ¦ ¦б) способность производить рисунок ¦ ¦ ¦ ¦с минимальными разрешенными ¦ ¦ ¦ ¦проектными нормами менее 1 мкм; или ¦ ¦ ¦ ¦в) точность совмещения лучше ¦ ¦ ¦ ¦+/- 0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.7. ¦Шаблоны или промежуточные ¦ ¦ ¦ ¦фотошаблоны, разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.1.8. ¦Многослойные шаблоны с ¦9010 90 ¦ ¦ ¦фазосдвигающим слоем ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.2. ¦Аппаратура испытаний, управляемая ¦ ¦ ¦ ¦встроенной программой, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированная для испытания ¦ ¦ ¦ ¦готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов, ¦ ¦ ¦ ¦и специально спроектированные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и приспособления для нее: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.2.1. ¦Для измерения S-параметров ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦транзисторных приборов на частотах ¦ ¦ ¦ ¦свыше 31 ГГц; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.2.2. ¦Для испытаний интегральных схем, ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦способная выполнять функциональное ¦ ¦ ¦ ¦тестирование (по таблицам ¦ ¦ ¦ ¦истинности) с частотой тестирования ¦ ¦ ¦ ¦строк более 333 МГц ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.2.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется аппаратура ¦ ¦ ¦ ¦испытаний, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированная для испытаний: ¦ ¦ ¦ ¦а) электронных сборок или класса ¦ ¦ ¦ ¦электронных сборок для бытовой или ¦ ¦ ¦ ¦игровой электронной аппаратуры; ¦ ¦ ¦ ¦б) неконтролируемых электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, электронных сборок или ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем; ¦ ¦ ¦ ¦в) запоминающих устройств ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей этого пункта оценочной ¦ ¦ ¦ ¦характеристикой является ¦ ¦ ¦ ¦максимальная частота цифрового ¦ ¦ ¦ ¦режима работы тестера, поэтому она ¦ ¦ ¦ ¦является эквивалентом наивысшему ¦ ¦ ¦ ¦значению оценки, которое может ¦ ¦ ¦ ¦обеспечить тестер во ¦ ¦ ¦ ¦внемультиплексном режиме. Она также ¦ ¦ ¦ ¦относится к скорости испытания, ¦ ¦ ¦ ¦максимальной цифровой частоте или к ¦ ¦ ¦ ¦максимальной цифровой скорости; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.2.3. ¦Для испытания микроволновых ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦интегральных схем, контролируемых ¦9031 80 390 0 ¦ ¦ ¦по пункту 3.1.1.2.2; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.2.2.4. ¦Исключен ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3. ¦Материалы ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.1. ¦Гетероэпитаксиальные материалы, ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальными слоями, имеющими ¦ ¦ ¦ ¦любую из следующих составляющих: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.1.1. ¦Кремний; ¦3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.1.2. ¦Германий; ¦3818 00 900 0 ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.1.3. ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.1.4. ¦Соединения III/V на основе ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия или индия ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Соединения III/V - это ¦ ¦ ¦ ¦поликристаллические или ¦ ¦ ¦ ¦двухэлементные или сложные ¦ ¦ ¦ ¦монокристаллические продукты, ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из элементов групп IIIA и ¦ ¦ ¦ ¦VA периодической системы Менделеева ¦ ¦ ¦ ¦(по отечественной классификации это ¦ ¦ ¦ ¦группы A3 и B5) (арсенид галлия, ¦ ¦ ¦ ¦алюмоарсенид галлия, фосфид индия и ¦ ¦ ¦ ¦т.п.) ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.2. ¦Материалы резистов и подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.2.1. ¦Позитивные резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦для полупроводниковой литографии, ¦ ¦ ¦ ¦специально приспособленные ¦ ¦ ¦ ¦(оптимизированные) для использования ¦ ¦ ¦ ¦на спектральную чувствительность ¦ ¦ ¦ ¦менее 350 нм; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.2.2. ¦Все резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦для использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦электронными или ионными пучками, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 0,01 мкКл/кв.мм ¦ ¦ ¦ ¦или лучше; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.2.3. ¦Все резисты, предназначенные ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦для использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с ¦ ¦ ¦ ¦чувствительностью 2,5 мДж/кв.мм или ¦ ¦ ¦ ¦лучше; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.2.4. ¦Все резисты, оптимизированные под ¦3824 90 990 0 ¦ ¦ ¦технологии формирования рисунка, ¦ ¦ ¦ ¦включая силицированные резисты ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Методы силицирования - это процессы, ¦ ¦ ¦ ¦включающие оксидирование поверхности ¦ ¦ ¦ ¦резиста, для повышения качества ¦ ¦ ¦ ¦мокрого и сухого проявления ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.3. ¦Органо-неорганические компаунды, ¦ ¦ ¦ ¦такие, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.3.1. ¦Органо-металлические соединения на ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦основе алюминия, галлия или индия с ¦ ¦ ¦ ¦чистотой металлической основы ¦ ¦ ¦ ¦свыше 99,999%; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.3.2. ¦Органо-мышьяковистые, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦органо-сурьмянистые и ¦ ¦ ¦ ¦органо-фосфорные соединения ¦ ¦ ¦ ¦с чистотой органической элементной ¦ ¦ ¦ ¦основы свыше 99,999% ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются ¦ ¦ ¦ ¦только соединения, чей ¦ ¦ ¦ ¦металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический ¦ ¦ ¦ ¦элемент непосредственно связан с ¦ ¦ ¦ ¦углеродом в органической части ¦ ¦ ¦ ¦молекулы ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.3.4. ¦Гидриды фосфора, мышьяка или ¦2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦сурьмы, имеющие чистоту свыше ¦из ¦ ¦ ¦99,999% даже после растворения в ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦инертных газах или водороде ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦гидриды, содержащие 20% и более ¦ ¦ ¦ ¦молей инертных газов или водорода ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦созданное для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦созданное для применения в ¦ ¦ ¦ ¦оборудовании, управляемом встроенной ¦ ¦ ¦ ¦программой и контролируемом ¦ ¦ ¦ ¦по пункту 3.2 ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4.3. ¦Программное обеспечение систем ¦ ¦ ¦ ¦автоматизированного проектирования ¦ ¦ ¦ ¦(САПР),имеющее все следующие ¦ ¦ ¦ ¦составляющие: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4.3.1. ¦Спроектировано для разработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем; и ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.4.3.2. ¦Спроектировано для выполнения или ¦ ¦ ¦ ¦использования любой из следующих ¦ ¦ ¦ ¦составляющих: ¦ ¦ ¦ ¦а) правил проектирования или правил ¦ ¦ ¦ ¦проверки схем; ¦ ¦ ¦ ¦б) моделирования схем по их ¦ ¦ ¦ ¦физической топологии; или ¦ ¦ ¦ ¦в) имитаторов литографических ¦ ¦ ¦ ¦процессов для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Имитатор литографических процессов - ¦ ¦ ¦ ¦это пакет программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦используемый на этапе проектирования ¦ ¦ ¦ ¦для определения последовательности ¦ ¦ ¦ ¦операций литографии, травления и ¦ ¦ ¦ ¦осаждения в целях воплощения ¦ ¦ ¦ ¦маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топологические рисунки проводников, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриков или полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.4.3 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦созданное для описания ¦ ¦ ¦ ¦принципиальных схем, логического ¦ ¦ ¦ ¦моделирования, раскладки и ¦ ¦ ¦ ¦маршрутизации (трассировки), ¦ ¦ ¦ ¦проверки топологии или размножения ¦ ¦ ¦ ¦шаблонов. ¦ ¦ ¦ ¦2. Библиотеки, проектные атрибуты ¦ ¦ ¦ ¦или сопутствующие данные для ¦ ¦ ¦ ¦проектирования полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов или интегральных схем ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваются как технология ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.5. ¦Технология ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.5.1. ¦Технологии, в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства оборудования ¦ ¦ ¦ ¦или материалов, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.5.1 и пункту 3.5.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются технологии ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) микроволновых транзисторов, ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах ниже 31 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.12, имеющих оба ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленных признака: ¦ ¦ ¦ ¦1) использующие проектные нормы ¦ ¦ ¦ ¦0,7 мкм или выше; и ¦ ¦ ¦ ¦2) не содержащие многослойных ¦ ¦ ¦ ¦структур ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Термин "многослойные структуры" в ¦ ¦ ¦ ¦подпункте 2 пункта "б" примечания не ¦ ¦ ¦ ¦включает приборы, содержащие ¦ ¦ ¦ ¦максимум два металлических слоя и ¦ ¦ ¦ ¦два слоя поликремния ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.5.2. ¦Технологии, соответствующие ¦ ¦ ¦ ¦общему технологическому примечанию, ¦ ¦ ¦ ¦другие, чем те, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, ¦ ¦ ¦ ¦для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессорных микросхем, ¦ ¦ ¦ ¦микрокомпьютерных микросхем ¦ ¦ ¦ ¦и микросхем микроконтроллеров, ¦ ¦ ¦ ¦имеющих совокупную теоретическую ¦ ¦ ¦ ¦производительность (СТП) 530 Мтопс ¦ ¦ ¦ ¦или более и арифметико-логическое ¦ ¦ ¦ ¦устройство с длиной выборки 32 бита ¦ ¦ ¦ ¦или более ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦3.5.3. ¦Прочие технологии для разработки ¦ ¦ ¦ ¦или производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных ¦ ¦ ¦ ¦приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких, как ¦ ¦ ¦ ¦транзисторы с высокой подвижностью ¦ ¦ ¦ ¦электронов, биполярных транзисторов ¦ ¦ ¦ ¦на гетероструктуре, приборов с ¦ ¦ ¦ ¦квантовыми ямами или приборов на ¦ ¦ ¦ ¦сверхрешетках; ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных ¦ ¦ ¦ ¦приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек пленок алмаза для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния ¦ ¦ ¦ ¦на диэлектрике (КНД - структур) для ¦ ¦ ¦ ¦интегральных схем с диэлектриком из ¦ ¦ ¦ ¦двуокиси кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния ¦ ¦ ¦ ¦для электронных компонентов ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦Категория 4. Вычислительная техника ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование ¦ ¦ ¦ ¦или программное обеспечение, ¦ ¦ ¦ ¦задействованные в телекоммуникациях ¦ ¦ ¦ ¦или локальных вычислительных сетях, ¦ ¦ ¦ ¦должны быть также проанализированы ¦ ¦ ¦ ¦на соответствие характеристикам, ¦ ¦ ¦ ¦указанным в части 1 Категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦(Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦2. Устройства управления, которые ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связывают шины или ¦ ¦ ¦ ¦каналы центральных процессоров, ¦ ¦ ¦ ¦оперативную память или контроллеры ¦ ¦ ¦ ¦накопителей на магнитных дисках, не ¦ ¦ ¦ ¦входят в понятие ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационной аппаратуры, ¦ ¦ ¦ ¦рассматриваемой в части 1 ¦ ¦ ¦ ¦Категории 5 (Телекоммуникации); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, которое ¦ ¦ ¦ ¦специально создано для коммутации ¦ ¦ ¦ ¦пакетов, следует использовать пункт ¦ ¦ ¦ ¦5.4.1 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование ¦ ¦ ¦ ¦или программное обеспечение, ¦ ¦ ¦ ¦выполняющие функции криптографии, ¦ ¦ ¦ ¦криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦ ¦ ¦многоуровневой защиты информации ¦ ¦ ¦ ¦или сертифицируемые функции ¦ ¦ ¦ ¦изоляции пользователей либо ¦ ¦ ¦ ¦ограничивающие электромагнитную ¦ ¦ ¦ ¦совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦ ¦ ¦быть также проанализированы ¦ ¦ ¦ ¦на соответствие характеристикам, ¦ ¦ ¦ ¦указанным в части 2 Категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦(Защита информации) ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1. ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.1. ¦Нижеперечисленные ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.1.1. ¦Специально созданные для достижения ¦8471 ¦ ¦ ¦любой из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные ¦ ¦ ¦ ¦для работы при температуре внешней ¦ ¦ ¦ ¦среды ниже 228 K (-45 град. C) или ¦ ¦ ¦ ¦выше 358 K (85 град. C) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются ЭВМ, специально ¦ ¦ ¦ ¦созданные для гражданских ¦ ¦ ¦ ¦автомобилей или железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) радиационно стойкие, превышающие ¦ ¦ ¦ ¦любое из следующих требований: ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦1) поглощенная доза 5 x 10 Гр ¦ ¦ ¦ ¦ 5 ¦ ¦ ¦ ¦(кремний) [5 x 10 рад (кремний)]; ¦ ¦ ¦ ¦ 6 ¦ ¦ ¦ ¦2) мощность дозы на сбой 5 x 10 Гр/с¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦(кремний) [5 x 10 рад (кремний)]/с; ¦ ¦ ¦ ¦или ¦ ¦ ¦ ¦3) сбой от высокоэнергетической ¦ ¦ ¦ ¦ -7 ¦ ¦ ¦ ¦частицы 10 ошибок/бит/день; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.1.2. ¦Имеющие характеристики или ¦8471 ¦ ¦ ¦функциональные особенности, ¦ ¦ ¦ ¦превосходящие пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦части 2 Категории 5 (Защита ¦ ¦ ¦ ¦информации) ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.1.1.2 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦цифровые персональные ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦относящееся к ним оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦когда они вывозятся пользователями ¦ ¦ ¦ ¦для своего индивидуального ¦ ¦ ¦ ¦использования ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.2. ¦Гибридные ЭВМ, электронные ¦8471 10 ¦ ¦ ¦сборки и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для них компоненты: ¦ ¦ ¦ ¦а) имеющие в своем составе цифровые ¦ ¦ ¦ ¦ЭВМ, которые контролируются по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющие в своем составе ¦ ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразователи, ¦ ¦ ¦ ¦обладающие всеми следующими ¦ ¦ ¦ ¦характеристиками: ¦ ¦ ¦ ¦1) 32 каналами или более; и ¦ ¦ ¦ ¦2) разрешающей способностью 14 бит ¦ ¦ ¦ ¦(плюс знаковый разряд) или выше со ¦ ¦ ¦ ¦скоростью 200000 преобразований/с ¦ ¦ ¦ ¦или выше ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3. ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты, такие, как: ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.3 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) векторные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦б) матричные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦в) цифровые центральные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦г) логические процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦д) оборудование для улучшения ¦ ¦ ¦ ¦качества изображения; ¦ ¦ ¦ ¦е) оборудование для обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ ¦ ¦ ¦ ¦или сопутствующего оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦описанных в пункте 4.1.3, ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования или других ¦ ¦ ¦ ¦систем в том случае, если: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование необходимы для работы ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования или других ¦ ¦ ¦ ¦систем; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование не являются основным ¦ ¦ ¦ ¦элементом другого оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦других систем; и ¦ ¦ ¦ ¦в) технология для цифровых ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования ¦ ¦ ¦ ¦подпадает под действие пункта 4.5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования ¦ ¦ ¦ ¦обработки сигналов или улучшения ¦ ¦ ¦ ¦качества изображения, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированного для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования с функциями, ¦ ¦ ¦ ¦ограниченными функциональным ¦ ¦ ¦ ¦назначением другого оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦определяется контрольным статусом ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования, даже если ¦ ¦ ¦ ¦первое соответствует критерию ¦ ¦ ¦ ¦основного элемента. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для определения контрольного ¦ ¦ ¦ ¦статуса цифровых ЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования ¦ ¦ ¦ ¦для телекоммуникационной ¦ ¦ ¦ ¦аппаратуры см. часть 1 Категории 5 ¦ ¦ ¦ ¦(Телекоммуникации) ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.1. ¦Спроектированные или ¦8471 ¦ ¦ ¦модифицированные для обеспечения ¦(кроме 8471 10) ¦ ¦ ¦отказоустойчивости ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Применительно к пункту 4.1.3.1 ¦ ¦ ¦ ¦цифровые ЭВМ и сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование не считаются ¦ ¦ ¦ ¦спроектированными или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированными для обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦отказоустойчивости, если в них ¦ ¦ ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или ¦ ¦ ¦ ¦исправления ошибок, хранимые в ¦ ¦ ¦ ¦оперативной памяти; ¦ ¦ ¦ ¦б) взаимосвязь двух цифровых ЭВМ ¦ ¦ ¦ ¦такая, что если активный центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор отказывает, ждущий, но ¦ ¦ ¦ ¦отслеживающий центральный процессор ¦ ¦ ¦ ¦может продолжить функционирование ¦ ¦ ¦ ¦системы; ¦ ¦ ¦ ¦в) взаимосвязь двух центральных ¦ ¦ ¦ ¦процессоров посредством каналов ¦ ¦ ¦ ¦передачи данных или с применением ¦ ¦ ¦ ¦общей памяти, чтобы обеспечить ¦ ¦ ¦ ¦одному центральному процессору ¦ ¦ ¦ ¦возможность выполнять другую работу, ¦ ¦ ¦ ¦пока не откажет второй центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор, тогда первый центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор принимает его работу на ¦ ¦ ¦ ¦себя, чтобы продолжить ¦ ¦ ¦ ¦функционирование системы; или ¦ ¦ ¦ ¦г) синхронизация двух центральных ¦ ¦ ¦ ¦процессоров, объединенных ¦ ¦ ¦ ¦посредством программного обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦так, что один центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор распознает, когда ¦ ¦ ¦ ¦отказывает другой центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор, и восстанавливает задачи ¦ ¦ ¦ ¦отказавшего устройства; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.2. ¦Цифровые ЭВМ, имеющие совокупную ¦8471 ¦ ¦ ¦теоретическую производительность ¦(кроме 8471 10) ¦ ¦ ¦(СТП) свыше 28000 Мтопс; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.3. ¦Электронные сборки, специально ¦8471 ¦ ¦ ¦спроектированные или ¦(кроме 8471 10) ¦ ¦ ¦модифицированные для повышения ¦ ¦ ¦ ¦производительности путем объединения ¦ ¦ ¦ ¦вычислительных элементов таким ¦ ¦ ¦ ¦образом, чтобы совокупная ¦ ¦ ¦ ¦теоретическая производительность ¦ ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала ¦ ¦ ¦ ¦пределы, указанные в пункте 4.1.3.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.3.3 распространяется ¦ ¦ ¦ ¦только на электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦программируемые взаимосвязи, не ¦ ¦ ¦ ¦превышающие пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 4.1.3.2, при поставке в виде ¦ ¦ ¦ ¦необъединенных электронных сборок. ¦ ¦ ¦ ¦Он не применим к электронным ¦ ¦ ¦ ¦сборкам, конструкция которых ¦ ¦ ¦ ¦пригодна только для использования в ¦ ¦ ¦ ¦качестве сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по ¦ ¦ ¦ ¦пунктам 4.1.3.4 или 4.1.3.5. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 4.1.3.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются электронные сборки, ¦ ¦ ¦ ¦специально спроектированные для ¦ ¦ ¦ ¦продукции или целого семейства ¦ ¦ ¦ ¦продукции, максимальная конфигурация ¦ ¦ ¦ ¦которых не превышает пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.3.2; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.4. ¦Графические акселераторы или ¦8473 30 100 ¦ ¦ ¦графические сопроцессоры, ¦ ¦ ¦ ¦превышающие скорость исчисления ¦ ¦ ¦ ¦трехмерных векторов, равную ¦ ¦ ¦ ¦200000000; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.5. ¦Оборудование, выполняющее ¦8543 89 950 0 ¦ ¦ ¦аналого-цифровые преобразования, ¦ ¦ ¦ ¦превосходящее пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.1.1.1.5; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.6. ¦Исключен ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.3.7. ¦Аппаратура, специально разработанная ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦для обеспечения внешней взаимосвязи ¦ ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, которые в ¦ ¦ ¦ ¦коммуникациях имеют скорость ¦ ¦ ¦ ¦передачи данных свыше 1,25 Гбайт/с ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.1.3.7 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование внутренней взаимосвязи ¦ ¦ ¦ ¦(например, объединительные платы, ¦ ¦ ¦ ¦шины), оборудование пассивной ¦ ¦ ¦ ¦взаимосвязи, контроллеры доступа к ¦ ¦ ¦ ¦сети или контроллеры каналов связи ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.4. ¦Нижеперечисленные ЭВМ, специально ¦8471 ¦ ¦ ¦спроектированное сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦компоненты для них: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.4.1. ¦ЭВМ с систолической матрицей; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.4.2. ¦Нейронные ЭВМ; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.1.4.3. ¦Оптические ЭВМ ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.2. ¦Испытательное, контрольное и ¦ ¦ ¦ ¦производственное оборудование - нет ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.3. ¦Материалы - нет ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4. ¦Программное обеспечение ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или использования ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, указанного в других ¦ ¦ ¦ ¦категориях, определяется по описанию ¦ ¦ ¦ ¦соответствующей категории. В данной ¦ ¦ ¦ ¦категории дается контрольный статус ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения для ¦ ¦ ¦ ¦оборудования этой категории ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.1. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированное для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или использования ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения, контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.2. ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированное для поддержки ¦ ¦ ¦ ¦технологии, контролируемой по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.5 ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.3. ¦Специальное программное обеспечение, ¦ ¦ ¦ ¦такое, как: ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.3.1. ¦Программное обеспечение операционных ¦ ¦ ¦ ¦систем, инструментарий разработки ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения и ¦ ¦ ¦ ¦компиляторы, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для оборудования ¦ ¦ ¦ ¦многопоточной обработки данных в ¦ ¦ ¦ ¦исходных кодах; ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.3.2. ¦Исключен ¦ ¦ +----------------+-------------------------------------+-------------------+ ¦4.4.3.3. ¦Программное обеспечение, имеющее ¦ ¦ ¦ ¦характеристики или выполняющее ¦ ¦ ¦ ¦функции, которые превосходят ¦ ¦ ¦ ¦пределы, указанные в части 2 ¦ ¦ ¦ ¦Категории 5 (Защита информации); ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | Стр. 21 | Стр. 22 | Стр. 23 | Стр. 24 | Стр. 25 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
