Стр. 15
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
¦ ¦относительную ширину полосы частот 5% или ¦ ¦
¦ ¦более; ¦ ¦
¦ ¦любые две взаимно перпендикулярные стороны с ¦ ¦
¦ ¦длиной d (см), равной или меньше, чем ¦ ¦
¦ ¦результат от деления величины 15 (см x ГГц) ¦ ¦
¦ ¦на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то ¦ ¦
¦ ¦есть: d <= 15/f или в единицах размерности ¦ ¦
¦ ¦[(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)]. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для усилителей, имеющих номинальный рабочий ¦ ¦
¦ ¦диапазон частот, простирающийся в сторону ¦ ¦
¦ ¦уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле ¦ ¦
¦ ¦последнего абзаца подпункта "е" пункта ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты¦ ¦
¦ ¦f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то ¦ ¦
¦ ¦есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности ¦ ¦
¦ ¦[(см) <= (см · ГГц) / ГГц]. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны ¦ ¦
¦ ¦применяться критерии, описанные в пункте ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.2.2 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦радиопередающему спутниковому оборудованию, ¦ ¦
¦ ¦разработанному или предназначенному для ¦ ¦
¦ ¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ¦ ¦
¦ ¦ГГц. ¦ ¦
¦ ¦2. Контрольный статус изделий, номинальные ¦ ¦
¦ ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦ ¦
¦ ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах ¦ ¦
¦ ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется ¦ ¦
¦ ¦наименьшим контрольным порогом средней ¦ ¦
¦ ¦выходной мощности ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.5 ¦Полосовые или заградительные фильтры с ¦8543 70 900 9 ¦
¦ ¦электронной или магнитной перестройкой, ¦ ¦
¦ ¦содержащие более пяти настраиваемых ¦ ¦
¦ ¦резонаторов, обеспечивающих настройку в ¦ ¦
¦ ¦полосе частот с соотношением максимальной и ¦ ¦
¦ ¦минимальной частот 1,5:1 (f / f ) менее ¦ ¦
¦ ¦ max min ¦ ¦
¦ ¦чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) полосу пропускания частоты более 0,5% от ¦ ¦
¦ ¦резонансной частоты; или ¦ ¦
¦ ¦б) полосу подавления частоты менее 0,5% от ¦ ¦
¦ ¦резонансной частоты ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.6 ¦Преобразователи и смесители на гармониках, ¦8543 70 900 9 ¦
¦ ¦разработанные для расширения частотного ¦ ¦
¦ ¦диапазона аппаратуры, описанной в пункте ¦ ¦
¦ ¦3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх ¦ ¦
¦ ¦пороговых значений, установленных в этих ¦ ¦
¦ ¦пунктах ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.7 ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ- ¦8543 70 900 9 ¦
¦ ¦диапазона, содержащие лампы, определенные в ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) плотность средней выходной мощности, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 80 Вт/кг; и ¦ ¦
¦ ¦в) объем менее 400 куб.см. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, ¦ ¦
¦ ¦разработанной или установленной изготовителем¦ ¦
¦ ¦для работы в любом диапазоне частот, ¦ ¦
¦ ¦распределенном Международным союзом ¦ ¦
¦ ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦ ¦
¦ ¦не для радиоопределения ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.8 ¦Микроволновые модули питания (ММП), ¦8540 79 000 0; ¦
¦ ¦содержащие, по крайней мере, лампу бегущей ¦8542 31 900 3; ¦
¦ ¦волны, монолитную микроволновую интегральную ¦8543 70 900 9; ¦
¦ ¦схему и встроенный электронный стабилизатор ¦8543 90 000 1 ¦
¦ ¦напряжения, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) время включения от выключенного состояния ¦ ¦
¦ ¦до полностью эксплуатационного состояния ¦ ¦
¦ ¦менее 10 с; ¦ ¦
¦ ¦б) физический объем ниже произведения ¦ ¦
¦ ¦максимальной номинальной мощности в ваттах на¦ ¦
¦ ¦10 куб.см/Вт; и ¦ ¦
¦ ¦в) мгновенную ширину полосы частот более ¦ ¦
¦ ¦одной октавы (f > 2f ) и любое из ¦ ¦
¦ ¦ max min ¦ ¦
¦ ¦следующего: ¦ ¦
¦ ¦для частот, равных или ниже 18 ГГц, ¦ ¦
¦ ¦радиочастотную выходную мощность более 100 ¦ ¦
¦ ¦Вт; или ¦ ¦
¦ ¦частоту выше 18 ГГц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время ¦ ¦
¦ ¦включения относится к периоду времени от ¦ ¦
¦ ¦полностью выключенного состояния до полностью¦ ¦
¦ ¦эксплуатационного состояния, то есть оно ¦ ¦
¦ ¦включает время готовности ММП. ¦ ¦
¦ ¦2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8 ¦ ¦
¦ ¦приводится следующий пример расчета ¦ ¦
¦ ¦физического объема ММП. Для максимальной ¦ ¦
¦ ¦номинальной мощности 20 Вт физический объем ¦ ¦
¦ ¦определяется как 20 [Вт] x 10 [куб.см/Вт] = ¦ ¦
¦ ¦200 [куб.см]. Это значение физического объема¦ ¦
¦ ¦является контрольным показателем и ¦ ¦
¦ ¦сравнивается с фактическим физическим объемом¦ ¦
¦ ¦ММП ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3 ¦Приборы на акустических волнах и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанные для них компоненты: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.1 ¦Приборы на поверхностных акустических волнах ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦и на акустических волнах в тонком ¦ ¦
¦ ¦поверхностном слое (то есть приборы для ¦ ¦
¦ ¦обработки сигналов, использующие упругие ¦ ¦
¦ ¦волны в материале), имеющие любую из ¦ ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц; ¦ ¦
¦ ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не ¦ ¦
¦ ¦превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: частотное ¦ ¦
¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦
¦ ¦направленности более 55 дБ; произведение ¦ ¦
¦ ¦максимального времени задержки (в мкс) на ¦ ¦
¦ ¦ширину полосы частот (в МГц) более 100; ¦ ¦
¦ ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или ¦ ¦
¦ ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или ¦ ¦
¦ ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и ¦ ¦
¦ ¦дополнительно имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: произведение максимального ¦ ¦
¦ ¦времени задержки (в мкс) на ширину полосы ¦ ¦
¦ ¦частот (в МГц) более 100; дисперсионную ¦ ¦
¦ ¦задержку более 10 мкс; или частотное ¦ ¦
¦ ¦подавление боковых лепестков диаграммы ¦ ¦
¦ ¦направленности более 55 дБ и ширину полосы ¦ ¦
¦ ¦частот, превышающую 100 МГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.2 ¦Приборы на объемных акустических волнах (то ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦есть приборы для обработки сигналов, ¦ ¦
¦ ¦использующие упругие волны в материале), ¦ ¦
¦ ¦обеспечивающие непосредственную обработку ¦ ¦
¦ ¦сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.3 ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0 ¦
¦ ¦использующие взаимодействие между ¦ ¦
¦ ¦акустическими волнами (объемными или ¦ ¦
¦ ¦поверхностными) и световыми волнами, что ¦ ¦
¦ ¦позволяет непосредственно обрабатывать ¦ ¦
¦ ¦сигналы или изображения, включая анализ ¦ ¦
¦ ¦спектра, корреляцию или свертку ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.4 ¦Электронные приборы и схемы, содержащие ¦8540; ¦
¦ ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541; ¦
¦ ¦материалов, специально спроектированные для ¦8542; ¦
¦ ¦работы при температурах ниже критической ¦8543 ¦
¦ ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦ ¦
¦ ¦составляющих, имеющие хотя бы один из ¦ ¦
¦ ¦следующих признаков: ¦ ¦
¦ ¦а) токовые переключатели для цифровых схем, ¦ ¦
¦ ¦использующие сверхпроводящие вентили, у ¦ ¦
¦ ¦которых произведение времени задержки на ¦ ¦
¦ ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность¦ ¦
¦ ¦ -14 ¦ ¦
¦ ¦на вентиль (в ваттах) менее 10 Дж; или ¦ ¦
¦ ¦б) селекцию частоты на всех частотах с ¦ ¦
¦ ¦использованием резонансных контуров с ¦ ¦
¦ ¦добротностью, превышающей 10000 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5 ¦Нижеперечисленные мощные энергетические ¦ ¦
¦ ¦устройства: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.1 ¦Элементы, такие как: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.1.1¦Первичные элементы с плотностью энергии, ¦8506 ¦
¦ ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.1.2¦Вторичные элементы с плотностью энергии, ¦8507 ¦
¦ ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20 ¦ ¦
¦ ¦°C. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность ¦ ¦
¦ ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦ ¦
¦ ¦номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦
¦ ¦номинальную емкость в ампер-часах, поделенным¦ ¦
¦ ¦на массу в килограммах. Если номинальная ¦ ¦
¦ ¦емкость не установлена, плотность энергии ¦ ¦
¦ ¦определяется произведением возведенного в ¦ ¦
¦ ¦квадрат номинального напряжения в вольтах на ¦ ¦
¦ ¦длительность разряда в часах, поделенным на ¦ ¦
¦ ¦произведение сопротивления нагрузки разряда в¦ ¦
¦ ¦омах на массу в килограммах. ¦ ¦
¦ ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент" ¦ ¦
¦ ¦определяется как электрохимическое ¦ ¦
¦ ¦устройство, имеющее положительные и ¦ ¦
¦ ¦отрицательные электроды и электролит и ¦ ¦
¦ ¦являющееся источником электроэнергии. Он ¦ ¦
¦ ¦является основным компоновочным блоком ¦ ¦
¦ ¦батареи. ¦ ¦
¦ ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный ¦ ¦
¦ ¦элемент" определяется как элемент, который не¦ ¦
¦ ¦предназначен для заряда каким-либо другим ¦ ¦
¦ ¦источником энергии. ¦ ¦
¦ ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный ¦ ¦
¦ ¦элемент" определяется как элемент, который ¦ ¦
¦ ¦предназначен для заряда каким-либо внешним ¦ ¦
¦ ¦источником энергии ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦батареи, включая батареи, содержащие один ¦ ¦
¦ ¦элемент ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.2 ¦Высокоэнергетические накопительные ¦ ¦
¦ ¦конденсаторы: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.2.1¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506; ¦
¦ ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все ¦8507; ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦8532 ¦
¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦
¦ ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и ¦ ¦
¦ ¦в) полную энергию 25 кДж или более ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.2.2¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и ¦8506; ¦
¦ ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие ¦8507; ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦8532 ¦
¦ ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более; ¦ ¦
¦ ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более; ¦ ¦
¦ ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и ¦ ¦
¦ ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 или ¦ ¦
¦ ¦более ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.3 ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды, ¦8504 50; ¦
¦ ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 100 0 ¦
¦ ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все ¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленные характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию, выделяемую при разряде, ¦ ¦
¦ ¦превышающую 10 кДж за первую секунду; ¦ ¦
¦ ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток ¦ ¦
¦ ¦более 250 мм; и ¦ ¦
¦ ¦в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т ¦ ¦
¦ ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦ ¦
¦ ¦300 А/кв.мм. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦сверхпроводящие электромагниты или соленоиды,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для медицинской ¦ ¦
¦ ¦аппаратуры магниторезонансной томографии ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.4 ¦Солнечные элементы, сборки электрически ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦соединенных элементов под защитным стеклом, ¦ ¦
¦ ¦солнечные панели и солнечные батареи, ¦ ¦
¦ ¦пригодные для применения в космосе, имеющие ¦ ¦
¦ ¦минимальное значение среднего КПД элементов ¦ ¦
¦ ¦более 20% при рабочей температуре 301 K (28 ¦ ¦
¦ ¦°C) под освещением с поверхностной плотностью¦ ¦
¦ ¦потока излучения 1367 Вт/кв.м при имитации ¦ ¦
¦ ¦условий нулевой воздушной массы (АМО). ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется ¦ ¦
¦ ¦спектральной плотностью потока солнечного ¦ ¦
¦ ¦света за пределами атмосферы при расстоянии ¦ ¦
¦ ¦между Землей и Солнцем, равным одной ¦ ¦
¦ ¦астрономической единице (АЕ) ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.6 ¦Цифровые преобразователи абсолютного углового¦9031 80 320 0; ¦
¦ ¦положения вращающегося вала, имеющие любую из¦9031 80 340 0 ¦
¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного ¦ ¦
¦ ¦диапазона (18 бит); или ¦ ¦
¦ ¦б) точность лучше +/-2,5 угл. С ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.7 ¦Твердотельные импульсные силовые ¦8536 50 030 0; ¦
¦ ¦коммутационные тиристорные устройства и ¦8536 50 800 0; ¦
¦ ¦тиристорные модули, использующие методы ¦8541 30 000 9 ¦
¦ ¦электрического, оптического или электронно- ¦ ¦
¦ ¦эмиссионного управления переключением, ¦ ¦
¦ ¦имеющие любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную скорость нарастания ¦ ¦
¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и ¦ ¦
¦ ¦напряжение в закрытом состоянии более 1100 В;¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) максимальную скорость нарастания ¦ ¦
¦ ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и ¦ ¦
¦ ¦все нижеследующее: импульсное напряжение в ¦ ¦
¦ ¦закрытом состоянии, равное 3000 В или более; ¦ ¦
¦ ¦и максимальный ток в импульсе (ударный ток) ¦ ¦
¦ ¦более 3000 А. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль ¦ ¦
¦ ¦содержит одно или несколько тиристорных ¦ ¦
¦ ¦устройств. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые ¦ ¦
¦ ¦триодные тиристоры; электрические триггерные ¦ ¦
¦ ¦тиристоры; световые триггерные тиристоры; ¦ ¦
¦ ¦коммутационные тиристоры с интегральными ¦ ¦
¦ ¦вентилями; вентильные запираемые тиристоры; ¦ ¦
¦ ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре ¦ ¦
¦ ¦(структуре металл-оксид-полупроводник); ¦ ¦
¦ ¦солидтроны. ¦ ¦
¦ ¦2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦тиристорные устройства и тиристорные модули, ¦ ¦
¦ ¦интегрированные в оборудование, разработанное¦ ¦
¦ ¦для применения на железнодорожном транспорте ¦ ¦
¦ ¦или в гражданских летательных аппаратах ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2 ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура ¦ ¦
¦ ¦общего назначения: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1 ¦Записывающая аппаратура и специально ¦ ¦
¦ ¦разработанная измерительная магнитная лента ¦ ¦
¦ ¦для нее: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.1 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8519 81 540 1; ¦
¦ ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая ¦8519 81 580; ¦
¦ ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых ¦8519 81 900 0; ¦
¦ ¦сигналов (например, использующие модуль ¦8519 89 900 0; ¦
¦ ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие ¦8521 10 200 0; ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦8521 10 950 0 ¦
¦ ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на ¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку; ¦ ¦
¦ ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на ¦ ¦
¦ ¦электронный канал или дорожку, при количестве¦ ¦
¦ ¦дорожек более 42; или ¦ ¦
¦ ¦в) ошибку рассогласования (основную) ¦ ¦
¦ ¦временной шкалы, измеренную по методикам ¦ ¦
¦ ¦соответствующих руководящих материалов ¦ ¦
¦ ¦Межведомственного совета по ¦ ¦
¦ ¦радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации ¦ ¦
¦ ¦электронной промышленности (EIA), менее ¦ ¦
¦ ¦+/-0,1 мкс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной ¦ ¦
¦ ¦ленте, специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦гражданского применения, не рассматриваются ¦ ¦
¦ ¦как записывающие устройства, использующие ¦ ¦
¦ ¦ленту ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.2 ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦8521 10; ¦
¦ ¦имеющие максимальную пропускную способность ¦8521 90 000 9 ¦
¦ ¦цифрового интерфейса более 360 Мбит/с. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦ ¦
¦ ¦специально разработанные для телевизионной ¦ ¦
¦ ¦записи, использующие формат сигнала, который ¦ ¦
¦ ¦может включать сжатие формата сигнала, ¦ ¦
¦ ¦стандартизированный или рекомендуемый для ¦ ¦
¦ ¦применения в гражданском телевидении ¦ ¦
¦ ¦Международным союзом электросвязи, ¦ ¦
¦ ¦Международной электротехнической комиссией, ¦ ¦
¦ ¦Организацией инженеров по развитию кино и ¦ ¦
¦ ¦телевидения, Европейским союзом радиовещания,¦ ¦
¦ ¦Европейским институтом стандартов по ¦ ¦
¦ ¦телекоммуникациям или Институтом инженеров по¦ ¦
¦ ¦электротехнике и радиоэлектронике ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.3 ¦Устройства записи на магнитной ленте ¦8471 70 800 0; ¦
¦ ¦показаний цифровой аппаратуры, использующие ¦8521 10 ¦
¦ ¦принципы спирального сканирования или ¦ ¦
¦ ¦принципы фиксированной головки и имеющие ¦ ¦
¦ ¦любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную пропускную способность ¦ ¦
¦ ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или ¦ ¦
¦ ¦б) пригодные для применения в космосе. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦устройства записи данных на магнитной ленте, ¦ ¦
¦ ¦оснащенные электронными блоками для ¦ ¦
¦ ¦преобразования в цифровую запись высокой ¦ ¦
¦ ¦плотности и предназначенные для записи только¦ ¦
¦ ¦цифровых данных ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.4 ¦Аппаратура с максимальной пропускной ¦8521 90 000 9 ¦
¦ ¦способностью цифрового интерфейса, ¦ ¦
¦ ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях¦ ¦
¦ ¦переделки цифровых видеомагнитофонов на ¦ ¦
¦ ¦магнитной ленте для использования их как ¦ ¦
¦ ¦устройств записи данных цифровой аппаратуры ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.5 ¦Приборы для преобразования сигналов в ¦8471 90 000 0; ¦
¦ ¦цифровую форму и записи переходных процессов,¦8543 70 900 9 ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦ ¦
¦ ¦200 млн. проб в секунду или более и ¦ ¦
¦ ¦разрешение 10 бит или более; и ¦ ¦
¦ ¦б) непрерывную пропускную способность 2 ¦ ¦
¦ ¦Гбит/с или более. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для таких приборов с архитектурой на ¦ ¦
¦ ¦параллельной шине непрерывная пропускная ¦ ¦
¦ ¦способность есть произведение наибольшего ¦ ¦
¦ ¦объема слов на количество бит в слове. ¦ ¦
¦ ¦Непрерывная пропускная способность - это ¦ ¦
¦ ¦наивысшая скорость передачи данных ¦ ¦
¦ ¦аппаратуры, с которой информация поступает в ¦ ¦
¦ ¦запоминающее устройство без потерь при ¦ ¦
¦ ¦сохранении скорости выборки и аналого- ¦ ¦
¦ ¦цифрового преобразования ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.6 ¦Устройства записи данных цифровой аппаратуры,¦8471 50 000 0; ¦
¦ ¦использующие способ хранения на магнитном ¦8471 60; ¦
¦ ¦диске, имеющие все следующие характеристики: ¦8471 70 200 0; ¦
¦ ¦а) скорость преобразования в цифровую форму ¦8471 70 300 0; ¦
¦ ¦100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит ¦8471 70 500 0; ¦
¦ ¦или более; и ¦8519 81 900 0; ¦
¦ ¦б) непрерывную пропускную способность не ¦8519 89 900 0; ¦
¦ ¦менее 1 Гбит/с или более ¦8521 90 000 9; ¦
¦ ¦ ¦8522 90 400 0; ¦
¦ ¦ ¦8522 90 800 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.2 ¦Электронные сборки синтезаторов частот, ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦имеющие время переключения частоты менее ¦ ¦
¦ ¦1 мс. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Контрольный статус анализаторов сигналов, ¦ ¦
¦ ¦генераторов сигналов, схемных анализаторов и ¦ ¦
¦ ¦микроволновых приемников-тестеров как ¦ ¦
¦ ¦функционально законченных приборов ¦ ¦
¦ ¦определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, ¦ ¦
¦ ¦3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.3 ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.3.1 ¦Анализаторы сигналов, способные анализировать¦9030 84 000 9; ¦
¦ ¦любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не¦9030 89 300 0 ¦
¦ ¦превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую ¦ ¦
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
| 
