Право
Загрузить Adobe Flash Player
Навигация
Новые документы

Реклама

Законодательство России

Долой пост президента Беларуси

Ресурсы в тему
ПОИСК ДОКУМЕНТОВ

Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 № 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"

Текст документа с изменениями и дополнениями по состоянию на ноябрь 2013 года

< Главная страница

Стр. 6

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 |

а) CoCrAlY-покрытий, содержащих менее 22% (по весу) хрома, менее 7% (по весу) алюминия и менее 2% (по весу) иттрия;

б) CoCrAlY-покрытий, содержащих 22 - 24% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,5 - 0,7% (по весу) иттрия;

в) NiCrAlY-покрытий, содержащих 21 - 23% (по весу) хрома, 10 - 12% (по весу) алюминия и 0,9 - 1,1% (по весу) иттрия.

6. Термин "алюминиевые сплавы" относится к сплавам с прочностью при растяжении 190 МПа или выше при температуре 293 K (20 град. C).

7. Термин "коррозионно-стойкая сталь" означает сталь из серии AISI-300 (AISI - American Iron and Steel Institute - Американский институт железа и стали) или сталь соответствующего национального стандарта.

8. Тугоплавкие металлы и сплавы включают следующие металлы и их сплавы: ниобий, молибден, вольфрам и тантал.

9. Материалами окон датчиков являются: оксид алюминия (поликристаллический), кремний, германий, сульфид цинка, селенид цинка, арсенид галлия, алмаз, фосфид галлия, сапфир, а для окон датчиков диаметром более 40 мм - фтористый цирконий и фтористый гафний.

10. Технология одношагового процесса твердофазного диффузионного насыщения сплошных аэродинамических поверхностей не контролируется по категории 2.

11 Полимеры включают полиимиды, полиэфиры, полисульфиды, поликарбонаты и полиуретаны.

12. Термин "модифицированный оксид циркония" означает оксид циркония с добавками оксидов других металлов (таких как оксиды кальция, магния, иттрия, гафния, редкоземельных металлов) в целях стабилизации определенных кристаллографических фаз и фазовых составов. Покрытия - температурные барьеры из оксида циркония, модифицированные оксидом кальция или магния методом смешения или сплавления, не контролируются.

13. Титановые сплавы - только сплавы для аэрокосмического применения с прочностью на растяжение 900 МПа или выше при температуре 293 K (20 град. C).

     14. Стекла с малым коэффициентом линейного расширения включают стекла,
имеющие измеренный при температуре 293 K (20 град. C) коэффициент линейного

             -7  -1
расширения 10   K   или менее.

15. Диэлектрический слой - покрытие, состоящее из нескольких диэлектрических материалов-слоев, в котором интерференционные свойства структуры, составленной из материалов с различными показателями отражения, используются для отражения, пропускания или поглощения в различных диапазонах длин волн. Диэлектрический слой - понятие, относящееся к структурам, состоящим из более чем четырех слоев диэлектрика или композиционных слоев диэлектрик-металл.

16. Металлокерамический карбид вольфрама не включает следующие твердые сплавы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением: карбид вольфрама - (кобальт, никель), карбид титана - (кобальт, никель), карбид хрома - (никель, хром) и карбид хрома - никель.

17. Не контролируются технологии, специально разработанные для нанесения алмазоподобного углерода на любые из следующих изделий, произведенных из сплавов, содержащих менее 5% бериллия: дисководы (накопители на магнитных дисках) и головки, оборудование для производства расходных материалов, клапаны для вентилей, диффузоры громкоговорителей, детали автомобильных двигателей, режущие инструменты, вырубные штампы и пресс-формы для штамповки, оргтехника, микрофоны, медицинские приборы или формы для литья или формования пластмассы.

18. Карбид кремния не включает материалы, применяемые для режущего инструмента и инструмента для обработки металлов давлением.

19. "Керамические подложки" в том смысле, в котором этот термин применяется в настоящем пункте, не включают в себя керамические материалы, содержащие 5% (по весу) или более связующих как отдельных компонентов, а также в сочетании с другими компонентами.

Технические примечания к таблице:

Процессы, указанные в колонке "Процесс нанесения покрытия", определяются следующим образом:

1 Химическое осаждение из паровой фазы (CVD) - это процесс нанесения внешнего покрытия или покрытия с модификацией поверхности подложки, когда металл, сплав, композиционный материал, диэлектрик или керамика осаждаются на нагретую подложку. Газообразные реагенты разлагаются или соединяются вблизи подложки или на самой подложке, в результате чего на ней осаждается требуемый материал в форме химического элемента, сплава или соединения. Энергия для указанных химических реакций может быть обеспечена теплом подложки, плазмой тлеющего разряда или лучом лазера.

Особые примечания:

а) CVD включает следующие процессы: осаждение в направленном газовом потоке без непосредственного контакта засыпки с подложкой, CVD с пульсирующим режимом, термическое осаждение с управляемым образованием центров кристаллизации (CNTD), CVD с применением плазменного разряда, ускоряющего процесс;

б) засыпка означает погружение подложки в порошковую смесь;

в) газообразные реагенты, используемые в процессе без непосредственного контакта засыпки с подложкой, производятся с применением тех же основных реакций и параметров, что и при твердофазном диффузионном насыщении.

2. Физическое осаждение из паровой фазы, получаемой нагревом, - это процесс нанесения внешнего покрытия в вакууме при давлении ниже 0,1 Па с использованием какого-либо источника тепловой энергии для испарения материала покрытия. Процесс приводит к конденсации или осаждению пара на соответствующим образом установленную подложку.

Обычной модификацией процесса является напуск газа в вакуумную камеру в целях синтеза химического соединения в покрытии.

Использование ионного или электронного пучка либо плазмы для активизации нанесения покрытия или участия в этом процессе является также обычной модификацией этого метода. Применение контрольно-измерительных устройств для измерения в технологическом процессе оптических характеристик и толщины покрытия может быть особенностью этих процессов. Особенности конкретных процессов физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, состоят в следующем:

а) физическое осаждение из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, использует пучок электронов для нагревания и испарения материала, образующего покрытие;

б) ионно-ассистированное физическое осаждение из паровой фазы, полученной резистивным нагревом, использует резистивные нагреватели в сочетании с падающим ионным пучком (пучками) в целях получения контролируемого и однородного потока пара материала покрытия;

в) при испарении лазером используется импульсный или непрерывный лазерный луч;

г) в процессе катодного дугового напыления используется расходный катод, из материала которого образуется покрытие и имеется дуговой разряд, который инициируется на поверхности катода после кратковременного контакта с пусковым устройством. Контролируемое движение дуги приводит к эрозии поверхности катода и образованию высокоионизованной плазмы. Анод может быть коническим и располагаться по периферии катода через изолятор, или сама камера может играть роль анода. Для реализации процесса нанесения покрытия вне прямой видимости подается электрическое смещение на подложку.

Особое примечание.

Описанный в подпункте "г" процесс не относится к нанесению покрытий неуправляемой катодной дугой и без подачи электрического смещения на подложку;

д) ионное осаждение - специальная модификация процесса физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом, в котором плазменный или ионный источник используется для ионизации материала наносимых покрытий, а отрицательное смещение, приложенное к подложке, способствует экстракции необходимых ионов из плазмы. Введение активных реагентов, испарение твердых материалов в камере, а также использование контрольно-измерительных устройств, обеспечивающих измерение (в процессе нанесения покрытий) оптических характеристик и толщины покрытий, - обычные модификации этого процесса.

3. Твердофазное диффузионное насыщение - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, при которых изделие погружено в порошковую смесь (засыпку), состоящую из:

а) порошков металлов, подлежащих нанесению на поверхность изделия (обычно алюминий, хром, кремний или их комбинации);

б) активатора (в большинстве случаев галоидная соль); и

в) инертного порошка, чаще всего оксида алюминия.

Изделие и порошковая смесь находятся в муфеле с температурой от 1030 K (757 град. C) до 1375 K (1102 град. C) в течение достаточно продолжительного времени для нанесения покрытия.

4. Плазменное напыление - процесс нанесения внешнего покрытия, при котором в горелку, образующую и управляющую плазмой, подается порошок или проволока материала покрытия, который при этом плавится и несется на подложку, где формируется покрытие. Плазменное напыление может проводиться либо в режиме низкого давления, либо в режиме высокой скорости.

Особые примечания:

а) низкое давление означает давление ниже атмосферного;

б) высокая скорость означает, что скорость потока на срезе сопла горелки, приведенная к температуре 293 K (20 град. C) и давлению 0,1 МПа, превышает 750 м/с.

5. Нанесение шликера - процесс, модифицирующий поверхностный слой, или процесс нанесения внешнего покрытия, в которых металлический или керамический порошок с органической связкой, суспендированный в жидкости, наносится на подложку посредством напыления, погружения или окраски с последующими сушкой при комнатной или повышенной температуре и термообработкой для получения необходимого покрытия.

6. Осаждение распылением - процесс нанесения внешнего покрытия, основанный на передаче импульса, когда положительные ионы ускоряются в электрическом поле в направлении к поверхности мишени (материала покрытия). Кинетическая энергия падающих на мишень ионов достаточна для выбивания атомов с поверхности мишени, которые затем осаждаются на соответствующим образом установленную подложку.

Особые примечания:

а) таблица относится только к триодному, магнетронному или реакционному осаждению распылением, которое используется для увеличения адгезии материала покрытия и скорости осаждения, а также к радиочастотному расширению процесса, что позволяет испарять неметаллические материалы;

б) для активации процесса осаждения могут быть использованы низкоэнергетические ионные пучки (менее 5 КэВ).

7. Ионная имплантация - процесс модификации поверхности, когда легирующий материал ионизируется, ускоряется в электрическом поле и имплантируется в приповерхностный слой подложки. Это определение включает также процессы, в которых ионная имплантация производится одновременно с физическим осаждением из паровой фазы, полученной нагревом электронным пучком, или с осаждением распылением.

Некоторые пояснения к таблице.

Следует понимать, что следующая техническая информация, сопровождающая таблицу, должна использоваться при необходимости:

1 Нижеследующие технологии предварительной обработки подложек, указанных в таблице:

1.1 Параметры процесса снятия покрытия химическими методами в соответствующей ванне:

1.1.1 Состав раствора:

1.1.1.1 Для удаления старых или поврежденных покрытий, продуктов коррозии или инородных отложений;

1.1.1.2. Для приготовления новых подложек;

1.1.2. Время обработки;

1.1.3. Температура ванны;

1.1.4. Число и последовательность промывочных циклов;

1.2. Визуальные и макроскопические критерии для определения приемлемости чистоты подложки;

1.3. Параметры цикла термообработки:

1.3.1 Атмосферные параметры:

1.3.1.1 Состав атмосферы;

1.3.1.2. Давление;

1.3.2. Температура термообработки;

1.3.3. Время термообработки;

1.4. Параметры процесса подготовки поверхности подложки:

1.4.1 Параметры пескоструйной обработки:

1.4.1.1 Состав крошки, дроби;

1.4.1.2. Размеры и форма крошки, дроби;

1.4.1.3. Скорость крошки;

1.4.2. Время и последовательность циклов очистки после пескоструйной очистки;

1.4.3. Параметры финишной обработки поверхности;

1.4.4. Применение связующих, способствующих адгезии;

1.5. Параметры маски:

1.5.1 Материал маски;

1.5.2. Расположение маски.

2. Нижеследующие технологии контроля качества технологических параметров, используемые для оценки покрытия и процессов, указанных в таблице:

2.1 Параметры атмосферы:

2.1.1 Состав;

2.1.2. Давление;

2.2. Время;

2.3. Температура;

2.4. Толщина;

2.5. Коэффициент преломления;

2.6. Контроль состава покрытия.

3. Нижеследующие технологии обработки указанных в таблице подложек с нанесенными покрытиями:

3.1 Параметры упрочняющей дробеструйной обработки:

3.1.1 Состав дроби;

3.1.2. Размер дроби;

3.1.3. Скорость дроби;

3.2. Параметры очистки после дробеструйной обработки;

3.3. Параметры цикла термообработки:

3.3.1 Параметры атмосферы:

3.3.1.1 Состав;

3.3.1.2. Давление;

3.3.2. Температура и время цикла;

3.4. Визуальные и макроскопические критерии возможной приемки подложки с нанесенным покрытием после термообработки.

4. Нижеследующие технологии контроля качества подложек с нанесенными покрытиями, указанных в таблице:

4.1 Критерии для статистической выборки;

4.2. Микроскопические критерии для:

4.2.1 Увеличения;

4.2.2. Равномерности толщины покрытия;

4.2.3. Целостности покрытия;

4.2.4. Состава покрытия;

4.2.5. Сцепления покрытия и подложки;

4.2.6. Микроструктурной однородности;

4.3. Критерии оценки оптических свойств (измеренных в зависимости от длины волны):

4.3.1 Коэффициент отражения;

4.3.2. Коэффициент пропускания;

4.3.3. Поглощение;

4.3.4. Рассеяние.

5. Нижеследующие технологии и технологические параметры, относящиеся к отдельным процессам покрытия и модификации поверхности, указанным в таблице:

5.1 Для химического осаждения из паровой фазы (CVD):

5.1.1 Состав и химическая формула источника покрытия;

5.1.2. Состав газа-носителя;

5.1.3. Температура подложки;

5.1.4. Температура - время - давление циклов;

5.1.5. Управление потоком газа и подложкой;

5.2. Для физического осаждения из паровой фазы, получаемой нагревом:

5.2.1 Состав заготовки или источника материала покрытия;

5.2.2. Температура подложки;

5.2.3. Состав газа-реагента;

5.2.4. Скорость подачи заготовки или скорость испарения материала;

5.2.5. Температура - время - давление циклов;

5.2.6. Управление пучком и подложкой;

5.2.7. Параметры лазера:

5.2.7.1 Длина волны;

5.2.7.2. Плотность мощности;

5.2.7.3. Длительность импульса;

5.2.7.4. Периодичность импульсов;

5.2.7.5. Источник;

5.3. Для твердофазного диффузионного насыщения:

5.3.1 Состав засыпки и химическая формула;

5.3.2. Состав газа-носителя;

5.3.3. Температура - время - давление циклов;

5.4. Для плазменного напыления:

5.4.1 Состав порошка, подготовка и распределение по размеру (гранулометрический состав);

5.4.2. Состав и параметры подаваемого газа;

5.4.3. Температура подложки;

5.4.4. Параметры мощности плазменной горелки;

5.4.5. Дистанция напыления;

5.4.6. Угол напыления;

5.4.7. Состав подаваемого в камеру газа, давление и скорость потока;

5.4.8. Управление плазменной горелкой и подложкой;

5.5. Для осаждения распылением:

5.5.1 Состав мишени и ее изготовление;

5.5.2. Регулировка положения детали и мишени;

5.5.3. Состав газа-реагента;

5.5.4. Напряжение смещения;

5.5.5. Температура - время - давление циклов;

5.5.6. Мощность триода;

5.5.7. Управление деталью (подложкой);

5.6. Для ионной имплантации:

5.6.1 Управление пучком и подложкой;

5.6.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.6.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.6.4. Температура - время - давление циклов;

5.7. Для ионного осаждения:

5.7.1 Управление пучком и подложкой;

5.7.2. Элементы конструкции источника ионов;

5.7.3. Методика управления пучком ионов и параметрами скорости осаждения;

5.7.4. Температура - время - давление циклов;

5.7.5. Скорость подачи источника покрытия и скорость испарения материала;

5.7.6. Температура подложки;

5.7.7. Параметры подаваемого на подложку смещения.



------------+---------------------------------------------+-----------
¦ N пункта  ¦              Наименование <*>               ¦Код ТН ВЭД <**>¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦           ¦          Категория 3. ЭЛЕКТРОНИКА           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦    3.1    ¦Системы, оборудование и компоненты.          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Контрольный статус оборудования и         ¦               ¦
¦           ¦компонентов, указанных в пункте 3.1, других, ¦               ¦
¦           ¦нежели указанных в пунктах 3.1.1.1.3 -       ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.9 или пункте 3.1.1.1.11 и которые    ¦               ¦
¦           ¦специально разработаны или имеют те же самые ¦               ¦
¦           ¦функциональные характеристики, как и другое  ¦               ¦
¦           ¦оборудование, определяется по контрольному   ¦               ¦
¦           ¦статусу такого оборудования.                 ¦               ¦
¦           ¦2. Контрольный статус интегральных схем,     ¦               ¦
¦           ¦указанных в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11, которые являются неизменно¦               ¦
¦           ¦запрограммированными или разработанными для  ¦               ¦
¦           ¦выполнения функций другого оборудования,     ¦               ¦
¦           ¦определяется по контрольному статусу такого  ¦               ¦
¦           ¦оборудования.                                ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Особое примечание.                           ¦               ¦
¦           ¦В тех случаях, когда изготовитель или        ¦               ¦
¦           ¦заявитель не может определить контрольный    ¦               ¦
¦           ¦статус другого оборудования, этот статус     ¦               ¦
¦           ¦определяется контрольным статусом            ¦               ¦
¦           ¦интегральных схем, указанных в пунктах       ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.8 или пункте 3.1.1.1.11  ¦               ¦
¦           ¦Если интегральная схема является кремниевой  ¦               ¦
¦           ¦микросхемой микроЭВМ или микросхемой         ¦               ¦
¦           ¦микроконтроллера, указанными в пункте        ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.1.3 и имеющими длину слова операнда    ¦               ¦
¦           ¦(данных) 8 бит или менее, то ее статус       ¦               ¦
¦           ¦контроля должен определяться в соответствии с¦               ¦
¦           ¦пунктом 3.1.1.1.3                            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦   3.1.1   ¦Электронные компоненты:                      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.1  ¦Нижеперечисленные интегральные микросхемы    ¦               ¦
¦           ¦общего назначения:                           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.1 ¦Интегральные схемы, спроектированные или     ¦8542           ¦
¦           ¦относящиеся к классу радиационно стойких,    ¦               ¦
¦           ¦выдерживающие любое из следующих воздействий:¦               ¦
¦           ¦                        3                5   ¦               ¦
¦           ¦а) суммарную дозу 5 x 10  Гр (Si) [5 x 10    ¦               ¦
¦           ¦рад] или выше;                               ¦               ¦
¦           ¦                       6                  8  ¦               ¦
¦           ¦б) мощность дозы 5 x 10  Гр (Si)/c [5 x 10   ¦               ¦
¦           ¦рад/с] или выше; или                         ¦               ¦
¦           ¦в) флюенс (интегральный поток) нейтронов     ¦               ¦
¦           ¦                                        13   ¦               ¦
¦           ¦(соответствующий энергии в 1 МэВ) 5 x 10     ¦               ¦
¦           ¦н/кв.см или более по кремнию или его         ¦               ¦
¦           ¦эквивалент для других материалов.            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Подпункт "в" пункта 3.1.1.1.1 не применяется ¦               ¦
¦           ¦к структуре металл - диэлектрик -            ¦               ¦
¦           ¦полупроводник (МДП-структуре)                ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.2 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы      ¦8542           ¦
¦           ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров,      ¦               ¦
¦           ¦изготовленные из полупроводниковых соединений¦               ¦
¦           ¦интегральные схемы памяти, аналого-цифровые  ¦               ¦
¦           ¦преобразователи, цифроаналоговые             ¦               ¦
¦           ¦преобразователи, электронно-оптические или   ¦               ¦
¦           ¦оптические интегральные схемы для обработки  ¦               ¦
¦           ¦сигналов, программируемые пользователем      ¦               ¦
¦           ¦логические устройства, заказные интегральные ¦               ¦
¦           ¦схемы, функции которых неизвестны или не     ¦               ¦
¦           ¦известно, распространяется ли статус контроля¦               ¦
¦           ¦на аппаратуру, в которой будут использоваться¦               ¦
¦           ¦эти интегральные схемы, процессоры быстрого  ¦               ¦
¦           ¦преобразования Фурье, электрически           ¦               ¦
¦           ¦перепрограммируемые постоянные запоминающие  ¦               ¦
¦           ¦устройства (ЭППЗУ), память с групповой       ¦               ¦
¦           ¦перезаписью или статические запоминающие     ¦               ¦
¦           ¦устройства с произвольной выборкой (СЗУПВ),  ¦               ¦
¦           ¦имеющие любую из следующих характеристик:    ¦               ¦
¦           ¦а) работоспособные при температуре окружающей¦               ¦
¦           ¦среды выше 398 K (+125 град. C);             ¦               ¦
¦           ¦б) работоспособные при температуре окружающей¦               ¦
¦           ¦среды ниже 218 K (-55 град. C); или          ¦               ¦
¦           ¦в) работоспособные во всем диапазоне         ¦               ¦
¦           ¦температур окружающей среды от 218 K (-55    ¦               ¦
¦           ¦град. C) до 398 K (+125 град. C).            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.2 не применяется к интегральным¦               ¦
¦           ¦схемам, используемым для гражданских         ¦               ¦
¦           ¦автомобилей и железнодорожных поездов        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.3 ¦Микросхемы микропроцессоров, микросхемы      ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦микроЭВМ, микросхемы микроконтроллеров,      ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦изготовленные на полупроводниковых           ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦соединениях и работающие на тактовой частоте,¦               ¦
¦           ¦превышающей 40 МГц.                          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.3 включает процессоры цифровых ¦               ¦
¦           ¦сигналов, цифровые матричные процессоры и    ¦               ¦
¦           ¦цифровые сопроцессоры                        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.4 ¦Интегральные схемы памяти, изготовленные на  ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦полупроводниковых соединениях                ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦                                             ¦8542 39 900 9  ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.5 ¦Следующие интегральные схемы для аналого-    ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦цифровых и цифроаналоговых преобразователей: ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦а) аналого-цифровые преобразователи, имеющие ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик: разрешающую¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦способность 8 бит или более, но менее 10 бит,¦               ¦
¦           ¦со скоростью на выходе более 500 млн. слов в ¦               ¦
¦           ¦секунду; разрешающую способность 10 бит или  ¦               ¦
¦           ¦более, но менее 12 бит, со скоростью на      ¦               ¦
¦           ¦выходе более 200 млн. слов в секунду;        ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность 12 бит со скоростью  ¦               ¦
¦           ¦на выходе более 105 млн. слов в секунду;     ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность более 12 бит, но     ¦               ¦
¦           ¦равную или меньше 14 бит, со скоростью на    ¦               ¦
¦           ¦выходе более 10 млн. слов в секунду; или     ¦               ¦
¦           ¦разрешающую способность более 14 бит со      ¦               ¦
¦           ¦скоростью на выходе более 2,5 млн. слов в    ¦               ¦
¦           ¦секунду;                                     ¦               ¦
¦           ¦б) цифроаналоговые преобразователи с         ¦               ¦
¦           ¦разрешающей способностью 12 бит или более и  ¦               ¦
¦           ¦временем установления сигнала менее 10 нс.   ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Технические примечания:                      ¦               ¦
¦           ¦1. Разрешающая способность n битов           ¦               ¦
¦           ¦               n                             ¦               ¦
¦           ¦соответствует 2  уровням квантования.        ¦               ¦
¦           ¦2. Количество бит в выходном слове           ¦               ¦
¦           ¦соответствует разрешающей способности        ¦               ¦
¦           ¦аналого-цифрового преобразователя.           ¦               ¦
¦           ¦3. Скорость на выходе является максимальной  ¦               ¦
¦           ¦скоростью на выходе преобразователя          ¦               ¦
¦           ¦независимо от структуры или выборки с запасом¦               ¦
¦           ¦по частоте дискретизации. Поставщики могут   ¦               ¦
¦           ¦также ссылаться на скорость на выходе как на ¦               ¦
¦           ¦частоту выборки, скорость преобразования или ¦               ¦
¦           ¦пропускную способность. Ее часто определяют в¦               ¦
¦           ¦мегагерцах (МГц) или миллионах выборок в     ¦               ¦
¦           ¦секунду (Мвыб./с).                           ¦               ¦
¦           ¦4. Для целей измерения скорости на выходе    ¦               ¦
¦           ¦одно выходное слово в секунду равнозначно    ¦               ¦
¦           ¦одному герцу или одной выборке в секунду     ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.6 ¦Электронно-оптические и оптические           ¦8542           ¦
¦           ¦интегральные схемы для обработки сигналов,   ¦               ¦
¦           ¦имеющие одновременно все перечисленные       ¦               ¦
¦           ¦составляющие:                                ¦               ¦
¦           ¦а) один внутренний лазерный диод или более;  ¦               ¦
¦           ¦б) один внутренний светочувствительный       ¦               ¦
¦           ¦элемент или более; и                         ¦               ¦
¦           ¦в) световоды                                 ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.7 ¦Программируемые пользователем логические     ¦8542 39 900 5  ¦
¦           ¦устройства, имеющие любую из следующих       ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) эквивалентное количество задействованных  ¦               ¦
¦           ¦логических элементов более 30000 (в пересчете¦               ¦
¦           ¦на элементы с двумя входами);                ¦               ¦
¦           ¦б) типовое время задержки основного          ¦               ¦
¦           ¦логического элемента менее 0,1 нс; или       ¦               ¦
¦           ¦в) частоту переключения выше 133 МГц.        ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.1.7 включает:                    ¦               ¦
¦           ¦простые программируемые логические устройства¦               ¦
¦           ¦(ППЛУ);                                      ¦               ¦
¦           ¦сложные программируемые логические устройства¦               ¦
¦           ¦(СПЛУ);                                      ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем вентильные     ¦               ¦
¦           ¦матрицы (ППВМ);                              ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем логические     ¦               ¦
¦           ¦матрицы (ППЛМ);                              ¦               ¦
¦           ¦программируемые пользователем межсоединения  ¦               ¦
¦           ¦(ППМС).                                      ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Особое примечание.                           ¦               ¦
¦           ¦Программируемые пользователем логические     ¦               ¦
¦           ¦устройства также известны как программируемые¦               ¦
¦           ¦пользователем вентильные или программируемые ¦               ¦
¦           ¦пользователем логические матрицы             ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.8 ¦Интегральные схемы для нейронных сетей       ¦8542           ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.1.9 ¦Заказные интегральные схемы, функции которых ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦неизвестны или изготовителю не известно,     ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦распространяется ли статус контроля на       ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦аппаратуру, в которой будут использоваться   ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦эти интегральные схемы, с любой из следующих ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) более 1000 выводов;                       ¦               ¦
¦           ¦б) типовое время задержки основного          ¦               ¦
¦           ¦логического элемента менее 0,1 нс; или       ¦               ¦
¦           ¦в) рабочую частоту, превышающую 3 ГГц        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.10 ¦Цифровые интегральные схемы, иные, нежели    ¦8542           ¦
¦           ¦указанные в пунктах 3.1.1.1.3 - 3.1.1.1.9 и  ¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11, созданные на основе любого¦               ¦
¦           ¦полупроводникового соединения и              ¦               ¦
¦           ¦характеризующиеся любым из нижеследующего:   ¦               ¦
¦           ¦а) эквивалентным количеством логических      ¦               ¦
¦           ¦элементов более 3000 (в пересчете на элементы¦               ¦
¦           ¦с двумя входами); или                        ¦               ¦
¦           ¦б) частотой переключения выше 1,2 ГГц        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.1.11 ¦Процессоры быстрого преобразования Фурье,    ¦8542 31 900 1; ¦
¦           ¦имеющие расчетное время выполнения           ¦8542 31 900 9; ¦
¦           ¦комплексного N-точечного сложного быстрого   ¦8542 39 900 9  ¦
¦           ¦преобразования Фурье менее (N log2 N) / 20   ¦               ¦
¦           ¦480 мс, где N - количество точек.            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦В случае когда N равно 1024 точкам, формула в¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.1.11 дает результат времени     ¦               ¦
¦           ¦выполнения 500 мкс.                          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Контрольный статус подложек (готовых или  ¦               ¦
¦           ¦полуфабрикатов), на которых воспроизведена   ¦               ¦
¦           ¦конкретная функция, оценивается по           ¦               ¦
¦           ¦параметрам, указанным в пункте 3.1.1.1       ¦               ¦
¦           ¦2. Понятие "интегральные схемы" включает     ¦               ¦
¦           ¦следующие типы: монолитные интегральные      ¦               ¦
¦           ¦схемы; гибридные интегральные схемы;         ¦               ¦
¦           ¦многокристальные интегральные схемы;         ¦               ¦
¦           ¦пленочные интегральные схемы, включая        ¦               ¦
¦           ¦интегральные схемы типа "кремний на сапфире";¦               ¦
¦           ¦оптические интегральные схемы                ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.2  ¦Компоненты микроволнового или миллиметрового ¦               ¦
¦           ¦диапазона:                                   ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.1 ¦Нижеперечисленные электронные вакуумные лампы¦               ¦
¦           ¦и катоды:                                    ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.1¦Лампы бегущей волны импульсного или          ¦8540 79 000 0  ¦
¦           ¦непрерывного действия:                       ¦               ¦
¦           ¦а) работающие на частотах, превышающих 31,8  ¦               ¦
¦           ¦ГГц;                                         ¦               ¦
¦           ¦б) имеющие элемент подогрева катода со       ¦               ¦
¦           ¦временем выхода лампы на предельную          ¦               ¦
¦           ¦радиочастотную мощность менее 3 с;           ¦               ¦
¦           ¦в) лампы с сопряженными резонаторами или их  ¦               ¦
¦           ¦модификации с относительной шириной полосы   ¦               ¦
¦           ¦частот более 7% или пиком мощности,          ¦               ¦
¦           ¦превышающим 2,5 кВт;                         ¦               ¦
¦           ¦г) спиральные лампы или их модификации,      ¦               ¦
¦           ¦имеющие любую из следующих характеристик:    ¦               ¦
¦           ¦мгновенную ширину полосы частот более одной  ¦               ¦
¦           ¦октавы и произведение средней мощности       ¦               ¦
¦           ¦(выраженной в кВт) на рабочую частоту        ¦               ¦
¦           ¦(выраженную в ГГц) более 0,5; мгновенную     ¦               ¦
¦           ¦ширину полосы частот в одну октаву или менее ¦               ¦
¦           ¦и произведение средней мощности (выраженной в¦               ¦
¦           ¦кВт) на рабочую частоту (выраженную в ГГц)   ¦               ¦
¦           ¦более 1; или                                 ¦               ¦
¦           ¦пригодные для применения в космосе           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.2¦Лампы-усилители магнетронного типа с         ¦8540 71 000 0  ¦
¦           ¦коэффициентом усиления более 17 дБ           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.2.1.3¦Импрегнированные катоды, разработанные для   ¦8540 99 000 0  ¦
¦           ¦электронных ламп, эмитирующие в непрерывном  ¦               ¦
¦           ¦режиме и штатных условиях работы ток         ¦               ¦
¦           ¦плотностью, превышающей 5 А/кв.см.           ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются     ¦               ¦
¦           ¦лампы, спроектированные для работы в любом   ¦               ¦
¦           ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦               ¦
¦           ¦следующим характеристикам:                   ¦               ¦
¦           ¦а) частота не превышает 31,8 ГГц; и          ¦               ¦
¦           ¦б) диапазон распределен Международным союзом ¦               ¦
¦           ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦               ¦
¦           ¦не для радиоопределения.                     ¦               ¦
¦           ¦2. По пункту 3.1.1.2.1 не контролируются     ¦               ¦
¦           ¦лампы, которые непригодны для применения в   ¦               ¦
¦           ¦космосе и удовлетворяют всем следующим       ¦               ¦
¦           ¦характеристикам:                             ¦               ¦
¦           ¦а) средняя выходная мощность не более 50 Вт; ¦               ¦
¦           ¦и                                            ¦               ¦
¦           ¦б) спроектированные для работы в любом       ¦               ¦
¦           ¦диапазоне частот, который удовлетворяет всем ¦               ¦
¦           ¦следующим характеристикам: частота выше 31,8 ¦               ¦
¦           ¦ГГц, но не превышает 43,5 ГГц; и диапазон    ¦               ¦
¦           ¦распределен Международным союзом электросвязи¦               ¦
¦           ¦для обслуживания радиосвязи, но не для       ¦               ¦
¦           ¦радиоопределения                             ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.2 ¦Монолитные микроволновые интегральные схемы  ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦(ММИС) - усилители мощности, имеющие любую из¦8542 33 000;   ¦
¦           ¦следующих характеристик:                     ¦8542 39 900 5; ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦8543 90 000 1  ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со     ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 4 Вт ¦               ¦
¦           ¦(36 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 15%;                                   ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 16 ГГц включительно и со      ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦               ¦
¦           ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 16 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со   ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,8  ¦               ¦
¦           ¦Вт (29 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦               ¦
¦           ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;     ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 0,25 ¦               ¦
¦           ¦Вт (24 дБ, отсчитываемых относительно уровня ¦               ¦
¦           ¦1 мВт), с относительной шириной полосы частот¦               ¦
¦           ¦более 10%; или                               ¦               ¦
¦           ¦е) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц.                               ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. По пункту 3.1.1.2.2 не контролируется     ¦               ¦
¦           ¦радиопередающее спутниковое оборудование,    ¦               ¦
¦           ¦разработанное или предназначенное для работы ¦               ¦
¦           ¦в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5 ГГц.     ¦               ¦
¦           ¦2. Контрольный статус ММИС, номинальные      ¦               ¦
¦           ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦               ¦
¦           ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах  ¦               ¦
¦           ¦"а" - "е" пункта 3.1.1.2.2, определяется     ¦               ¦
¦           ¦наименьшим контрольным порогом средней       ¦               ¦
¦           ¦выходной мощности.                           ¦               ¦
¦           ¦3. Примечания, приведенные после пункта 3.1  ¦               ¦
¦           ¦категории 3, подразумевают, что по пункту    ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.2.2 не контролируются ММИС, если они   ¦               ¦
¦           ¦специально разработаны для иных целей,       ¦               ¦
¦           ¦например для телекоммуникаций,               ¦               ¦
¦           ¦радиолокационных станций, автомобилей        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.3 ¦Дискретные микроволновые транзисторы, имеющие¦8541 21 000 0; ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик:            ¦8541 29 000 0  ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и имеющие¦               ¦
¦           ¦среднюю выходную мощность, превышающую 60 Вт ¦               ¦
¦           ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦               ¦
¦           ¦мВт);                                        ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и       ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 20 Вт (43 дБ, отсчитываемых      ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт);                  ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно и    ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 0,5 Вт (27 дБ, отсчитываемых     ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт);                  ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и    ¦               ¦
¦           ¦имеющие среднюю выходную мощность,           ¦               ¦
¦           ¦превышающую 1 Вт (30 дБ, отсчитываемых       ¦               ¦
¦           ¦относительно уровня 1 мВт); или              ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц.                               ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Контрольный статус транзисторов, номинальные ¦               ¦
¦           ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦               ¦
¦           ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах  ¦               ¦
¦           ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.3, определяется     ¦               ¦
¦           ¦наименьшим контрольным порогом средней       ¦               ¦
¦           ¦выходной мощности                            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.4 ¦Микроволновые твердотельные усилители и      ¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦микроволновые сборки/модули, содержащие такие¦               ¦
¦           ¦усилители, имеющие любую из следующих        ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 3,2 ГГц до 6 ГГц включительно и со     ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 60 Вт¦               ¦
¦           ¦(47,8 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 15%;                                   ¦               ¦
¦           ¦б) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 6 ГГц до 31,8 ГГц включительно и со    ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 15 Вт¦               ¦
¦           ¦(42 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦в) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 31,8 ГГц до 37,5 ГГц включительно;     ¦               ¦
¦           ¦г) предназначенные для работы на частотах от ¦               ¦
¦           ¦более 37,5 ГГц до 43,5 ГГц включительно и со ¦               ¦
¦           ¦средней выходной мощностью, превышающей 1 Вт ¦               ¦
¦           ¦(30 дБ, отсчитываемых относительно уровня 1  ¦               ¦
¦           ¦мВт), с относительной шириной полосы частот  ¦               ¦
¦           ¦более 10%;                                   ¦               ¦
¦           ¦д) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 43,5 ГГц; или                           ¦               ¦
¦           ¦е) предназначенные для работы на частотах    ¦               ¦
¦           ¦выше 3,2 ГГц и имеющие все следующее:        ¦               ¦
¦           ¦среднюю выходную мощность Р (Вт), большую,   ¦               ¦
¦           ¦чем результат от деления величины 150 (Вт x  ¦               ¦
¦           ¦   2                                         ¦               ¦
¦           ¦ГГц ) на максимальную рабочую частоту f      ¦               ¦
¦           ¦                                     2       ¦               ¦
¦           ¦(ГГц) в квадрате, то есть: Р > 150/f   или в ¦               ¦
¦           ¦                                      2      ¦               ¦
¦           ¦единицах размерности [(Вт) > (Вт x ГГц ) /   ¦               ¦
¦           ¦     2                                       ¦               ¦
¦           ¦(ГГц) ];                                     ¦               ¦
¦           ¦относительную ширину полосы частот 5% или    ¦               ¦
¦           ¦более;                                       ¦               ¦
¦           ¦любые две взаимно перпендикулярные стороны с ¦               ¦
¦           ¦длиной d (см), равной или меньше, чем        ¦               ¦
¦           ¦результат от деления величины 15 (см x ГГц)  ¦               ¦
¦           ¦на наименьшую рабочую частоту f (ГГц), то    ¦               ¦
¦           ¦есть: d <= 15/f или в единицах размерности   ¦               ¦
¦           ¦[(см) <= (см x ГГц) / (ГГц)].                ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦Для усилителей, имеющих номинальный рабочий  ¦               ¦
¦           ¦диапазон частот, простирающийся в сторону    ¦               ¦
¦           ¦уменьшения до 3,2 ГГц и ниже, в формуле      ¦               ¦
¦           ¦последнего абзаца подпункта "е" пункта       ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.2.4 значение наименьшей рабочей частоты¦               ¦
¦           ¦f (ГГц) следует принимать равным 3,2 ГГц, то ¦               ¦
¦           ¦есть: d <= 15/3,2 или в единицах размерности ¦               ¦
¦           ¦[(см) <= (см · ГГц) / ГГц].                  ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Особое примечание.                           ¦               ¦
¦           ¦Для оценки ММИС усилителей мощности должны   ¦               ¦
¦           ¦применяться критерии, описанные в пункте     ¦               ¦
¦           ¦3.1.1.2.2                                    ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Пункт 3.1.1.2.4 не применяется к          ¦               ¦
¦           ¦радиопередающему спутниковому оборудованию,  ¦               ¦
¦           ¦разработанному или предназначенному для      ¦               ¦
¦           ¦работы в полосе частот от 40,5 ГГц до 42,5   ¦               ¦
¦           ¦ГГц.                                         ¦               ¦
¦           ¦2. Контрольный статус изделий, номинальные   ¦               ¦
¦           ¦рабочие частоты которых относятся к более чем¦               ¦
¦           ¦одной полосе частот, указанной в подпунктах  ¦               ¦
¦           ¦"а" - "д" пункта 3.1.1.2.4, определяется     ¦               ¦
¦           ¦наименьшим контрольным порогом средней       ¦               ¦
¦           ¦выходной мощности                            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.5 ¦Полосовые или заградительные фильтры с       ¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦электронной или магнитной перестройкой,      ¦               ¦
¦           ¦содержащие более пяти настраиваемых          ¦               ¦
¦           ¦резонаторов, обеспечивающих настройку в      ¦               ¦
¦           ¦полосе частот с соотношением максимальной и  ¦               ¦
¦           ¦минимальной частот 1,5:1 (f    / f   ) менее ¦               ¦
¦           ¦                           max    min        ¦               ¦
¦           ¦чем за 10 мкс, и имеющие любую из следующих  ¦               ¦
¦           ¦характеристик:                               ¦               ¦
¦           ¦а) полосу пропускания частоты более 0,5% от  ¦               ¦
¦           ¦резонансной частоты; или                     ¦               ¦
¦           ¦б) полосу подавления частоты менее 0,5% от   ¦               ¦
¦           ¦резонансной частоты                          ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.6 ¦Преобразователи и смесители на гармониках,   ¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦разработанные для расширения частотного      ¦               ¦
¦           ¦диапазона аппаратуры, описанной в пункте     ¦               ¦
¦           ¦3.1.2.3, 3.1.2.4, 3.1.2.5 или 3.1.2.6, сверх ¦               ¦
¦           ¦пороговых значений, установленных в этих     ¦               ¦
¦           ¦пунктах                                      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.7 ¦Микроволновые усилители мощности СВЧ-        ¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦диапазона, содержащие лампы, определенные в  ¦               ¦
¦           ¦пункте 3.1.1.2.1, и имеющие все следующие    ¦               ¦
¦           ¦характеристики:                              ¦               ¦
¦           ¦а) рабочие частоты выше 3 ГГц;               ¦               ¦
¦           ¦б) плотность средней выходной мощности,      ¦               ¦
¦           ¦превышающую 80 Вт/кг; и                      ¦               ¦
¦           ¦в) объем менее 400 куб.см.                   ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Пункт 3.1.1.2.7 не применяется к аппаратуре, ¦               ¦
¦           ¦разработанной или установленной изготовителем¦               ¦
¦           ¦для работы в любом диапазоне частот,         ¦               ¦
¦           ¦распределенном Международным союзом          ¦               ¦
¦           ¦электросвязи для обслуживания радиосвязи, но ¦               ¦
¦           ¦не для радиоопределения                      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.2.8 ¦Микроволновые модули питания (ММП),          ¦8540 79 000 0; ¦
¦           ¦содержащие, по крайней мере, лампу бегущей   ¦8542 31 900 3; ¦
¦           ¦волны, монолитную микроволновую интегральную ¦8543 70 900 9; ¦
¦           ¦схему и встроенный электронный стабилизатор  ¦8543 90 000 1  ¦
¦           ¦напряжения, имеющие все следующие            ¦               ¦
¦           ¦характеристики:                              ¦               ¦
¦           ¦а) время включения от выключенного состояния ¦               ¦
¦           ¦до полностью эксплуатационного состояния     ¦               ¦
¦           ¦менее 10 с;                                  ¦               ¦
¦           ¦б) физический объем ниже произведения        ¦               ¦
¦           ¦максимальной номинальной мощности в ваттах на¦               ¦
¦           ¦10 куб.см/Вт; и                              ¦               ¦
¦           ¦в) мгновенную ширину полосы частот более     ¦               ¦
¦           ¦одной октавы (f    > 2f   ) и любое из       ¦               ¦
¦           ¦               max     min                   ¦               ¦
¦           ¦следующего:                                  ¦               ¦
¦           ¦для частот, равных или ниже 18 ГГц,          ¦               ¦
¦           ¦радиочастотную выходную мощность более 100   ¦               ¦
¦           ¦Вт; или                                      ¦               ¦
¦           ¦частоту выше 18 ГГц.                         ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Технические примечания:                      ¦               ¦
¦           ¦1. Для подпункта "а" пункта 3.1.1.2.8 время  ¦               ¦
¦           ¦включения относится к периоду времени от     ¦               ¦
¦           ¦полностью выключенного состояния до полностью¦               ¦
¦           ¦эксплуатационного состояния, то есть оно     ¦               ¦
¦           ¦включает время готовности ММП.               ¦               ¦
¦           ¦2. Для подпункта "б" пункта 3.1.1.2.8        ¦               ¦
¦           ¦приводится следующий пример расчета          ¦               ¦
¦           ¦физического объема ММП. Для максимальной     ¦               ¦
¦           ¦номинальной мощности 20 Вт физический объем  ¦               ¦
¦           ¦определяется как 20 [Вт] x 10 [куб.см/Вт] =  ¦               ¦
¦           ¦200 [куб.см]. Это значение физического объема¦               ¦
¦           ¦является контрольным показателем и           ¦               ¦
¦           ¦сравнивается с фактическим физическим объемом¦               ¦
¦           ¦ММП                                          ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.3  ¦Приборы на акустических волнах и специально  ¦               ¦
¦           ¦разработанные для них компоненты:            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.1 ¦Приборы на поверхностных акустических волнах ¦8541 60 000 0  ¦
¦           ¦и на акустических волнах в тонком            ¦               ¦
¦           ¦поверхностном слое (то есть приборы для      ¦               ¦
¦           ¦обработки сигналов, использующие упругие     ¦               ¦
¦           ¦волны в материале), имеющие любую из         ¦               ¦
¦           ¦следующих характеристик:                     ¦               ¦
¦           ¦а) несущую частоту выше 6 ГГц;               ¦               ¦
¦           ¦б) несущую частоту выше 1 ГГц, но не         ¦               ¦
¦           ¦превышающую 6 ГГц, и дополнительно имеющие   ¦               ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик: частотное  ¦               ¦
¦           ¦подавление боковых лепестков диаграммы       ¦               ¦
¦           ¦направленности более 55 дБ; произведение     ¦               ¦
¦           ¦максимального времени задержки (в мкс) на    ¦               ¦
¦           ¦ширину полосы частот (в МГц) более 100;      ¦               ¦
¦           ¦ширину полосы частот выше 250 МГц; или       ¦               ¦
¦           ¦дисперсионную задержку более 10 мкс; или     ¦               ¦
¦           ¦в) несущую частоту 1 ГГц и ниже и            ¦               ¦
¦           ¦дополнительно имеющие любую из следующих     ¦               ¦
¦           ¦характеристик: произведение максимального    ¦               ¦
¦           ¦времени задержки (в мкс) на ширину полосы    ¦               ¦
¦           ¦частот (в МГц) более 100; дисперсионную      ¦               ¦
¦           ¦задержку более 10 мкс; или частотное         ¦               ¦
¦           ¦подавление боковых лепестков диаграммы       ¦               ¦
¦           ¦направленности более 55 дБ и ширину полосы   ¦               ¦
¦           ¦частот, превышающую 100 МГц                  ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.2 ¦Приборы на объемных акустических волнах (то  ¦8541 60 000 0  ¦
¦           ¦есть приборы для обработки сигналов,         ¦               ¦
¦           ¦использующие упругие волны в материале),     ¦               ¦
¦           ¦обеспечивающие непосредственную обработку    ¦               ¦
¦           ¦сигналов на частотах, превышающих 2,5 ГГц    ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.3.3 ¦Акустооптические приборы обработки сигналов, ¦8541 60 000 0  ¦
¦           ¦использующие взаимодействие между            ¦               ¦
¦           ¦акустическими волнами (объемными или         ¦               ¦
¦           ¦поверхностными) и световыми волнами, что     ¦               ¦
¦           ¦позволяет непосредственно обрабатывать       ¦               ¦
¦           ¦сигналы или изображения, включая анализ      ¦               ¦
¦           ¦спектра, корреляцию или свертку              ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.4  ¦Электронные приборы и схемы, содержащие      ¦8540;          ¦
¦           ¦компоненты, изготовленные из сверхпроводящих ¦8541;          ¦
¦           ¦материалов, специально спроектированные для  ¦8542;          ¦
¦           ¦работы при температурах ниже критической     ¦8543           ¦
¦           ¦температуры хотя бы одной из сверхпроводящих ¦               ¦
¦           ¦составляющих, имеющие хотя бы один из        ¦               ¦
¦           ¦следующих признаков:                         ¦               ¦
¦           ¦а) токовые переключатели для цифровых схем,  ¦               ¦
¦           ¦использующие сверхпроводящие вентили, у      ¦               ¦
¦           ¦которых произведение времени задержки на     ¦               ¦
¦           ¦вентиль (в секундах) на рассеиваемую мощность¦               ¦
¦           ¦                              -14            ¦               ¦
¦           ¦на вентиль (в ваттах) менее 10    Дж; или    ¦               ¦
¦           ¦б) селекцию частоты на всех частотах с       ¦               ¦
¦           ¦использованием резонансных контуров с        ¦               ¦
¦           ¦добротностью, превышающей 10000              ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.5  ¦Нижеперечисленные мощные энергетические      ¦               ¦
¦           ¦устройства:                                  ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.1 ¦Элементы, такие как:                         ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.1.1¦Первичные элементы с плотностью энергии,     ¦8506           ¦
¦           ¦превышающей 550 Вт·ч/кг при температуре 20 °C¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.1.2¦Вторичные элементы с плотностью энергии,     ¦8507           ¦
¦           ¦превышающей 250 Вт·ч/кг при температуре 20   ¦               ¦
¦           ¦°C.                                          ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Технические примечания:                      ¦               ¦
¦           ¦1. Для целей пункта 3.1.1.5.1 плотность      ¦               ¦
¦           ¦энергии (Вт·ч/кг) определяется произведением ¦               ¦
¦           ¦номинального напряжения в вольтах на         ¦               ¦
¦           ¦номинальную емкость в ампер-часах, поделенным¦               ¦
¦           ¦на массу в килограммах. Если номинальная     ¦               ¦
¦           ¦емкость не установлена, плотность энергии    ¦               ¦
¦           ¦определяется произведением возведенного в    ¦               ¦
¦           ¦квадрат номинального напряжения в вольтах на ¦               ¦
¦           ¦длительность разряда в часах, поделенным на  ¦               ¦
¦           ¦произведение сопротивления нагрузки разряда в¦               ¦
¦           ¦омах на массу в килограммах.                 ¦               ¦
¦           ¦2. Для целей пункта 3.1.1.5.1 "элемент"      ¦               ¦
¦           ¦определяется как электрохимическое           ¦               ¦
¦           ¦устройство, имеющее положительные и          ¦               ¦
¦           ¦отрицательные электроды и электролит и       ¦               ¦
¦           ¦являющееся источником электроэнергии. Он     ¦               ¦
¦           ¦является основным компоновочным блоком       ¦               ¦
¦           ¦батареи.                                     ¦               ¦
¦           ¦3. Для целей пункта 3.1.1.5.1.1 "первичный   ¦               ¦
¦           ¦элемент" определяется как элемент, который не¦               ¦
¦           ¦предназначен для заряда каким-либо другим    ¦               ¦
¦           ¦источником энергии.                          ¦               ¦
¦           ¦4. Для целей пункта 3.1.1.5.1.2 "вторичный   ¦               ¦
¦           ¦элемент" определяется как элемент, который   ¦               ¦
¦           ¦предназначен для заряда каким-либо внешним   ¦               ¦
¦           ¦источником энергии                           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦По пункту 3.1.1.5.1 не контролируются        ¦               ¦
¦           ¦батареи, включая батареи, содержащие один    ¦               ¦
¦           ¦элемент                                      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.2 ¦Высокоэнергетические накопительные           ¦               ¦
¦           ¦конденсаторы:                                ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.2.1¦Конденсаторы с частотой повторения ниже 10 Гц¦8506;          ¦
¦           ¦(одноразрядные конденсаторы), имеющие все    ¦8507;          ¦
¦           ¦следующие характеристики:                    ¦8532           ¦
¦           ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более;    ¦               ¦
¦           ¦б) плотность энергии 250 Дж/кг или более; и  ¦               ¦
¦           ¦в) полную энергию 25 кДж или более           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦3.1.1.5.2.2¦Конденсаторы с частотой повторения 10 Гц и   ¦8506;          ¦
¦           ¦выше (многоразрядные конденсаторы), имеющие  ¦8507;          ¦
¦           ¦все следующие характеристики:                ¦8532           ¦
¦           ¦а) номинальное напряжение 5 кВ или более;    ¦               ¦
¦           ¦б) плотность энергии 50 Дж/кг или более;     ¦               ¦
¦           ¦в) полную энергию 100 Дж или более; и        ¦               ¦
¦           ¦г) количество циклов заряд-разряда 10000 или ¦               ¦
¦           ¦более                                        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.3 ¦Сверхпроводящие электромагниты и соленоиды,  ¦8504 50;       ¦
¦           ¦специально разработанные на полный заряд или ¦8505 90 100 0  ¦
¦           ¦разряд менее чем за 1 с, имеющие все         ¦               ¦
¦           ¦нижеперечисленные характеристики:            ¦               ¦
¦           ¦а) энергию, выделяемую при разряде,          ¦               ¦
¦           ¦превышающую 10 кДж за первую секунду;        ¦               ¦
¦           ¦б) внутренний диаметр токонесущих обмоток    ¦               ¦
¦           ¦более 250 мм; и                              ¦               ¦
¦           ¦в) номинальную магнитную индукцию больше 8 Т ¦               ¦
¦           ¦или суммарную плотность тока в обмотке более ¦               ¦
¦           ¦300 А/кв.мм.                                 ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦По пункту 3.1.1.5.3 не контролируются        ¦               ¦
¦           ¦сверхпроводящие электромагниты или соленоиды,¦               ¦
¦           ¦специально разработанные для медицинской     ¦               ¦
¦           ¦аппаратуры магниторезонансной томографии     ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.1.5.4 ¦Солнечные элементы, сборки электрически      ¦8541 40 900 0  ¦
¦           ¦соединенных элементов под защитным стеклом,  ¦               ¦
¦           ¦солнечные панели и солнечные батареи,        ¦               ¦
¦           ¦пригодные для применения в космосе, имеющие  ¦               ¦
¦           ¦минимальное значение среднего КПД элементов  ¦               ¦
¦           ¦более 20% при рабочей температуре 301 K (28  ¦               ¦
¦           ¦°C) под освещением с поверхностной плотностью¦               ¦
¦           ¦потока излучения 1367 Вт/кв.м при имитации   ¦               ¦
¦           ¦условий нулевой воздушной массы (АМО).       ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦АМО (нулевая воздушная масса) определяется   ¦               ¦
¦           ¦спектральной плотностью потока солнечного    ¦               ¦
¦           ¦света за пределами атмосферы при расстоянии  ¦               ¦
¦           ¦между Землей и Солнцем, равным одной         ¦               ¦
¦           ¦астрономической единице (АЕ)                 ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.6  ¦Цифровые преобразователи абсолютного углового¦9031 80 320 0; ¦
¦           ¦положения вращающегося вала, имеющие любую из¦9031 80 340 0  ¦
¦           ¦следующих характеристик:                     ¦               ¦
¦           ¦а) разрешение лучше 1/265000 от полного      ¦               ¦
¦           ¦диапазона (18 бит); или                      ¦               ¦
¦           ¦б) точность лучше +/-2,5 угл. С              ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.1.7  ¦Твердотельные импульсные силовые             ¦8536 50 030 0; ¦
¦           ¦коммутационные тиристорные устройства и      ¦8536 50 800 0; ¦
¦           ¦тиристорные модули, использующие методы      ¦8541 30 000 9  ¦
¦           ¦электрического, оптического или электронно-  ¦               ¦
¦           ¦эмиссионного управления переключением,       ¦               ¦
¦           ¦имеющие любую из следующих характеристик:    ¦               ¦
¦           ¦а) максимальную скорость нарастания          ¦               ¦
¦           ¦отпирающего тока (di/dt) более 30000 А/мкс и ¦               ¦
¦           ¦напряжение в закрытом состоянии более 1100 В;¦               ¦
¦           ¦или                                          ¦               ¦
¦           ¦б) максимальную скорость нарастания          ¦               ¦
¦           ¦отпирающего тока (di/dt) более 2000 А/мкс и  ¦               ¦
¦           ¦все нижеследующее: импульсное напряжение в   ¦               ¦
¦           ¦закрытом состоянии, равное 3000 В или более; ¦               ¦
¦           ¦и максимальный ток в импульсе (ударный ток)  ¦               ¦
¦           ¦более 3000 А.                                ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦Для целей пункта 3.1.1.7 тиристорный модуль  ¦               ¦
¦           ¦содержит одно или несколько тиристорных      ¦               ¦
¦           ¦устройств.                                   ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечания:                                  ¦               ¦
¦           ¦1. Пункт 3.1.1.7 включает: кремниевые        ¦               ¦
¦           ¦триодные тиристоры; электрические триггерные ¦               ¦
¦           ¦тиристоры; световые триггерные тиристоры;    ¦               ¦
¦           ¦коммутационные тиристоры с интегральными     ¦               ¦
¦           ¦вентилями; вентильные запираемые тиристоры;  ¦               ¦
¦           ¦управляемые тиристоры на МОП-структуре       ¦               ¦
¦           ¦(структуре металл-оксид-полупроводник);      ¦               ¦
¦           ¦солидтроны.                                  ¦               ¦
¦           ¦2. По пункту 3.1.1.7 не контролируются       ¦               ¦
¦           ¦тиристорные устройства и тиристорные модули, ¦               ¦
¦           ¦интегрированные в оборудование, разработанное¦               ¦
¦           ¦для применения на железнодорожном транспорте ¦               ¦
¦           ¦или в гражданских летательных аппаратах      ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦   3.1.2   ¦Нижеперечисленная электронная аппаратура     ¦               ¦
¦           ¦общего назначения:                           ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.2.1  ¦Записывающая аппаратура и специально         ¦               ¦
¦           ¦разработанная измерительная магнитная лента  ¦               ¦
¦           ¦для нее:                                     ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.1 ¦Устройства записи на магнитной ленте         ¦8519 81 540 1; ¦
¦           ¦показаний аналоговой аппаратуры, включая     ¦8519 81 580;   ¦
¦           ¦аппаратуру с возможностью записи цифровых    ¦8519 81 900 0; ¦
¦           ¦сигналов (например, использующие модуль      ¦8519 89 900 0; ¦
¦           ¦цифровой записи высокой плотности), имеющие  ¦8521 10 200 0; ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик:            ¦8521 10 950 0  ¦
¦           ¦а) полосу частот, превышающую 4 МГц на       ¦               ¦
¦           ¦электронный канал или дорожку;               ¦               ¦
¦           ¦б) полосу частот, превышающую 2 МГц на       ¦               ¦
¦           ¦электронный канал или дорожку, при количестве¦               ¦
¦           ¦дорожек более 42; или                        ¦               ¦
¦           ¦в) ошибку рассогласования (основную)         ¦               ¦
¦           ¦временной шкалы, измеренную по методикам     ¦               ¦
¦           ¦соответствующих руководящих материалов       ¦               ¦
¦           ¦Межведомственного совета по                  ¦               ¦
¦           ¦радиопромышленности (IRIG) или Ассоциации    ¦               ¦
¦           ¦электронной промышленности (EIA), менее      ¦               ¦
¦           ¦+/-0,1 мкс.                                  ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦Аналоговые видеомагнитофоны на магнитной     ¦               ¦
¦           ¦ленте, специально разработанные для          ¦               ¦
¦           ¦гражданского применения, не рассматриваются  ¦               ¦
¦           ¦как записывающие устройства, использующие    ¦               ¦
¦           ¦ленту                                        ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.2 ¦Цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦8521 10;       ¦
¦           ¦имеющие максимальную пропускную способность  ¦8521 90 000 9  ¦
¦           ¦цифрового интерфейса более 360 Мбит/с.       ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦По пункту 3.1.2.1.2 не контролируются        ¦               ¦
¦           ¦цифровые видеомагнитофоны на магнитной ленте,¦               ¦
¦           ¦специально разработанные для телевизионной   ¦               ¦
¦           ¦записи, использующие формат сигнала, который ¦               ¦
¦           ¦может включать сжатие формата сигнала,       ¦               ¦
¦           ¦стандартизированный или рекомендуемый для    ¦               ¦
¦           ¦применения в гражданском телевидении         ¦               ¦
¦           ¦Международным союзом электросвязи,           ¦               ¦
¦           ¦Международной электротехнической комиссией,  ¦               ¦
¦           ¦Организацией инженеров по развитию кино и    ¦               ¦
¦           ¦телевидения, Европейским союзом радиовещания,¦               ¦
¦           ¦Европейским институтом стандартов по         ¦               ¦
¦           ¦телекоммуникациям или Институтом инженеров по¦               ¦
¦           ¦электротехнике и радиоэлектронике            ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.3 ¦Устройства записи на магнитной ленте         ¦8471 70 800 0; ¦
¦           ¦показаний цифровой аппаратуры, использующие  ¦8521 10        ¦
¦           ¦принципы спирального сканирования или        ¦               ¦
¦           ¦принципы фиксированной головки и имеющие     ¦               ¦
¦           ¦любую из следующих характеристик:            ¦               ¦
¦           ¦а) максимальную пропускную способность       ¦               ¦
¦           ¦цифрового интерфейса более 175 Мбит/с; или   ¦               ¦
¦           ¦б) пригодные для применения в космосе.       ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Примечание.                                  ¦               ¦
¦           ¦По пункту 3.1.2.1.3 не контролируются        ¦               ¦
¦           ¦устройства записи данных на магнитной ленте, ¦               ¦
¦           ¦оснащенные электронными блоками для          ¦               ¦
¦           ¦преобразования в цифровую запись высокой     ¦               ¦
¦           ¦плотности и предназначенные для записи только¦               ¦
¦           ¦цифровых данных                              ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.4 ¦Аппаратура с максимальной пропускной         ¦8521 90 000 9  ¦
¦           ¦способностью цифрового интерфейса,           ¦               ¦
¦           ¦превышающей 175 Мбит/с, разработанная в целях¦               ¦
¦           ¦переделки цифровых видеомагнитофонов на      ¦               ¦
¦           ¦магнитной ленте для использования их как     ¦               ¦
¦           ¦устройств записи данных цифровой аппаратуры  ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.5 ¦Приборы для преобразования сигналов в        ¦8471 90 000 0; ¦
¦           ¦цифровую форму и записи переходных процессов,¦8543 70 900 9  ¦
¦           ¦имеющие все следующие характеристики:        ¦               ¦
¦           ¦а) скорость преобразования в цифровую форму  ¦               ¦
¦           ¦200 млн. проб в секунду или более и          ¦               ¦
¦           ¦разрешение 10 бит или более; и               ¦               ¦
¦           ¦б) непрерывную пропускную способность 2      ¦               ¦
¦           ¦Гбит/с или более.                            ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦
¦           ¦Техническое примечание.                      ¦               ¦
¦           ¦Для таких приборов с архитектурой на         ¦               ¦
¦           ¦параллельной шине непрерывная пропускная     ¦               ¦
¦           ¦способность есть произведение наибольшего    ¦               ¦
¦           ¦объема слов на количество бит в слове.       ¦               ¦
¦           ¦Непрерывная пропускная способность - это     ¦               ¦
¦           ¦наивысшая скорость передачи данных           ¦               ¦
¦           ¦аппаратуры, с которой информация поступает в ¦               ¦
¦           ¦запоминающее устройство без потерь при       ¦               ¦
¦           ¦сохранении скорости выборки и аналого-       ¦               ¦
¦           ¦цифрового преобразования                     ¦               ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.1.6 ¦Устройства записи данных цифровой аппаратуры,¦8471 50 000 0; ¦
¦           ¦использующие способ хранения на магнитном    ¦8471 60;       ¦
¦           ¦диске, имеющие все следующие характеристики: ¦8471 70 200 0; ¦
¦           ¦а) скорость преобразования в цифровую форму  ¦8471 70 300 0; ¦
¦           ¦100 млн. проб в секунду и разрешение 8 бит   ¦8471 70 500 0; ¦
¦           ¦или более; и                                 ¦8519 81 900 0; ¦
¦           ¦б) непрерывную пропускную способность не     ¦8519 89 900 0; ¦
¦           ¦менее 1 Гбит/с или более                     ¦8521 90 000 9; ¦
¦           ¦                                             ¦8522 90 400 0; ¦
¦           ¦                                             ¦8522 90 800 0  ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦  3.1.2.2  ¦Электронные сборки синтезаторов частот,      ¦8543 20 000 0  ¦
¦           ¦имеющие время переключения частоты менее     ¦               ¦
¦           ¦1 мс.                                        ¦               ¦
¦           ¦                                             ¦               ¦

Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 |



Archiv Dokumente
Папярэдні | Наступны
Новости законодательства

Новости Спецпроекта "Тюрьма"

Новости сайта
Новости Беларуси

Полезные ресурсы

Счетчики
Rambler's Top100
TopList