|
|
|
|
Навигация
Новые документы
Реклама
Ресурсы в тему
|
Постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь, Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 01.04.2009 № 5/23 "О внесении изменений и дополнений в постановление Государственного военно-промышленного комитета Республики Беларусь и Государственного таможенного комитета Республики Беларусь от 28 декабря 2007 г. № 15/137"< Главная страница Стр. 7Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус анализаторов сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦генераторов сигналов, схемных анализаторов и ¦ ¦ ¦ ¦микроволновых приемников-тестеров как ¦ ¦ ¦ ¦функционально законченных приборов ¦ ¦ ¦ ¦определяется по пункту 3.1.2.3, 3.1.2.4, ¦ ¦ ¦ ¦3.1.2.5 или 3.1.2.6 соответственно ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.3 ¦Анализаторы сигналов радиочастот: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.3.1 ¦Анализаторы сигналов, способные анализировать¦9030 84 000 9; ¦ ¦ ¦любые сигналы с частотой выше 31,8 ГГц, но не¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦превышающей 37,5 ГГц, и имеющие разрешающую ¦ ¦ ¦ ¦способность 3 дБ для ширины полосы ¦ ¦ ¦ ¦пропускания более 10 МГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.3.2 ¦Анализаторы сигналов, способные анализировать¦9030 84 000 9; ¦ ¦ ¦сигналы с частотой выше 43,5 ГГц ¦9030 89 300 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.3.3 ¦Динамические анализаторы сигналов с полосой ¦9030 84 000 9; ¦ ¦ ¦частот в реальном масштабе времени, ¦9030 89 300 0 ¦ ¦ ¦превышающей 500 кГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.1.2.3.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦динамические анализаторы сигналов, ¦ ¦ ¦ ¦использующие только фильтры с полосой ¦ ¦ ¦ ¦пропускания фиксированных долей (известны ¦ ¦ ¦ ¦также как октавные или дробно-октавные ¦ ¦ ¦ ¦фильтры) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.4 ¦Генераторы сигналов синтезированных частот, ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦формирующие выходные частоты с управлением по¦ ¦ ¦ ¦параметрам точности, кратковременной и ¦ ¦ ¦ ¦долговременной стабильности на основе или с ¦ ¦ ¦ ¦помощью внутреннего задающего эталонного ¦ ¦ ¦ ¦генератора и имеющие любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную синтезируемую частоту выше ¦ ¦ ¦ ¦31,8 ГГц, но не превышающую 43,5 ГГц, и ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для создания длительности ¦ ¦ ¦ ¦импульса менее 100 нс; ¦ ¦ ¦ ¦б) максимальную синтезируемую частоту выше ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) время переключения с одной выбранной ¦ ¦ ¦ ¦частоты на другую, определенное любым из ¦ ¦ ¦ ¦следующего: менее 10 нс; менее 100 мкс для ¦ ¦ ¦ ¦любого изменения частоты, превышающего 1,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, в пределах диапазона синтезированных ¦ ¦ ¦ ¦частот выше 3,2 ГГц, но не превышающего 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц; менее 250 мкс для любого изменения ¦ ¦ ¦ ¦частоты, превышающего 550 МГц, в пределах ¦ ¦ ¦ ¦диапазона синтезированных частот выше 10,6 ¦ ¦ ¦ ¦ГГц, но не превышающего 31,8 ГГц; менее 500 ¦ ¦ ¦ ¦мкс для любого изменения частоты, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 550 МГц, в пределах диапазона ¦ ¦ ¦ ¦синтезированных частот выше 31,8 ГГц, но не ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; или менее 1 мс в ¦ ¦ ¦ ¦пределах диапазона синтезированных частот, ¦ ¦ ¦ ¦превышающего 43,5 ГГц; или ¦ ¦ ¦ ¦г) фазовый шум одной боковой полосы лучше - ¦ ¦ ¦ ¦(126 + 20 lgF - 20 lgf) в единицах (дБ по ¦ ¦ ¦ ¦шкале С шумомера) / Гц, где F - смещение от ¦ ¦ ¦ ¦рабочей частоты в Гц, a f - рабочая частота в¦ ¦ ¦ ¦МГц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Для целей пункта 3.1.2.4 генераторы ¦ ¦ ¦ ¦сигналов синтезированных частот включают в ¦ ¦ ¦ ¦себя генераторы импульсов произвольной формы ¦ ¦ ¦ ¦и генераторы функций. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 3.1.2.4 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура, в которой выходная частота ¦ ¦ ¦ ¦создается либо путем сложения или вычитания ¦ ¦ ¦ ¦частот с двух или более кварцевых ¦ ¦ ¦ ¦генераторов, либо путем сложения или ¦ ¦ ¦ ¦вычитания с последующим умножением ¦ ¦ ¦ ¦результирующей частоты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Генераторы импульсов произвольной формы и ¦ ¦ ¦ ¦генераторы функций обычно определяются ¦ ¦ ¦ ¦частотой выборки (например, Гвыб./с), которая¦ ¦ ¦ ¦преобразовывается в радиочастотную область ¦ ¦ ¦ ¦посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, ¦ ¦ ¦ ¦1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет ¦ ¦ ¦ ¦возможность прямого вывода 500 МГц или при ¦ ¦ ¦ ¦использовании выборки с запасом по частоте ¦ ¦ ¦ ¦дискретизации максимальная возможность ¦ ¦ ¦ ¦прямого вывода пропорционально ниже ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.5 ¦Схемные анализаторы (панорамные измерители ¦9030 40 000 0 ¦ ¦ ¦полных сопротивлений; измерители амплитуды, ¦ ¦ ¦ ¦фазы и групповой задержки двух сигналов ¦ ¦ ¦ ¦относительно опорного сигнала) с максимальной¦ ¦ ¦ ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.6 ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦8517 69 390 0 ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦ ¦ ¦43,5 ГГц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦ ¦ ¦и фазу ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7 ¦Атомные эталоны частоты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.1 ¦Пригодные для применения в космосе ¦8543 20 000 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.2 ¦Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦долговременную стабильность меньше (лучше) ¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦1 x 10 в месяц. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, ¦ ¦ ¦ ¦указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт¦ ¦ ¦ ¦3.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.2.7.3 ¦Рубидиевые эталоны, непригодные для ¦8543 20 000 0 ¦ ¦ ¦применения в космосе и имеющие все ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) долговременную стабильность меньше (лучше)¦ ¦ ¦ ¦ -11 ¦ ¦ ¦ ¦1 x 10 в месяц; и ¦ ¦ ¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.1.3 ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0; ¦ ¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9; ¦ ¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 9 ¦ ¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦ ¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦ ¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов в пределах их рабочего диапазона,¦ ¦ ¦ ¦а также специально разработанные для них ¦ ¦ ¦ ¦компоненты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2 ¦Испытательное, контрольное и производственное¦ ¦ ¦ ¦оборудование ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1 ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦ ¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦ ¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1 ¦Оборудование для эпитаксиального выращивания:¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.1 ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦ ¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦ ¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.2 ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦осаждения из паровой фазы металлоорганических¦ ¦ ¦ ¦соединений, специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦выращивания кристаллов полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦соединений с использованием материалов, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в ¦ ¦ ¦ ¦качестве исходных. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦ ¦ ¦выращивания с использованием газообразных или¦ ¦ ¦ ¦твердых источников ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦ ¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦ ¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦ ¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦ ¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦ ¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦ ¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока¦ ¦ ¦ ¦пучка 45 мА или более для ¦ ¦ ¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦ ¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦ ¦ ¦материала ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦ ¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦8486 20 900 2 ¦ ¦ ¦имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦ ¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦ ¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦ ¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦ ¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦ ¦ ¦диаметре ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из паровой¦8419 89 300 0; ¦ ¦ ¦фазы с применением плазменного разряда, ¦8486 20 900 9 ¦ ¦ ¦ускоряющего процесс: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦ ¦ ¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в¦ ¦ ¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦ ¦ ¦производителя или оптимизированное для ¦ ¦ ¦ ¦использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦ ¦ ¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦ ¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦ ¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦ ¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦ ¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦системы с центральной загрузкой ¦8456 90 000 0; ¦ ¦ ¦полупроводниковых пластин (подложек), имеющие¦8479 50 000 0; ¦ ¦ ¦все следующие характеристики: ¦8486 20 900 2; ¦ ¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин¦8486 20 900 3 ¦ ¦ ¦(подложек), к которым присоединяется более ¦ ¦ ¦ ¦двух единиц оборудования для обработки ¦ ¦ ¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦ ¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦ ¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦ ¦ ¦обработки пластин (подложек) в вакууме. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦ ¦ ¦управления загрузкой пластин (подложек), не ¦ ¦ ¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 290 0 ¦ ¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦ ¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно на¦ ¦ ¦ ¦пластине) или сканированием (сканер), имеющее¦ ¦ ¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦ ¦ ¦нм; или ¦ ¦ ¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦ ¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 180¦ ¦ ¦ ¦нм и менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР)¦ ¦ ¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: МРР = ¦ ¦ ¦ ¦(длина волны источника света в нанометрах) x ¦ ¦ ¦ ¦(К-фактор) / (числовая апертура), где ¦ ¦ ¦ ¦К-фактор = 0,45 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.2 ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦ ¦ ¦способное создавать элементы размером 180 нм ¦8486 20 900 ¦ ¦ ¦или менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦ ¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦ ¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦ ¦ ¦тиснения; ¦ ¦ ¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦ ¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦ ¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.6.3 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦ ¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3; ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦ ¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦ ¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦ ¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦ ¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦ ¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; возможность ¦ ¦ ¦ ¦формирования рисунка с размером элементов ¦ ¦ ¦ ¦менее 1 мкм; или точность совмещения слоев ¦ ¦ ¦ ¦лучше +/-0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.8 ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем. ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.2.1.8 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для изготовления запоминающих ¦ ¦ ¦ ¦устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.1.9 ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦ ¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦ ¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦ ¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦ ¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.1 ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦ ¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.2.2.2 ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3 ¦Материалы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1 ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦ ¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦ ¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦ ¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.1 ¦Кремний ¦3818 00 100 0; ¦ ¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.2 ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.3 ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.1.4 ¦Соединения III - V на основе галлия или индия¦3818 00 900 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2 ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦ ¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.1 ¦Позитивные резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦ ¦ ¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦ ¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.2 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании электронными¦ ¦ ¦ ¦или ионными пучками, с чувствительностью 0,01¦ ¦ ¦ ¦мкКл/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.3 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦ ¦ ¦рентгеновскими лучами, с чувствительностью ¦ ¦ ¦ ¦2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.4 ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦ ¦ ¦ ¦резисты. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Технология силилирования - это процесс, ¦ ¦ ¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, для¦ ¦ ¦ ¦повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦ ¦ ¦проявления ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.2.5 ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 980 9 ¦ ¦ ¦приспособленные для применения с ¦ ¦ ¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦ ¦ ¦указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие ¦ ¦ ¦ ¦термический или светоотверждающий способ ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3 ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.1 ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦ ¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.3.2 ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 00 950 0 ¦ ¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦ ¦ ¦основы неорганического элемента более 99,999%¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только ¦ ¦ ¦ ¦соединения, металлический, частично ¦ ¦ ¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦ ¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦ ¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.4 ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0; ¦ ¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦ ¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, ¦ ¦ ¦ ¦содержащие 20% и более молей инертных газов ¦ ¦ ¦ ¦или водорода ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.5 ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦ ¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦ ¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦ ¦ ¦более 10 000 Ом·см при 20 град. C ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.3.6 ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦ ¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦ ¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC),¦ ¦ ¦ ¦нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) ¦ ¦ ¦ ¦или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки или производства¦ ¦ ¦ ¦оборудования, контролируемого по пунктам ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для применения в любом ¦ ¦ ¦ ¦нижеследующем оборудовании: ¦ ¦ ¦ ¦а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - ¦ ¦ ¦ ¦3.2.1.6; или ¦ ¦ ¦ ¦б) контролируемом по пункту 3.2.2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.3 ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки процессов ¦ ¦ ¦ ¦литографии, травления или осаждения с целью ¦ ¦ ¦ ¦воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦ ¦ ¦топографические рисунки на проводниках, ¦ ¦ ¦ ¦диэлектриках или полупроводниках. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 3.4.3 понимается использование ¦ ¦ ¦ ¦вычислений для определения последовательности¦ ¦ ¦ ¦физических факторов и результатов ¦ ¦ ¦ ¦воздействия, основанных на физических ¦ ¦ ¦ ¦свойствах (например, температура, давление, ¦ ¦ ¦ ¦коэффициент диффузии и полупроводниковые ¦ ¦ ¦ ¦свойства материалов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующие данные для проектирования ¦ ¦ ¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное для разработки оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту 3.1.3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5 ¦Технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или материалов, контролируемых ¦ ¦ ¦ ¦по пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 3.5.1 не контролируются технологии ¦ ¦ ¦ ¦для: ¦ ¦ ¦ ¦а) производства оборудования или компонентов,¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.3; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработки или производства интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - ¦ ¦ ¦ ¦3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные ¦ ¦ ¦ ¦признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,5 мкм¦ ¦ ¦ ¦или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦не содержащие многослойных структур. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для целей пункта "б" примечания многослойные ¦ ¦ ¦ ¦структуры не включают приборов, содержащих ¦ ¦ ¦ ¦максимум три металлических слоя и три слоя ¦ ¦ ¦ ¦поликристаллического кремния ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦ ¦ ¦перечню другие, чем те, которые ¦ ¦ ¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства ядра микросхем ¦ ¦ ¦ ¦микропроцессора, микроЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦микроконтроллера, имеющих арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 бит¦ ¦ ¦ ¦или более и любые из нижеприведенных ¦ ¦ ¦ ¦особенностей или характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) блок векторного процессора, ¦ ¦ ¦ ¦предназначенный для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦вычислений с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Блок векторного процессора является ¦ ¦ ¦ ¦процессорным элементом со встроенными ¦ ¦ ¦ ¦операторами, которые выполняют многочисленные¦ ¦ ¦ ¦вычисления с векторами для операций с ¦ ¦ ¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦ ¦ ¦или более массивами) одновременно, имеющим, ¦ ¦ ¦ ¦по крайней мере, одно векторное арифметико- ¦ ¦ ¦ ¦логическое устройство; ¦ ¦ ¦ ¦б) разработанных для выполнения более двух ¦ ¦ ¦ ¦64-разрядных или более операций с плавающей ¦ ¦ ¦ ¦запятой, проходящих за цикл; или ¦ ¦ ¦ ¦в) разработанных для выполнения более четырех¦ ¦ ¦ ¦16-разрядных операций умножения с накоплением¦ ¦ ¦ ¦с фиксированной запятой, проходящих за цикл ¦ ¦ ¦ ¦(например, цифровая обработка аналоговой ¦ ¦ ¦ ¦информации, которая была предварительно ¦ ¦ ¦ ¦преобразована в цифровую форму, также ¦ ¦ ¦ ¦известная как цифровая обработка сигналов). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "в" пункта 3.5.2 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется технология мультимедийных ¦ ¦ ¦ ¦расширений. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По пункту 3.5.2 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦технологии для разработки или производства ¦ ¦ ¦ ¦ядер микропроцессоров, имеющих все ¦ ¦ ¦ ¦нижеперечисленные признаки: ¦ ¦ ¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,130 ¦ ¦ ¦ ¦мкм или выше (хуже); и ¦ ¦ ¦ ¦содержащие многослойные структуры с пятью или¦ ¦ ¦ ¦менее металлическими слоями. ¦ ¦ ¦ ¦2. Пункт 3.5.2 включает технологии для ¦ ¦ ¦ ¦процессоров цифровой обработки сигналов и ¦ ¦ ¦ ¦цифровых матричных процессоров ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 3.5.3 ¦Прочие технологии для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) вакуумных микроэлектронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦б) полупроводниковых приборов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктурах, таких как транзисторы с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью транзисторов на ¦ ¦ ¦ ¦гетероструктуре, приборов с квантовыми ямами ¦ ¦ ¦ ¦или приборов на сверхрешетках. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "б" пункта 3.5.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются технологии для транзисторов с ¦ ¦ ¦ ¦высокой подвижностью электронов (ТВПЭ), ¦ ¦ ¦ ¦работающих на частотах ниже 31,8 ГГц, и ¦ ¦ ¦ ¦биполярных транзисторов на гетероструктуре ¦ ¦ ¦ ¦(ГБТ), работающих на частотах ниже 31,8 ГГц; ¦ ¦ ¦ ¦в) сверхпроводящих электронных приборов; ¦ ¦ ¦ ¦г) подложек из алмазных пленок для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦д) подложек из структур кремния на ¦ ¦ ¦ ¦диэлектрике (КНД-структур) для интегральных ¦ ¦ ¦ ¦схем, в которых диэлектриком является диоксид¦ ¦ ¦ ¦кремния; ¦ ¦ ¦ ¦е) подложек из карбида кремния для ¦ ¦ ¦ ¦электронных компонентов; ¦ ¦ ¦ ¦ж) электронных вакуумных ламп, работающих на ¦ ¦ ¦ ¦частотах 31,8 ГГц или выше ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦ Категория 4. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНАЯ ТЕХНИКА ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, задействованные в ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникациях или локальных ¦ ¦ ¦ ¦вычислительных сетях, должны быть также ¦ ¦ ¦ ¦проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 1 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦2. Устройства управления, которые ¦ ¦ ¦ ¦непосредственно связывают шины или каналы ¦ ¦ ¦ ¦центральных процессоров, устройства ¦ ¦ ¦ ¦оперативной памяти или дисковые контроллеры, ¦ ¦ ¦ ¦не рассматриваются как телекоммуникационное ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, описанное в части 1 категории 5¦ ¦ ¦ ¦(Телекоммуникации). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанного для коммутации пакетов, ¦ ¦ ¦ ¦следует применять пункт 5.4.1 ¦ ¦ ¦ ¦3. ЭВМ, сопутствующее оборудование и ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, выполняющие функции ¦ ¦ ¦ ¦криптографии, криптоанализа, сертифицируемой ¦ ¦ ¦ ¦многоуровневой защиты информации или ¦ ¦ ¦ ¦сертифицируемые функции изоляции ¦ ¦ ¦ ¦пользователей либо ограничивающие ¦ ¦ ¦ ¦электромагнитную совместимость (ЭМС), должны ¦ ¦ ¦ ¦быть также проанализированы на соответствие ¦ ¦ ¦ ¦характеристикам, указанным в части 2 ¦ ¦ ¦ ¦категории 5 (Защита информации) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1 ¦ЭВМ и сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и специально разработанные¦ ¦ ¦ ¦для них компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1.1 ¦Специально разработанные для достижения любой¦8471 ¦ ¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) по техническим условиям пригодные для ¦ ¦ ¦ ¦работы при температуре внешней среды ниже 228¦ ¦ ¦ ¦К (-45 град. C) или выше 358 K (85 град. C). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По подпункту "а" пункта 4.1.1.1 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируются ЭВМ, специально созданные для ¦ ¦ ¦ ¦гражданских автомобилей или железнодорожных ¦ ¦ ¦ ¦поездов; ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦б) радиационно стойкие при превышении любого ¦ ¦ ¦ ¦ 3 ¦ ¦ ¦ ¦из следующих требований: общая доза 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦ 5 6 ¦ ¦ ¦ ¦Гр (Si) [5 x 10 рад]; мощность дозы 5 x 10 ¦ ¦ ¦ ¦ 8 ¦ ¦ ¦ ¦Гр (Si) / c [5 x 10 рад/с]; или сбой от ¦ ¦ ¦ ¦ -7 ¦ ¦ ¦ ¦однократного события 10 ошибок/бит/день. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении систем, оборудования и ¦ ¦ ¦ ¦компонентов, соответствующих требованиям ¦ ¦ ¦ ¦подпункта "б" пункта 4.1.1.1, см. также пункт¦ ¦ ¦ ¦4.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.1.2 ¦Имеющие характеристики или выполняющие ¦8471 ¦ ¦ ¦функции, превосходящие пределы, указанные в ¦ ¦ ¦ ¦части 2 категории 5 (Защита информации). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Пункт 4.1.1.2 не применяется к ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦связанному с ними оборудованию, когда они ¦ ¦ ¦ ¦вывозятся пользователем для своего ¦ ¦ ¦ ¦индивидуального использования ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2 ¦Цифровые ЭВМ, электронные сборки и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование, а также ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанные для них компоненты: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.1 ¦Спроектированные или модифицированные для ¦8471 60; ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости. ¦8471 70; ¦ ¦ ¦ ¦8471 80 000 0; ¦ ¦ ¦Примечание. ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦Применительно к пункту 4.1.2.1 цифровые ЭВМ и¦ ¦ ¦ ¦сопутствующее оборудование не считаются ¦ ¦ ¦ ¦спроектированными или модифицированными для ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения отказоустойчивости, если в них ¦ ¦ ¦ ¦используется любое из следующего: ¦ ¦ ¦ ¦а) алгоритмы обнаружения или исправления ¦ ¦ ¦ ¦ошибок, хранимые в оперативной памяти; ¦ ¦ ¦ ¦б) соединение двух цифровых вычислительных ¦ ¦ ¦ ¦машин такое, что если происходит отказ ¦ ¦ ¦ ¦активного центрального процессора, то ¦ ¦ ¦ ¦холостой зеркальный центральный процессор ¦ ¦ ¦ ¦может продолжить функционирование системы; ¦ ¦ ¦ ¦в) соединение двух центральных процессоров ¦ ¦ ¦ ¦посредством каналов передачи данных или с ¦ ¦ ¦ ¦применением разделяемой памяти, для того ¦ ¦ ¦ ¦чтобы обеспечить одному центральному ¦ ¦ ¦ ¦процессору возможность выполнять некоторую ¦ ¦ ¦ ¦работу, пока не откажет другой центральный ¦ ¦ ¦ ¦процессор; тогда первый центральный процессор¦ ¦ ¦ ¦принимает его работу на себя, чтобы ¦ ¦ ¦ ¦продолжить функционирование системы; или ¦ ¦ ¦ ¦г) синхронизация двух центральных ¦ ¦ ¦ ¦процессоров, объединенных посредством ¦ ¦ ¦ ¦программного обеспечения так, что один ¦ ¦ ¦ ¦центральный процессор распознает, когда ¦ ¦ ¦ ¦отказывает другой центральный процессор, и ¦ ¦ ¦ ¦восстанавливает задачи, выполнявшиеся ¦ ¦ ¦ ¦отказавшим процессором ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.2 ¦Цифровые ЭВМ, имеющие приведенную пиковую ¦8471 60; ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 0,75 ¦8471 70; ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ) ¦8471 80 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦8471 90 000 0 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.3 ¦Электронные сборки, специально разработанные ¦8471 60; ¦ ¦ ¦или модифицированные для повышения ¦8471 70; ¦ ¦ ¦производительности путем объединения ¦8471 80 000 0; ¦ ¦ ¦процессоров таким образом, чтобы ППП ¦8471 90 000 0 ¦ ¦ ¦объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, указанное в пункте 4.1.2.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.2.3 распространяется только на ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и программируемые ¦ ¦ ¦ ¦взаимосвязи, не превышающие пределы, ¦ ¦ ¦ ¦указанные в пункте 4.1.2.2, при поставке в ¦ ¦ ¦ ¦виде необъединенных электронных сборок. Он не¦ ¦ ¦ ¦применим к электронным сборкам, конструкция ¦ ¦ ¦ ¦которых пригодна только для использования в ¦ ¦ ¦ ¦качестве сопутствующего оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемого по пункту 4.1.2.4 ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 4.1.2.3 не контролируются ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки, специально разработанные ¦ ¦ ¦ ¦для продукции или целого семейства продукции,¦ ¦ ¦ ¦максимальная конфигурация которых не ¦ ¦ ¦ ¦превышает пределы, указанные в пункте 4.1.2.2¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.4 ¦Оборудование, выполняющее аналого-цифровые ¦8471 90 000 0; ¦ ¦ ¦преобразования, превосходящее пределы, ¦8543 90 000 9 ¦ ¦ ¦указанные в пункте 3.1.1.1.5 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.2.5 ¦Аппаратура, специально разработанная для ¦8471 90 000 0; ¦ ¦ ¦обеспечения внешних соединений цифровых ЭВМ ¦8517 61 000 1; ¦ ¦ ¦или сопутствующего оборудования, которые в ¦8517 62 000 1 ¦ ¦ ¦коммуникациях имеют скорость передачи данных,¦ ¦ ¦ ¦превышающую 1,25 Гбайт/с. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.1.2.5 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование внутренней взаимосвязи ¦ ¦ ¦ ¦(например, объединительные платы, шины), ¦ ¦ ¦ ¦оборудование пассивной взаимосвязи, ¦ ¦ ¦ ¦контроллеры доступа к сети или контроллеры ¦ ¦ ¦ ¦каналов связи ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 4.1.2 включает: ¦ ¦ ¦ ¦а) векторные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦б) матричные процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦в) процессоры цифровой обработки сигналов; ¦ ¦ ¦ ¦г) логические процессоры; ¦ ¦ ¦ ¦д) оборудование для улучшения качества ¦ ¦ ¦ ¦изображения; ¦ ¦ ¦ ¦е) оборудование для обработки сигналов. ¦ ¦ ¦ ¦2. Контрольный статус цифровых ЭВМ или ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования, описанных в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 4.1.2, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом другого оборудования или других ¦ ¦ ¦ ¦систем в том случае, если: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование необходимы для работы другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или других систем; ¦ ¦ ¦ ¦б) цифровые ЭВМ или сопутствующее ¦ ¦ ¦ ¦оборудование не являются основным элементом ¦ ¦ ¦ ¦другого оборудования или других систем; и ¦ ¦ ¦ ¦в) технология для цифровых ЭВМ и ¦ ¦ ¦ ¦сопутствующего оборудования подпадает под ¦ ¦ ¦ ¦действие пункта 4.5 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особые примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Контрольный статус оборудования обработки ¦ ¦ ¦ ¦сигналов или улучшения качества изображения, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанного для другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования с функциями, ограниченными ¦ ¦ ¦ ¦функциональным назначением другого ¦ ¦ ¦ ¦оборудования, определяется контрольным ¦ ¦ ¦ ¦статусом такого оборудования, даже если ¦ ¦ ¦ ¦первое превосходит критерий основного ¦ ¦ ¦ ¦элемента. ¦ ¦ ¦ ¦2. Для определения контрольного статуса ¦ ¦ ¦ ¦цифровых ЭВМ или сопутствующего оборудования ¦ ¦ ¦ ¦для телекоммуникационной аппаратуры см. часть¦ ¦ ¦ ¦1 категории 5 (Телекоммуникации) ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.3 ¦ЭВМ, указанные ниже, и специально ¦ ¦ ¦ ¦спроектированное сопутствующее оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦электронные сборки и компоненты для них: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.3.1 ¦ЭВМ с систолической матрицей ¦8471 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.3.2 ¦Нейронные ЭВМ ¦8471 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.1.3.3 ¦Оптические ЭВМ ¦8471 ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.2 ¦Испытательное, контрольное и производственное¦ ¦ ¦ ¦оборудование - нет ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.3 ¦Материалы - нет ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4 ¦Программное обеспечение. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦Контрольный статус программного обеспечения ¦ ¦ ¦ ¦для разработки, производства или ¦ ¦ ¦ ¦использования оборудования, указанного в ¦ ¦ ¦ ¦других категориях, определяется по описанию ¦ ¦ ¦ ¦соответствующей категории. В данной категории¦ ¦ ¦ ¦дается контрольный статус программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения для оборудования этой категории ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.1 ¦Программное обеспечение следующих видов: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.1.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦разработки, производства или использования ¦ ¦ ¦ ¦оборудования или программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦контролируемых по пункту 4.1 или 4.4 ¦ ¦ ¦ ¦соответственно ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.1.2 ¦Программное обеспечение иное, чем ¦ ¦ ¦ ¦контролируемое по пункту 4.4.1.1, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦разработки или производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую ¦ ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для ¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения процессоров таким образом, чтобы ¦ ¦ ¦ ¦ППП объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, указанное в подпункте "а" пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.4.1.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦указанного в пункте 4.4.1, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦4.4.1 разделов 2 и 3 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦поддержки технологии, контролируемой по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.5 ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.3 ¦Специальное программное обеспечение следующих¦ ¦ ¦ ¦видов: ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.3.1 ¦Программное обеспечение операционных систем, ¦ ¦ ¦ ¦инструментарий разработки программного ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения и компиляторы, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для оборудования многопоточной ¦ ¦ ¦ ¦обработки данных в исходных кодах ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.4.3.2 ¦Программное обеспечение, имеющее ¦ ¦ ¦ ¦характеристики или выполняющее функции, ¦ ¦ ¦ ¦которые превышают пределы, указанные в части ¦ ¦ ¦ ¦2 категории 5 (Защита информации). ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 4.4.3.2 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦программное обеспечение, когда оно вывозится ¦ ¦ ¦ ¦пользователями для своего индивидуального ¦ ¦ ¦ ¦использования ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.5 ¦Технология ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦ ¦ ¦технологическим примечанием для разработки, ¦ ¦ ¦ ¦производства или использования оборудования ¦ ¦ ¦ ¦или программного обеспечения, контролируемых ¦ ¦ ¦ ¦по пункту 4.1 или 4.4 соответственно ¦ ¦ +-----------+---------------------------------------------+---------------+ ¦ 4.5.2 ¦Иные технологии, кроме контролируемых по ¦ ¦ ¦ ¦пункту 4.5.1, специально предназначенные или ¦ ¦ ¦ ¦модифицированные для разработки или ¦ ¦ ¦ ¦производства: ¦ ¦ ¦ ¦а) цифровых ЭВМ, имеющих приведенную пиковую ¦ ¦ ¦ ¦производительность (ППП), превышающую 0,04 ¦ ¦ ¦ ¦взвешенных ТераФЛОПС (ВТ); или ¦ ¦ ¦ ¦б) электронных сборок, специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанных или модифицированных для ¦ ¦ ¦ ¦повышения производительности путем ¦ ¦ ¦ ¦объединения процессоров таким образом, чтобы ¦ ¦ ¦ ¦ППП объединенных сборок превышала пороговое ¦ ¦ ¦ ¦значение, указанное в подпункте "а" пункта ¦ ¦ ¦ ¦4.5.2 ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении технологий, указанных в пунктах ¦ ¦ ¦ ¦4.5.1 и 4.5.2, см. также пункт 4.5.1 разделов¦ ¦ ¦ ¦2 и 3 ¦ ¦ ¦-----------+---------------------------------------------+---------------- Техническое примечание по определению приведенной пиковой производительности (ППП). ППП - это приведенная пиковая скорость, на которой цифровые ЭВМ выполняют 64-разрядные или более операции сложения и умножения с плавающей запятой. Сокращения, используемые в настоящем техническом примечании: n - количество процессоров в цифровой ЭВМ;
i - номер процессора (i, ... n);
t - время цикла процессора (t = 1/F );
i i i
F - частота процессора;
i
R - пиковая скорость вычисления с плавающей запятой;
i
W - коэффициент согласования с архитектурой.
i
12
ППП выражается во взвешенных ТераФЛОПС (ВТ), триллионах (10 )
приведенн ых операций с плавающей запятой в секунду.
Схема способа вычисления ППП:
1 Для каждого процессора i определяется максимальное количество 64-
или более разрядных операций с плавающей запятой (ОПЗ ), выполняемых за
i
цикл каждым процессором цифровой ЭВМ.
Примечание. При определении ОПЗ учитываются только 64-разрядные или более операции сложения и / или умножения с плавающей запятой за цикл процессора. Операции, требующие многочисленных циклов, могут быть выражены в дробных результатах за цикл процессора. Для процессоров, не способных выполнять вычисления с 64-разрядными или более операциями с плавающей запятой, эффективная скорость вычисления R равна нулю. 2. Вычисляется скорость с плавающей запятой R для каждого процессора: R = ОПЗ /t .
i i i
3. Вычисляется ППП следующим образом:
ППП = W x R + W x R + ... + W x R .
1 1 2 2 n n
4 Для векторных процессоров W = 0,9. Для невекторных процессоров
i
W = 0,3
i
Примечания: 1 Для процессоров, которые выполняют составные операции в цикле, такие, как сложение и умножение, считается каждая операция. 2. Для конвейерного процессора эффективная скорость вычисления R выше конвейерной скорости при загруженном конвейере или неконвейерной скорости. 3. Скорость вычисления R каждого содействующего процессора должна быть рассчитана по его максимальной теоретически возможной величине перед определением ППП всей комбинации процессоров. Одновременные операции считаются таковыми, когда производитель ЭВМ заявляет в руководстве пользователя или документации к ЭВМ о совпадающих, параллельных или одновременных операциях или процессах исполнения процессором команд программы. 4. При вычислении ППП не учитываются процессоры, ограниченные входными / выходными и периферийными функциями (например, дисководы, устройства связи и мониторы). 5. Значения ППП не следует вычислять для комбинаций процессоров, объединенных локальными сетями, глобальными сетями, совместно используемыми соединениями/устройствами ввода/вывода, контроллерами ввода / вывода и любыми коммуникационными соединениями, осуществляемыми при помощи программного обеспечения. 6. Значения ППП должны вычисляться для: а) комбинаций процессоров, содержащих специально разработанные процессоры для повышения производительности путем объединения, одновременно работающей и совместно используемой памяти; или б) многочисленных комбинаций память / процессор, работающих одновременно с использованием специально разработанных аппаратных средств. 7. Векторный процессор определяется как процессор со встроенными командами, который выполняет многочисленные вычисления с векторами для операций с плавающей запятой (одномерными 64-разрядными и более массивами) одновременно, имеющий, по крайней мере, два векторных функциональных устройства и восемь регистров для хранения векторов емкостью, по крайней мере, 64 элемента каждый. ---------------+------------------------------------------+----------- ¦ N пункта ¦ Наименование <*> ¦Код ТН ВЭД <**>¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦ Категория 5 ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ ¦Часть 1 Телекоммуникации. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. В части 1 категории 5 определяется ¦ ¦ ¦ ¦контрольный статус компонентов, ¦ ¦ ¦ ¦лазерного, испытательного и ¦ ¦ ¦ ¦производственного оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦материалов и программного обеспечения, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанных для ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационного оборудования или ¦ ¦ ¦ ¦систем. ¦ ¦ ¦ ¦2. В тех случаях, когда для ¦ ¦ ¦ ¦функционирования или поддержки ¦ ¦ ¦ ¦телекоммуникационного оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦указанного в этой категории, и его ¦ ¦ ¦ ¦обеспечения важное значение имеют ¦ ¦ ¦ ¦цифровые ЭВМ, связанное с ними ¦ ¦ ¦ ¦оборудование или программное ¦ ¦ ¦ ¦обеспечение, последние рассматриваются в ¦ ¦ ¦ ¦качестве специально разработанных ¦ ¦ ¦ ¦компонентов при условии, что они ¦ ¦ ¦ ¦являются стандартными моделями, обычно ¦ ¦ ¦ ¦поставляемыми производителем. Это ¦ ¦ ¦ ¦включает компьютерные системы, ¦ ¦ ¦ ¦реализующие функции управления, ¦ ¦ ¦ ¦технического обслуживания оборудования, ¦ ¦ ¦ ¦проектирования, выписывания счетов ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1 ¦Системы, оборудование и компоненты ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.1 ¦Телекоммуникационное оборудование любого ¦ ¦ ¦ ¦типа, имеющее любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик, функций или свойств: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.1.1 ¦Специально разработанное для сохранения ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦работоспособности при воздействии ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦кратковременных электронных эффектов или ¦8517 69 390 0; ¦ ¦ ¦электромагнитных импульсных эффектов, ¦8525 60 000 0; ¦ ¦ ¦возникающих при ядерном взрыве ¦8543 70 900 9 ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.1.2 ¦Специально повышенную стойкость к гамма- ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦нейтронному или ионному излучению ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦ ¦8517 69 390 0; ¦ ¦ ¦ ¦8525 60 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦8543 70 900 9 ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.1.3 ¦Специально разработанное для ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦функционирования за пределами диапазона ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦температур от 218 K (-55 град. C) до 397 ¦8517 69 390 0; ¦ ¦ ¦К (124 град. C). ¦8525 60 000 0; ¦ ¦ ¦ ¦8543 70 900 9 ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. Пункт 5.1.1.1.3 применяется только к ¦ ¦ ¦ ¦электронной аппаратуре. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пунктам 5.1.1.1.2 и 5.1.1.1.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется оборудование, ¦ ¦ ¦ ¦разработанное или модифицированное для ¦ ¦ ¦ ¦использования на борту спутников ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2 ¦Телекоммуникационные системы и ¦ ¦ ¦ ¦аппаратура, а также специально ¦ ¦ ¦ ¦разработанные для них компоненты и ¦ ¦ ¦ ¦принадлежности, имеющие любые из ¦ ¦ ¦ ¦следующих характеристик, свойств или ¦ ¦ ¦ ¦качеств: ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2.1 ¦Являются системами подводной ¦9014 80 000 0; ¦ ¦ ¦беспроводной связи, имеющими любую из ¦9015 80 910 0 ¦ ¦ ¦следующих характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) акустическую несущую частоту за ¦ ¦ ¦ ¦пределами интервала от 20 кГц до 60 кГц; ¦ ¦ ¦ ¦б) использующие электромагнитную несущую ¦ ¦ ¦ ¦частоту ниже 30 кГц; или ¦ ¦ ¦ ¦в) использующие электронное управление ¦ ¦ ¦ ¦положением главного лепестка (диаграммы ¦ ¦ ¦ ¦направленности антенны); ¦ ¦ ¦ ¦г) использующие в локальной сети лазеры ¦ ¦ ¦ ¦или светоизлучающие диоды (СИД) с ¦ ¦ ¦ ¦выходной длиной волны более 400 нм, но ¦ ¦ ¦ ¦менее 700 нм ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2.2 ¦Являются радиоаппаратурой, работающей в ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦диапазоне частот 1,5 - 87,5 МГц и ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦имеющей все следующие характеристики: ¦8525 60 000 0 ¦ ¦ ¦а) возможность автоматически ¦ ¦ ¦ ¦прогнозировать и выбирать частоты и ¦ ¦ ¦ ¦общие скорости цифровой передачи в ¦ ¦ ¦ ¦канале для оптимизации передачи ¦ ¦ ¦ ¦полезного сигнала; и ¦ ¦ ¦ ¦б) встроенный линейный усилитель ¦ ¦ ¦ ¦мощности, способный одновременно ¦ ¦ ¦ ¦пропускать множество сигналов с выходной ¦ ¦ ¦ ¦мощностью 1 кВт или более в диапазоне ¦ ¦ ¦ ¦частот от 1,5 МГц до 30 МГц или 250 Вт ¦ ¦ ¦ ¦или более в диапазоне частот от 30 МГц ¦ ¦ ¦ ¦до 87,5 МГц на мгновенной ширине полосы ¦ ¦ ¦ ¦частот в одну октаву или более и с ¦ ¦ ¦ ¦гармониками и искажениями на выходе ¦ ¦ ¦ ¦лучше - 80 дБ ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2.3 ¦Являются радиоаппаратурой, использующей ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦методы расширения спектра, включая метод ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦скачкообразной перестройки частоты, не ¦8525 60 000 0 ¦ ¦ ¦контролируемой по пункту 5.1.1.2.4, ¦ ¦ ¦ ¦имеющей любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) коды расширения, программируемые ¦ ¦ ¦ ¦пользователем; или ¦ ¦ ¦ ¦б) общую ширину полосы частот выше 50 ¦ ¦ ¦ ¦кГц, при этом она в 100 или более раз ¦ ¦ ¦ ¦превышает ширину полосы частот любого ¦ ¦ ¦ ¦единичного информационного канала. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечания: ¦ ¦ ¦ ¦1. По подпункту "б" пункта 5.1.1.2.3 не ¦ ¦ ¦ ¦контролируется радиооборудование, ¦ ¦ ¦ ¦специально разработанное для ¦ ¦ ¦ ¦использования с гражданскими системами ¦ ¦ ¦ ¦сотовой радиосвязи. ¦ ¦ ¦ ¦2. По пункту 5.1.1.2.3 не контролируется ¦ ¦ ¦ ¦оборудование, спроектированное для ¦ ¦ ¦ ¦работы с выходной мощностью 1,0 Вт или ¦ ¦ ¦ ¦менее. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦ ¦ ¦В отношении радиоаппаратуры, указанной в ¦ ¦ ¦ ¦пункте 5.1.1.2.3, см. также пункт ¦ ¦ ¦ ¦5.1.1.1.1 раздела 2 ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2.4 ¦Являются радиоаппаратурой, использующей ¦8517 12 000 0; ¦ ¦ ¦технологию сверхширокополосной ¦8517 61 000 9; ¦ ¦ ¦модуляции, имеющей программируемые ¦8525 60 000 0 ¦ ¦ ¦пользователем коды формирования каналов, ¦ ¦ ¦ ¦коды шифрования или коды опознавания ¦ ¦ ¦ ¦сети, имеющей любую из следующих ¦ ¦ ¦ ¦характеристик: ¦ ¦ ¦ ¦а) ширину полосы частот, превышающую 500 ¦ ¦ ¦ ¦МГц; или ¦ ¦ ¦ ¦б) относительную ширину полосы частот ¦ ¦ ¦ ¦20% или более ¦ ¦ +--------------+------------------------------------------+---------------+ ¦ 5.1.1.2.5 ¦Являются радиоприемными устройствами с ¦8527 ¦ ¦ ¦цифровым управлением, имеющими все ¦ ¦ ¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦ ¦ ¦а) более 1000 каналов; ¦ ¦ ¦ ¦б) время переключения частоты менее 1 ¦ ¦ ¦ ¦мс; ¦ ¦ ¦ ¦в) автоматический поиск или сканирование ¦ ¦ ¦ ¦в части спектра электромагнитных волн; и ¦ ¦ ¦ ¦г) возможность идентификации принятого ¦ ¦ ¦ ¦сигнала или типа передатчика. ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦ ¦Примечание. ¦ ¦ ¦ ¦По пункту 5.1.1.2.5 не контролируется ¦ ¦ Страницы: | Стр. 1 | Стр. 2 | Стр. 3 | Стр. 4 | Стр. 5 | Стр. 6 | Стр. 7 | Стр. 8 | Стр. 9 | Стр. 10 | Стр. 11 | Стр. 12 | Стр. 13 | Стр. 14 | Стр. 15 | Стр. 16 | Стр. 17 | Стр. 18 | Стр. 19 | Стр. 20 | |
Новости законодательства
Новости Спецпроекта "Тюрьма"
Новости сайта
Новости Беларуси
Полезные ресурсы
Счетчики
|
