Стр. 27
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
2. Физическое осаждение паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева - это процесс чисто внешнего покрытия в
вакууме с давлением меньше 0,1 Па, когда источник тепловой энергии
используется для превращения в пар наносимого материала. В
результате процесса конденсат или покрытие осаждается на
соответствующие части поверхности изделия. Появляющиеся в вакуумной
камере газы в процессе осаждения поглощаются в большинстве
модификаций процесса элементами сложного состава покрытия.
Использование ионного или электронного излучения или плазмы для
активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе также
свойственно большинству модификаций процесса физического осаждения
паров с ионизацией посредством резистивного нагрева. Применение
мониторов для обеспечения измерения в ходе процесса оптических
характеристик или толщины покрытия может быть реализовано в будущем.
Специфика физического осаждения паров с ионизацией посредством
резистивного нагрева заключается в следующем:
а) при электронно-лучевом физическом осаждении для нагревания и
испарения материала, наносимого на изделие, используется электронный
луч;
б) при физическом осаждении с терморезистором в качестве
источника тепла в сочетании с соударением ионного пучка,
обеспечивающих контролируемый и равномерный (однородный) поток паров
материала покрытия, используется электрическое сопротивление;
в) при парообразовании лазером для испарения материала, который
формирует покрытие, используется импульсный или непрерывный лазерный
луч;
г) в процессе покрытия с применением катодной дуги в качестве
материала, который формирует покрытие и имеет установившийся разряд
дуги на поверхности катода после моментального контакта с
заземленным пусковым устройством (триггером), используется
расходуемый катод. Контролируемая дуговая эрозия поверхности катода
приводит к образованию высокоионизированной плазмы. Анод может быть
коническим и распологаться по периферии катода через изолятор или
сама камера может играть роль анода. Для нелинейного управления
нанесением изоляции используются изделия с регулированием их
положения.
Особое примечание.
Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению
покрытий произвольной катодной дугой с фиксированным положением
изделия
д) Ионная имплантация - специальная модификация генерального
процесса, в котором плазменный или ионный источник используется для
ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение
(заряд) изделия способствует осаждению составляющих покрытия из
плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в
камере, а также использование мониторов, обеспечивающих измерение (в
процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины
покрытий, свойственны обычным модификациям процесса физического
осаждения паров термовыпариванием
3. Пакетная цементация - модификация метода нанесения покрытия
на поверхность или процесс нанесения чисто внешнего покрытия, когда
изделие погружено в пудру - смесь нескольких компонентов (в пакет),
которая состоит из:
а) металлических порошков, которые входят в состав покрытия
(обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);
б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и
в) инертной пудры, чаще всего алюмин (оксид алюминия)
Изделие и смесевая пудра содержатся внутри реторты (камеры),
которая нагревается от 1030 К (757°С) до 1375 К (1102°С) на время,
достаточное для нанесения покрытия
4. Плазменное напыление - процесс нанесения чисто внешнего
покрытия, когда плазменная пушка (горелка напыления), в которой
образуется и управляется плазма, принимая пудру или пруток из
материала покрытия, расплавляет их и направляет на изделие, где
формируется интегрально связанное покрытие. Плазменное напыление
может быть основано на напылении плазмой низкого давления или
высокоскоростной плазмой
Особые примечания:
а) низкое давление означает давление ниже атмосферного
б) высокоскоростная плазма определяется скоростью газа на срезе
сопла (горелки напыления), превышающей 750 м/с, рассчитанной при
температуре 293 К (20°С) и давлении 0,1 МПа
5. Осаждение суспензии (шлама) - это процесс нанесения покрытия
с модификацией покрываемой поверхности или чисто внешнего покрытия,
когда металлическая или керамическая пудра с органическим связующим,
суспензированные в жидкости, связываются с изделием посредством
напыления, погружения или окраски с последующей воздушной или печной
сушкой и тепловой обработкой для достижения необходимых свойств
покрытия
6. Металлизация распылением - это процесс нанесения чисто
внешнего покрытия, базирующийся на феномене передачи количества
движения, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле
по направлению к поверхности мишени (материала покрытия).
Кинетическая энергия ударов ионов обеспечивает образование на
поверхности мишени требуемого покрытия
Особые примечания:
а) в таблице приведены сведения только о триодной, магнетронной
или реактивной металлизации распылением, которые применяются для
увеличения адгезии материала покрытия и скорости его нанесения, а
также о радиочастотном усилении напыления, используемом при
нанесении парообразующих неметаллических материалов покрытий
б) низкоэнергетические ионные лучи (меньше 5 КэВ) могут быть
использованы для ускорения (активизации) процесса нанесения
покрытия
7. Ионная имплантация - это процесс нанесения покрытия с
модификацией поверхности изделия, когда материал (сплав)
ионизируется, ускоряется системой, обладающей градиентом потенциала,
и имплантируется на участок поверхности изделия. К процессам с
ионной имплантацией относятся и процессы, в которых ионная
имплантация самопроизвольно выполняется в ходе выпаривания
электронным лучом или металлизации распылением
Техническая терминология, используемая в таблице технических
приемов осаждения покрытий
Подразумевается, что следующая техническая информация,
относящаяся к таблице технических приемов осаждения покрытий,
используется при необходимости
1. Терминология, используемая в технологиях для предварительной
обработки подложек, указанных в таблице:
1.1. Параметры химического снятия покрытий и очистки в ванне:
1.1.1. Состав раствора для ванны:
1.1.1.1. Для удаления старых или поврежденных покрытий,
продуктов коррозии или инородных отложений;
1.1.1.2. Для приготовления чистых подложек
1.1.2. Время обработки в ванне;
1.1.3. Температура в ванне;
1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов
1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения
величины чистящей дозы;
1.3. Параметры циклов горячей обработки:
1.3.1. Атмосферные параметры:
1.3.1.1. Состав атмосферы;
1.3.1.2. Атмосферное давление
1.3.2. Температура для горячей обработки;
1.3.3. Продолжительность горячей обработки
1.4. Параметры подложек для поверхностной обработки:
1.4.1. Параметры пескоструйной очистки:
1.4.1.1. Состав песка;
1.4.1.2. Размеры и форма частиц песка;
1.4.1.3. Скорость подачи песка
1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после
пескоструйной очистки;
1.4.3. Параметры окончательно обработанной поверхности
1.4.4. Применение связующих веществ, способствующих адгезии
1.5. Технические параметры защитного покрытия:
1.5.1. Материал защитного покрытия;
1.5.2. Размещение защитного покрытия
2. Терминология, используемая при определении технологических
параметров, обеспечивающих качество покрытия для способов, указанных
в таблице:
2.1. Атмосферные параметры:
2.1.1. Состав атмосферы;
2.1.2. Атмосферное давление
2.2. Временные параметры;
2.3. Температурные параметры;
2.4. Параметры слоя;
2.5. Коэффициент параметров преломления
2.6. Контроль структуры покрытия
3. Терминология, используемая в технологиях для обработки
покрываемых подложек, указанных в таблице, осадкой мелкозернистым
песчаником:
3.1. Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:
3.1.1. Состав дроби;
3.1.2. Размер дроби;
3.1.3. Скорость подачи дроби
3.2. Параметры обработки осадкой мелкозернистым песчаником;
3.3. Параметры цикла горячей обработки:
3.3.1. Атмосферные параметры:
3.3.1.1. Состав атмосферы;
3.3.1.2. Атмосферное давление
3.3.2. Температурно-временные циклы
3.4. Визуальные и макроскопические критерии горячей обработки
для последующего нанесения покрытия на подложку
4. Терминология, используемая в технологиях для определения
технических приемов, гарантирующих качество покрытия подложек,
указанных в таблице:
4.1. Критерии статического выборочного контроля;
4.2. Микроскопические критерии для:
4.2.1. Усиления;
4.2.2. Равномерности толщины покрытия;
4.2.3. Целостности покрытия;
4.2.4. Состава покрытия;
4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;
4.2.6. Микроструктурной однородности
4.3. Критерии для оценки оптических свойств (мерой измерения
параметров является длина волны):
4.3.1. Отражательная способность;
4.3.2. Прозрачность;
4.3.3. Поглощение;
4.3.4. Рассеяние
5. Терминология, используемая в технологиях и параметрах,
связанных со специфическим покрытием и с процессами видоизменения
поверхности, указанными в таблице:
5.1. Для химического осаждения паров:
5.1.1. Состав и формулировка источника покрытия;
5.1.2. Состав несущего газа;
5.1.3. Температура подложки;
5.1.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.1.5. Контроль и изменение дозировки газа
5.2. Для термального сгущения - физического осаждения паров:
5.2.1. Состав слитка или источника материала покрытия;
5.2.2. Температура подложки;
5.2.3. Состав химически активного газа;
5.2.4. Норма загрузки слитка или норма загрузки испаряемого
материала;
5.2.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.2.6. Контроль и изменение дозировки газа;
5.2.7. Параметры лазера:
5.2.7.1. Длина волны;
5.2.7.2. Плотность мощности;
5.2.7.3. Длительность импульса;
5.2.7.4. Периодичность импульсов;
5.2.7.5. Источник;
5.3. Для цементации с предварительной обмазкой:
5.3.1. Состав обмазки и формулировка;
5.3.2. Состав несущего газа;
5.3.3. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.4. Для плазменного напыления:
5.4.1. Состав порошка, подготовка и объемы распределения;
5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;
5.5.3. Температура подложки;
5.4.4. Параметры мощности плазменной пушки;
5.4.5. Дистанция напыления;
5.4.6. Угол напыления;
5.4.7. Состав покрывающего газа, давление и скорость потока;
5.4.8. Контроль и изменение дозировки плазменной пушки
5.5. Для металлизации распылением:
5.5.1. Состав и структура мишени;
5.5.2. Геометрическая регулировка положения деталей и мишени;
5.5.3. Состав химически активного газа;
5.5.4. Высокочастотное подмагничивание;
5.5.5. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.5.6. Мощность триода;
5.5.7. Изменение дозировки
5.6. Для ионной имплантации:
5.6.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.6.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.6.4. Температурно-временные циклы и циклы давления
5.7. Для ионного гальванического покрытия:
5.7.1. Контроль и изменение дозировки пучка;
5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;
5.7.3. Аппаратура управления пучком ионов и параметрами
скорости осаждения;
5.7.4. Температурно-временные циклы и циклы давления;
5.7.5. Скорость подачи покрывающего материала и скорость
испарения;
5.7.6. Температура подложки;
5.7.7. Параметры наклона подложки
-----------------T--------------------------------------T---------------------
¦ ¦ Код товарной
№ позиции ¦ Наименование ¦ номенклатуры
¦ ¦ внешнеэкономической
¦ ¦ деятельности
-----------------+--------------------------------------+---------------------
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
Примечания:
1. Контрольный статус оборудования и
компонентов, указанных в пункте 3.1,
других, нежели те, которые указаны в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.10 или в
пункте 3.1.1.1.12, которые специально
разработаны или имеют те же самые
функциональные характеристики, как и
другое оборудование, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
2. Контрольный статус интегральных
схем, указанных в пунктах
3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или в пункте
3.1.1.1.12, программы которых не
могут быть изменены, или
разработанных для выполнения
конкретных функций для другого
оборудования, определяется по
контрольному статусу другого
оборудования
Особое примечание.
В тех случаях, когда изготовитель или
заявитель не может определить
контрольный статус другого
оборудования, этот статус
определяется контрольным статусом
интегральных схем, указанных в
пунктах 3.1.1.1.3-3.1.1.1.9 или
пункте 3.1.1.1.12; если интегральная
схема является кремниевой микросхемой
микроЭВМ или микросхемой
микроконтроллера, указанных в пункте
3.1.1.1.3, и имеет длину слова
операнда 8 бит или менее, то ее
контрольный статус должен
определяться в соответствии с пунктом
3.1.1.1.3
3.1.1. Электронные компоненты, такие, как:
3.1.1.1. Нижеперечисленные интегральные
микросхемы общего назначения:
Примечания:
1. Контрольный статус готовых пластин
или полуфабрикатов для их
изготовления, на которых
воспроизведена конкретная функция,
оценивается по параметрам, указанным
в пункте 3.1.1.1
2. Понятие "интегральные схемы"
включает следующие типы:
твердотельные интегральные схемы;
гибридные интегральные схемы;
многокристальные интегральные схемы;
пленочные интегральные схемы, включая
интегральные схемы типа "кремний на
сапфире"; оптические интегральные
схемы
3.1.1.1.1. Интегральные схемы, спроектированные 8542
или определяемые как радиационно
стойкие, выдерживающие любое из
следующих воздействий:
а) общую дозу 5 х 10-3 Гр (кремний)
[5 х 10-5 рад (кремний)] или выше;
или
б) предел мощности дозы 5 х 10-6 Гр/с
(кремний) [5 х 10-8 рад (кремний)]/с
или выше;
3.1.1.1.2. Микропроцессорные микросхемы, 8542
микрокомпьютерные микросхемы,
микросхемы микроконтроллеров,
интегральные схемы памяти,
изготовленные на полупроводниковых
соединениях, аналого-цифровые
преобразователи, цифроаналоговые
преобразователи,
электронно-оптические или оптические
интегральные схемы для обработки
сигналов, программируемые
пользователем логические устройства,
интегральные схемы для нейронных
сетей, заказные интегральные схемы, у
которых функция неизвестна, либо
производителю неизвестно,
распространяется ли контрольный
статус на аппаратуру, в которой будут
использоваться данные интегральные
схемы, процессоры быстрого
преобразования Фурье, интегральные
схемы электрически программируемых
постоянных запоминающих устройств
(ЭППЗУ), программируемые с
ультрафиолетовым стиранием, и
статических запоминающих устройств с
произвольной выборкой (СЗУПВ),
имеющие любую из следующих
характеристик:
а) работоспособные при температуре
окружающей среды выше 398 К (+125°
С);
б) работоспособные при температуре
окружающей среды ниже 218 К (-55°С);
или
в) работоспособные за пределами
диапазона температур окружающей среды
от 218 К (-55°С) до 398 К (+125°С)
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.2 не распространяется
на интегральные схемы для гражданских
автомобилей и железнодорожных
поездов;
3.1.1.1.3. Микропроцессорные микросхемы,
микрокомпьютерные микросхемы и
микросхемы микроконтроллеров, имеющие
любую из следующих характеристик:
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры
цифровых сигналов, цифровые матричные
процессоры и цифровые сопроцессоры
3.1.1.1.3.1. Совокупную теоретическую 85422145;
производительность (СТП) 6500 млн. 8542215000;
теоретических операций в секунду 85422183;
(Мтопс) или более и 8542218500;
арифметико-логическое устройство с 854260000
длиной выборки 32 бита или более;
3.1.1.1.3.2. Изготовленные на полупроводниковых 85422145;
соединениях и работающие на тактовой 8542215000;
частоте, превышающей 40 МГц; или 85422183;
8542218500;
854260000
3.1.1.1.3.3. Более чем одну шину данных или 85422145;
команд, или порт последовательной 8542215000;
связи, которые обеспечивают прямое 85422183;
внешнее межсоединение между 8542218500;
параллельными микросхемами 854260000
микропроцессоров со скоростью
передачи, превышающей 150 Мбит/с
3.1.1.1.4. Интегральные схемы памяти, 85422145;
изготовленные на полупроводниковых 8542215000;
соединениях; 85422183;
8542218500;
854260000
3.1.1.1.5. Интегральные схемы для 8542296000;
аналого-цифровых и цифро-аналоговых 8542299009;
преобразователей, такие, как: 8542600009
а) аналого-цифровые преобразователи,
имеющие любую из следующих
характеристик:
1) разрешающую способность 8 бит или
более, но меньше 12 бит с общим
временем преобразования менее 5 нс;
2) разрешающую способность 12 бит с
общим временем преобразования менее
200 нс; или
3) разрешающую способность более 12
бит с общим временем преобразования
менее 2 мкс;
б) цифро-аналоговые преобразователи с
разрешающей способностью 12 бит и
более и временем выхода на
установившийся режим менее 10 нс;
Технические примечания:
1. Разрешающая способность n битов
соответствует 2n уровням квантования;
2. Общее время преобразования
является обратной величиной
разрешающей способности
3.1.1.1.6. Электронно-оптические и оптические 8542
интегральные схемы для обработки
сигналов, имеющие одновременно все
перечисленные составляющие:
а)один внутренний лазерный диод или
более;
б) один внутренний
светочувствительный элемент или
более; и
в) оптические волноводы;
3.1.1.1.7. Программируемые пользователем 8542216900;
логические устройства, имеющие любую 8542219900
из следующих характеристик:
а) эквивалентное количество годных
вентилей более 30000 (в пересчете на
двухвходовые);
б) типовое время задержки основного
логического элемента менее 0,4 нс;
или
в) частоту переключения, превышающую
133 МГц;
Примечание.
Пункт 3.1.1.1.7 включает:
простые программируемые логические
устройства (ППЛУ);
сложные программируемые логические
устройства (СПЛУ);
программируемые пользователем
вентильные матрицы (ППВМ);
программируемые пользователем
логические матрицы (ППЛМ);
программируемые пользователем
межсоединения (ППМС)
Особое Примечание.
Программируемые пользователем
логические устройства также известны
как программируемые пользователем
вентильные или программируемые
пользователем логические матрицы
3.1.1.1.8. Исключен
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53 |
Стр.54 |
Стр.55 |
Стр.56 |
Стр.57
|
