Стр. 33
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
¦ ¦связей для усовершенствования ¦ ¦
¦ ¦гидрофонной группы по ее размещению или ¦ ¦
¦ ¦изменению пределов рабочей глубины. ¦ ¦
¦ ¦Такими резервами является возможность ¦ ¦
¦ ¦монтажа: запасных проводников в ¦ ¦
¦ ¦количестве, превышающем 10% от числа ¦ ¦
¦ ¦рабочих проводников связи; блоков ¦ ¦
¦ ¦настройки конфигурации гидрофонной ¦ ¦
¦ ¦группы или внутренних устройств, ¦ ¦
¦ ¦ограничивающих глубину погружения, что ¦ ¦
¦ ¦обеспечивает регулировку или контроль ¦ ¦
¦ ¦более чем одной гидрофонной группы ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦в) датчики направленного действия, ¦ ¦
¦ ¦контролируемые по пункту 6.1.1.1.2.4; ¦ ¦
¦ ¦г) продольно армированные рукава ¦ ¦
¦ ¦решетки; ¦ ¦
¦ ¦д) собранные решетки диаметром менее 40 ¦ ¦
¦ ¦мм; или ¦ ¦
¦ ¦е) характеристики гидрофонов, указанные ¦ ¦
¦ ¦в пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1 ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.1.1.2.3 ¦Аппаратура обработки данных в реальном ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦масштабе времени, специально ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦разработанная для применения в ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦буксируемых акустических гидрофонных ¦ ¦
¦ ¦решетках, обладающая программируемостью ¦ ¦
¦ ¦пользователем, обработкой во временной ¦ ¦
¦ ¦или частотной области и корреляцией, ¦ ¦
¦ ¦включая спектральный анализ, цифровую ¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча, с ¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования ¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований или ¦ ¦
¦ ¦процессов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.1.1.2.4 ¦Датчики направленного действия, имеющие ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦а) точность лучше +/-0,5 град.; и ¦9015 80 110 0; ¦
¦ ¦б) разработанные для работы на глубинах, ¦9015 80 930 0 ¦
¦ ¦превышающих 35 м, либо имеющие ¦ ¦
¦ ¦регулируемое или сменное глубинное ¦ ¦
¦ ¦чувствительное устройство, разработанное ¦ ¦
¦ ¦для работы на глубинах, превышающих 35 м ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.1.1.2.5 ¦Донные или притопленные кабельные ¦8907 90 000 0; ¦
¦ ¦системы, имеющие любую из следующих ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦составляющих: ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦а) объединяющие гидрофоны, указанные в ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦пункте 6.1.1.1.2.1 раздела 1; или ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦б) объединяющие сигнальные модули ¦ ¦
¦ ¦многоэлементной гидрофонной группы, ¦ ¦
¦ ¦имеющие все следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦разработаны для функционирования на ¦ ¦
¦ ¦глубинах, превышающих 35 м, либо ¦ ¦
¦ ¦обладают регулируемым или сменным ¦ ¦
¦ ¦устройством измерения глубины для работы ¦ ¦
¦ ¦на глубинах, превышающих 35 м, и ¦ ¦
¦ ¦обладают возможностью оперативного ¦ ¦
¦ ¦взаимодействия с модулями буксируемых ¦ ¦
¦ ¦акустических гидрофонных решеток ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.1.1.2.6 ¦Аппаратура обработки данных в реальном ¦8907 90 000 0; ¦
¦ ¦масштабе времени, специально ¦9014 80 000 0; ¦
¦ ¦разработанная для донных или ¦9014 90 000 0; ¦
¦ ¦притопленных кабельных систем, ¦9015 80 930 0; ¦
¦ ¦обладающая программируемостью ¦9015 80 990 0 ¦
¦ ¦пользователем и обработкой во временной ¦ ¦
¦ ¦или частотной области и корреляцией, ¦ ¦
¦ ¦включая спектральный анализ, цифровую ¦ ¦
¦ ¦фильтрацию и формирование луча, с ¦ ¦
¦ ¦использованием быстрого преобразования ¦ ¦
¦ ¦Фурье или других преобразований либо ¦ ¦
¦ ¦процессов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2 ¦Оптические датчики или приборы ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1 ¦Приемники оптического излучения: ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.1 ¦Следующие твердотельные приемники ¦ ¦
¦ ¦оптического излучения, пригодные для ¦ ¦
¦ ¦применения в космосе: ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.1.1 ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 10 нм до 300 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) чувствительность менее 0,1% ¦ ¦
¦ ¦относительно максимального значения для ¦ ¦
¦ ¦длин волн свыше 400 нм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.1.2. ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦излучения, имеющие все следующие ¦ ¦
¦ ¦характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 900 нм до 1200 нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) постоянную времени отклика приемника ¦ ¦
¦ ¦95 нс или менее ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.1.3 ¦Твердотельные приемники оптического ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦излучения, имеющие максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 1200 нм до 30000 нм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.2 ¦Следующие электронно-оптические ¦ ¦
¦ ¦преобразователи (ЭОП): ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.2.1.2 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦фотоэлектронным умножителям (ФЭУ) без ¦ ¦
¦ ¦формирования изображений, имеющим ¦ ¦
¦ ¦электронно-чувствительное устройство в ¦ ¦
¦ ¦вакууме, ограниченным исключительно ¦ ¦
¦ ¦любым из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) единственным металлическим анодом; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦б) металлическими анодами с межцентровым ¦ ¦
¦ ¦расстоянием более 500 мкм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Зарядовое умножение является формой ¦ ¦
¦ ¦электронного усиления изображения и ¦ ¦
¦ ¦характеризуется созданием носителей ¦ ¦
¦ ¦зарядов в результате процесса ударной ¦ ¦
¦ ¦ионизации. Приемниками оптического ¦ ¦
¦ ¦излучения с зарядовым умножением могут ¦ ¦
¦ ¦быть электронно-оптические ¦ ¦
¦ ¦преобразователи, твердотельные приемники ¦ ¦
¦ ¦оптического излучения или фокальные ¦ ¦
¦ ¦матричные приемники ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.2.1 ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 400 нм до 1050 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦
¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦1) микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦
¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦
¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронный чувствительный элемент с ¦ ¦
¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦
¦ ¦или менее, специально разработанный или ¦ ¦
¦ ¦модифицированный для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦
¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦
¦ ¦в) любые из следующих фотокатодов: ¦ ¦
¦ ¦фотокатоды S-20, S-25 или многощелочные ¦ ¦
¦ ¦фотокатоды с интегральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью более 700 мкА/лм; GaAs ¦ ¦
¦ ¦или GaInAs фотокатоды; или другие ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковые фотокатоды на основе ¦ ¦
¦ ¦соединений III - V с максимальной ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительностью более 10 ¦ ¦
¦ ¦мА/Вт ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.2.2. ¦Электронно-оптические преобразователи, ¦8540 20 800 0 ¦
¦ ¦имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) максимум спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 1050 нм до 1800 нм; ¦ ¦
¦ ¦б) электронное усиление изображения, ¦ ¦
¦ ¦использующее любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦1) микроканальную пластину с расстоянием ¦ ¦
¦ ¦между центрами каналов (межцентровым ¦ ¦
¦ ¦расстоянием) 12 мкм или менее; или ¦ ¦
¦ ¦2) электронно-чувствительный элемент с ¦ ¦
¦ ¦шагом небинированных пикселей 500 мкм ¦ ¦
¦ ¦или менее, специально разработанный или ¦ ¦
¦ ¦модифицированный для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения иначе, чем в ¦ ¦
¦ ¦микроканальной пластине; и ¦ ¦
¦ ¦в) полупроводниковые фотокатоды на ¦ ¦
¦ ¦основе соединений III - V (например, ¦ ¦
¦ ¦GaAs или GaInAs) и фотокатоды на эффекте ¦ ¦
¦ ¦переноса электронов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Подпункт "в" пункта 6.1.2.1.2.2 не ¦ ¦
¦ ¦применяется к полупроводниковым ¦ ¦
¦ ¦фотокатодам с максимальной спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительностью 15 мА/Вт или менее ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3 ¦Следующие фокальные матричные приемники, ¦ ¦
¦ ¦непригодные для применения в космосе: ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Линейные или двухмерные многоэлементные ¦ ¦
¦ ¦матричные приемники оптического ¦ ¦
¦ ¦излучения определяются фокальными ¦ ¦
¦ ¦матричными приемниками ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.1 ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 900 нм до 1050 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦постоянную времени отклика приемника ¦ ¦
¦ ¦менее 0,5 нс; или являющиеся специально ¦ ¦
¦ ¦разработанными или модифицированными для ¦ ¦
¦ ¦достижения зарядового умножения и ¦ ¦
¦ ¦имеющие максимальную спектральную ¦ ¦
¦ ¦чувствительность, превышающую 10 мА/Вт ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.2. ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1050 нм до 1200 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б) любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦постоянную времени отклика приемника 95 ¦ ¦
¦ ¦нс или менее; или являющиеся специально ¦ ¦
¦ ¦разработанными или модифицированными для ¦ ¦
¦ ¦достижения зарядового умножения и ¦ ¦
¦ ¦имеющие максимальную спектральную ¦ ¦
¦ ¦чувствительность, превышающую 10 мА/Вт ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.3 ¦Нелинейные (двухмерные) фокальные ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие отдельные ¦ ¦
¦ ¦элементы с максимумом спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 1200 нм до 30 000 нм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Микроболометрические фокальные матричные ¦ ¦
¦ ¦приемники, непригодные для применения в ¦ ¦
¦ ¦космосе, на основе кремния и другого ¦ ¦
¦ ¦материала определяются только по пункту ¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.4 ¦Линейные (одномерные) фокальные ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие все ¦ ¦
¦ ¦нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а)отдельные элементы с максимумом ¦ ¦
¦ ¦спектральной чувствительности в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 1200 нм до 3000 ¦ ¦
¦ ¦нм; и ¦ ¦
¦ ¦б)любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦отношение размера элемента приемника в ¦ ¦
¦ ¦направлении сканирования к размеру ¦ ¦
¦ ¦элемента приемника в направлении поперек ¦ ¦
¦ ¦сканирования менее 3,8; или обработку ¦ ¦
¦ ¦сигналов в элементе (SPRITE-структура) ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей подпункта "б" пункта ¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3.4 "направление поперек ¦ ¦
¦ ¦сканирования" определяется как ¦ ¦
¦ ¦направление вдоль оси, параллельной ¦ ¦
¦ ¦линейке элементов приемника, а ¦ ¦
¦ ¦"направление сканирования" определяется ¦ ¦
¦ ¦как направление вдоль оси, ¦ ¦
¦ ¦перпендикулярной линейке элементов ¦ ¦
¦ ¦приемника ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 6.1.2.1.3.4 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦фокальным матричным приемникам на основе ¦ ¦
¦ ¦германия, содержащим не более 32 ¦ ¦
¦ ¦детекторных элементов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.5 ¦Линейные (одномерные) фокальные ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦матричные приемники, имеющие отдельные ¦ ¦
¦ ¦элементы с максимумом спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 3000 нм до 30000 нм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.6 ¦Нелинейные (двухмерные) инфракрасные ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦фокальные матричные приемники на основе ¦ ¦
¦ ¦микроболометрического материала, для ¦ ¦
¦ ¦отдельных элементов которых не ¦ ¦
¦ ¦применяется спектральная фильтрация ¦ ¦
¦ ¦чувствительности в диапазоне длин волн ¦ ¦
¦ ¦от 8000 нм до 14000 нм ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта 6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
¦ ¦микроболометр определяется как тепловой ¦ ¦
¦ ¦приемник инфракрасного излучения, у ¦ ¦
¦ ¦которого формирование соответствующего ¦ ¦
¦ ¦выходного сигнала происходит за счет ¦ ¦
¦ ¦изменения температуры приемника при ¦ ¦
¦ ¦поглощении инфракрасного излучения ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.1.3.7 ¦Фокальные матричные приемники, имеющие ¦8541 40 900 0 ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦а) отдельные элементы приемника с ¦ ¦
¦ ¦максимумом спектральной чувствительности ¦ ¦
¦ ¦в диапазоне длин волн от 400 нм до 900 ¦ ¦
¦ ¦нм; ¦ ¦
¦ ¦б) являющиеся специально разработанными ¦ ¦
¦ ¦или модифицированными для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения и имеющие в ¦ ¦
¦ ¦спектральном диапазоне, превышающем 760 ¦ ¦
¦ ¦нм, максимальную спектральную ¦ ¦
¦ ¦чувствительность выше 10 мА/Вт; и ¦ ¦
¦ ¦в) более 32 элементов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. Пункт 6.1.2.1.3 включает ¦ ¦
¦ ¦фоторезистивные и фотовольтаические ¦ ¦
¦ ¦матрицы. ¦ ¦
¦ ¦2. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется: ¦ ¦
¦ ¦а) к многоэлементным приемникам (с ¦ ¦
¦ ¦числом элементов не более 16) с ¦ ¦
¦ ¦фоточувствительными элементами из ¦ ¦
¦ ¦сульфида или селенида свинца (PbS или ¦ ¦
¦ ¦PbSe соответственно); ¦ ¦
¦ ¦б) к пироэлектрическим приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе любого из следующих материалов: ¦ ¦
¦ ¦триглицинсульфата и его производных; ¦ ¦
¦ ¦титаната свинца-лантана-циркония (PLZT ¦ ¦
¦ ¦керамики) и его производных; танталата ¦ ¦
¦ ¦лития (LiTaO3); поливинилиденфторида и ¦ ¦
¦ ¦его производных; или ниобата бария- ¦ ¦
¦ ¦стронция (BaStNbO3) и его производных; ¦ ¦
¦ ¦в) к фокальным матричным приемникам, ¦ ¦
¦ ¦специально разработанным или ¦ ¦
¦ ¦модифицированным для реализации ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения, имеющим ¦ ¦
¦ ¦ограниченное конструкцией значение ¦ ¦
¦ ¦максимальной спектральной ¦ ¦
¦ ¦чувствительности 10 мА/Вт или менее для ¦ ¦
¦ ¦длин волн, превышающих 760 нм, и имеющим ¦ ¦
¦ ¦все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦1) включенный в их конструкцию механизм ¦ ¦
¦ ¦ограничения чувствительности без ¦ ¦
¦ ¦возможности его удаления или ¦ ¦
¦ ¦модификации; и ¦ ¦
¦ ¦2) любое из следующего: механизм ¦ ¦
¦ ¦ограничения чувствительности, являющийся ¦ ¦
¦ ¦неотъемлемой частью конструкции ¦ ¦
¦ ¦приемника; или фокальный матричный ¦ ¦
¦ ¦приемник, действующий только вместе с ¦ ¦
¦ ¦установленным механизмом ограничения ¦ ¦
¦ ¦чувствительности ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Механизм ограничения чувствительности ¦ ¦
¦ ¦приемника является неотъемлемой частью ¦ ¦
¦ ¦конструкции приемника и разработан с ¦ ¦
¦ ¦отсутствием возможности его удаления или ¦ ¦
¦ ¦модификации без приведения приемника в ¦ ¦
¦ ¦нерабочее состояние ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦3. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным ¦ ¦
¦ ¦приемникам: ¦ ¦
¦ ¦а) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе силицида платины (PtSi), имеющим ¦ ¦
¦ ¦менее 10000 элементов; ¦ ¦
¦ ¦б) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе силицида иридия (IrSi); ¦ ¦
¦ ¦в) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе антимонида индия (InSb) или ¦ ¦
¦ ¦селенида свинца (PbSe), имеющим менее ¦ ¦
¦ ¦256 элементов; ¦ ¦
¦ ¦г) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе арсенида индия (InAs); ¦ ¦
¦ ¦д) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе сульфида свинца (PbS); ¦ ¦
¦ ¦е) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе арсенида индия-галлия (InGaAs); ¦ ¦
¦ ¦ж) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦квантовых ямах на основе арсенида галлия ¦ ¦
¦ ¦(GaAs) или галлий-алюминий-мышьяка ¦ ¦
¦ ¦(GaAlAs), имеющим менее 256 элементов; ¦ ¦
¦ ¦или ¦ ¦
¦ ¦з) фокальным матричным приемникам на ¦ ¦
¦ ¦основе микроболометров, имеющим менее ¦ ¦
¦ ¦8000 элементов ¦ ¦
¦ ¦4. Пункт 6.1.2.1.3 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным приемникам ¦ ¦
¦ ¦на основе ртуть-кадмий-теллура (HgCdTe): ¦ ¦
¦ ¦а)сканирующим матрицам, имеющим любое из ¦ ¦
¦ ¦следующего: 30 элементов или менее; или ¦ ¦
¦ ¦менее трех элементов и включающим ¦ ¦
¦ ¦временную задержку и накопление сигнала ¦ ¦
¦ ¦в элементе; или ¦ ¦
¦ ¦б)смотрящим матрицам, имеющим менее 256 ¦ ¦
¦ ¦элементов ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Технические примечания: ¦ ¦
¦ ¦1. "Сканирующие матрицы" определяются ¦ ¦
¦ ¦как фокальные матричные приемники, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для использования со ¦ ¦
¦ ¦сканирующими оптическими системами, ¦ ¦
¦ ¦которые формируют изображение за счет ¦ ¦
¦ ¦последовательного просмотра предметов в ¦ ¦
¦ ¦пространстве. ¦ ¦
¦ ¦2. "Смотрящие матрицы" определяются как ¦ ¦
¦ ¦фокальные матричные приемники, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для использования с ¦ ¦
¦ ¦несканирующей оптической системой, ¦ ¦
¦ ¦которая формирует изображение предметов ¦ ¦
¦ ¦в пространстве ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦5. Пункт 6.1.2.1.3.7 не применяется к ¦ ¦
¦ ¦следующим фокальным матричным ¦ ¦
¦ ¦приемникам, специально разработанным или ¦ ¦
¦ ¦модифицированным для достижения ¦ ¦
¦ ¦зарядового умножения: ¦ ¦
¦ ¦а)линейным (одномерным) фокальным ¦ ¦
¦ ¦матричным приемникам, имеющим 4096 ¦ ¦
¦ ¦элементов или менее; ¦ ¦
¦ ¦б)нелинейным (двухмерным) фокальным ¦ ¦
¦ ¦матричным приемникам, имеющим в одном ¦ ¦
¦ ¦направлении максимум 4096 элементов при ¦ ¦
¦ ¦общем количестве элементов 250000 или ¦ ¦
¦ ¦менее ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Микроболометрические фокальные матричные ¦ ¦
¦ ¦приемники, непригодные для применения в ¦ ¦
¦ ¦космосе, определяются только по пункту ¦ ¦
¦ ¦6.1.2.1.3.6 ¦ ¦
+--------------+------------------------------------------+---------------+
¦ 6.1.2.2 ¦Моноспектральные датчики изображения и ¦8540 89 000 0 ¦
¦ ¦многоспектральные датчики изображения, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для применения при ¦ ¦
¦ ¦дистанционном зондировании и имеющие ¦ ¦
¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) мгновенное угловое поле (МУП); ¦ ¦
¦ ¦б) разработанные для функционирования в ¦ ¦
¦ ¦диапазоне длин волн от 400 нм до 30 000 ¦ ¦
¦ ¦нм и имеющие все нижеперечисленное: ¦ ¦
¦ ¦1) обеспечивающие выходные данные ¦ ¦
¦ ¦изображения в цифровом формате; и ¦ ¦
¦ ¦2) имеющие любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦пригодные для применения в космосе; или ¦ ¦
¦ ¦разработанные для функционирования на ¦ ¦
¦ ¦борту летательного аппарата, ¦ ¦
¦ ¦использующие приемники, изготовленные не ¦ ¦
¦ ¦из кремния и имеющие МУП менее 2,5 мрад ¦ ¦
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 |
| 
