Стр. 45
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
1.3.1.3. электропроводящие полимерные
материалы с объемной
электропроводностью свыше
10000 См/м или
поверхностным удельным
сопротивлением менее 100 Ом/кв.м,
выполненные на основе любого из
следующих полимеров:
1.3.1.3.1. полианилина 390930000
1.3.1.3.2. полипиррола 391190900
1.3.1.3.3. политиофена 391190900
1.3.1.3.4. полифенилен-винилена или 391190900
1.3.1.3.5. политиенилен-винилена 391990900
1.3.7. Материалы на керамической основе,
некомпозиционные керамические
материалы, композиционные
материалы с керамической матрицей,
а также их предшественники, такие,
как:
1.3.7.3. композиционные материалы типа 2849;
керамика-керамика со стеклянной 285000;
или оксидной матрицей, укрепленные 880390990;
волокнами, имеющими удельную 930690
прочность на растяжение
12,7 x 10E-3 м, любой из
нижеследующих
систем:
а) Si-N;
б) Si-C;
в) Si-Al-O-N или
г) Si-O-N
1.3.7.4. композиционные материалы типа 880390990;
керамика-керамика с постоянной 930690
металлической фазой или без нее,
включающие частицы, нитевидные
кристаллы или волокна, в которых
матрица образована из карбидов или
нитридов кремния, циркония или
бора
1.3.10. Нитевидные или волокнистые
материалы, которые могут быть
использованы в органических,
металлических или углеродных
матричных композиционных
материалах или слоистых
структурах, такие, как:
1.3.10.3. неорганические волокнистые или 392690100;
нитевидные материалы, имеющие все 810192000;
следующие характеристики: 810890300 -
810890700
а) удельный модуль упругости,
превышающий 2,54 x 10E-6 м, и
б) точку плавления, размягчения,
разложения или сублимации в
инертной среде, превышающую 1922 K
(1649°C)
Примечание. По пункту 1.3.10.3 не
контролируются:
а) дискретные, многофазные,
поликристаллические волокна
глинозема, содержащие 3% или
более по весу кремнезема, имеющие
удельный модуль упругости менее
10 x 10E-6 м;
б) молибденовые волокна и волокна
из молибденовых сплавов;
в) волокна на основе бора;
г) дискретные керамические волокна
с температурой плавления,
размягчения, разложения или
сублимации в инертной среде менее
2043 K (1770°C).
1.3.10.4. волокнистые или нитевидные
материалы:
1.3.10.4.1. изготовленные из любого из
следующих материалов:
1.3.10.4.1.1. полиэфиримидов, контролируемых по 540249990;
пунктам 1.3.8.1.1-1.3.8.1.4 550190000;
раздела 1, или 550390900
1.3.10.4.1.2. материалов, контролируемых по 540224990;
пунктам 1.3.8.2, 1.3.8.3, 1.3.8.4, 550190900;
1.3.8.5 или 1.3.8.6 раздела 1, или 550390900
1.3.10.4.2. изготовленные из материалов,
контролируемых по пункту
1.3.10.4.1.1 или 1.3.10.4.1.2
настоящего раздела, и связанные с
волокнами других типов,
контролируемых по пунктам
1.3.10.1, 1.3.10.2 или 1.3.10.3
раздела 1
1.3.12. Следующие материалы для ядерных
тепловых источников:
1.3.12.1. плутоний в любой форме с 284420910;
содержанием изотопа плутония-238 284420990
более 50% (по весу)
Примечание. По пункту 1.3.12.1 не
контролируются:
а) поставки, содержащие один грамм
плутония или менее;
б) поставки, содержащие три
"эффективных грамма" плутония или
менее при использовании в качестве
чувствительного элемента в
приборах.
1.3.12.2. предварительно очищенный 284440000
нептуний-237 в любой форме
Примечание. По пункту 1.3.12.2 не
контролируются поставки с
содержанием в один грамм
нептуния-237 или менее.
1.4. Программное обеспечение
1.4.2. Программное обеспечение для
разработки органических матриц,
металлических матриц или
углеродных матричных ламинатов или
композиционных материалов,
указанных в настоящем разделе
списка
1.5. Технология
1.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
материалов, указанных в пункте
1.1.2 или 1.3 настоящего раздела
списка
1.5.2. Другие технологии, такие, как:
1.5.2.5. технологии для сборки,
эксплуатации или восстановления
материалов, контролируемых по
пункту 1.3.1
1.5.2.6. технологии для восстановления
композиционных материалов,
слоистых структур или материалов,
контролируемых по пунктам 1.1.2,
1.3.7 или 1.3.7.4 настоящего
раздела
Примечание. По пункту 1.5.2.6 не
контролируются технологии для
ремонта структур гражданских
летательных аппаратов,
использующие углеродные
волокнистые или нитевидные
материалы и эпоксидные смолы,
содержащиеся в авиационных
изделиях.
Категория 2. Обработка материалов
2.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
2.2.1. Станки, приведенные ниже, и любые
их сочетания для обработки или
резки металлов, керамики и
композиционных материалов, которые
в соответствии с техническими
спецификациями изготовителя могут
быть оснащены электронными
устройствами для числового
программного управления:
2.2.1.1. токарные станки, имеющие все 8458;
следующие характеристики: 846490900;
846599100
а) точность позиционирования со
всей доступной компенсацией менее
(лучше) 4 мкм вдоль любой линейной
оси и
б) две или более оси, которые
могут быть одновременно
скоординированы для контурного
управления
Примечание. По пункту 2.2.1.1 не
контролируются токарные станки,
специально разработанные для
производства контактных линз.
2.2.1.2. фрезерные станки, имеющие любую из 845931000;
следующих характеристик: 845939000;
845951000;
а) точность позиционирования со 845961;
всей доступной компенсацией меньше 845969;
(лучше) 4 мкм вдоль любой линейной 846490900;
оси и 846592000
б) пять или более осей, которые
могут быть одновременно
скоординированы для контурного
управления и имеющие точность
позиционирования со всей доступной
компенсацией меньше (лучше) 4 мкм
вдоль любой линейной оси (общий
выбор позиции);
в) точность позиционирования для
координатно-расточных станков со
всей доступной компенсацией меньше
(лучше) 4 мкм вдоль любой линейной
оси
2.2.1.4. станки для электроискровой 845630000
обработки (СЭО) без подачи
проволоки, имеющие две или более
оси вращения, которые могут быть
одновременно скоординированы для
контурного управления
2.2.1.6. станки для сверления глубоких 845899900
отверстий или токарные станки,
модифицированные для сверления
глубоких отверстий, обеспечивающие
максимальную глубину сверления
отверстий 5000 мм или более, и
специально разработанные для них
компоненты
2.2.3. станки с ЧПУ или станки с ручным 846140710;
управлением и специально 846140790
разработанные для них компоненты,
оборудование для контроля и
приспособления, специально
разработанные для шевингования,
финишной обработки, шлифования или
хонингования закаленных (Rc=40
или более) прямозубых
цилиндрических, одно- или
двухзаходных винтовых шестерен с
модулем более 1250 мм и с лицевой
шириной, равной 15% от модуля или
более, с качеством после финишной
обработки в соответствии с
международным стандартом ИСО 1328
по классу 3
2.4. Программное обеспечение
2.4.1. Программное обеспечение,
специально предназначенное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пункту 2.2 настоящего раздела
списка
2.5. Технология
2.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
пункту 2.2 или 2.4 настоящего
раздела списка
2.5.2. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для производства
оборудования, контролируемого по
пункту 2.2 настоящего раздела
списка
Категория 3. Электроника
3.1. Системы, оборудование и компоненты
3.1.2. Нижеперечисленная электронная
аппаратура общего назначения:
3.1.2.7. атомные эталоны частоты, имеющие 854320000
любую из следующих характеристик:
б) годные для применения в космосе
3.2. Испытательное, контрольное и
производственное оборудование
3.2.1. Нижеперечисленное оборудование для
производства полупроводниковых
приборов или материалов и
специально разработанные
компоненты и оснастка для них:
3.2.1.1.2. установки химического осаждения 841989900
паров металлорганических
соединений, специально
разработанные для выращивания
кристаллов сложных полупроводников
с помощью химических реакций между
материалами, которые
контролируются по пункту 3.3.3 или
3.3.4 раздела 1 списка
3.4. Программное обеспечение
3.4.1. Программное обеспечение,
специально созданное для
разработки или производства
оборудования, контролируемого по
пункту 3.1.2.7 или 3.2 настоящего
раздела списка
3.5. Технология
3.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования,
контролируемого по пункту 3.1 или
3.2 настоящего раздела списка
Категория 4. Вычислительная техника
4.1. Системы, оборудование и компоненты
4.1.1. Нижеперечисленные ЭВМ и
сопутствующее оборудование, а
также электронные сборки и
специально разработанные для них
компоненты:
4.1.1.1 б) радиационно стойкие, 847110;
превышающие любое из следующих 847120
требований:
1) поглощенная доза 5 х 10E-3 Гр
(кремний) [5 х 10E-5 рад
(кремний)];
2) мощность дозы на сбой 5 х 10E-6
Гр/с (кремний) [5 х 10E-8 рад
(кремний)]/с или
3) сбой от высокоэнергетической
частицы 10E--7 ошибок/бит/день
4.1.1.2. имеющие характеристики или 847110;
функциональные особенности, 847120
превосходящие пределы, указанные в
части 2 категории 5 (Защита
информации)
4.1.3. цифровые ЭВМ, электронные сборки и
сопутствующее оборудование, а
также специально разработанные для
них компоненты, такие, как:
4.1.3.2. цифровые ЭВМ, имеющие совокупную 8471
теоретическую производительность (кроме 847110)
(СТП) свыше 4000 Мтопс
4.1.3.3. электронные сборки, специально 8471
спроектированные или (кроме 847110)
модифицированные для повышения
производительности путем
объединения вычислительных
элементов таким образом, чтобы
совокупная теоретическая
производительность объединенных
сборок превышала пределы,
указанные в пункте 4.1.3.2
настоящего раздела списка
Примечания: 1. Пункт 4.1.3.3
распространяется только на
электронные сборки и
программируемые взаимосвязи, не
превышающие пределы, указанные в
пункте 4.1.3.2 настоящего раздела
списка, при поставке в виде
необъединенных электронных сборок.
2. По пункту 4.1.3.3 не
контролируются электронные сборки,
специально спроектированные для
продукции или целого семейства
продукции, максимальная
конфигурация которых не превышает
пределы, указанные в пункте
4.1.3.2 настоящего раздела списка.
4.4. Программное обеспечение
4.4.1. программное обеспечение,
специально созданное для
разработки или производства
оборудования или программного
обеспечения, контролируемых по
пункту 4.1 или 4.4 настоящего
раздела списка
4.4.3. Специальное программное
обеспечение, такое, как:
4.4.3.3. программное обеспечение, имеющее
характеристики или выполняющее
функции, которые превосходят
пределы, указанные в части 2
категории 5 (Защита информации)
4.5. Технология
4.5.1. Технологии, в соответствии с общим
технологическим примечанием
предназначенные для разработки или
производства оборудования или
программного обеспечения,
контролируемых по пункту 4.1 или
4.4 настоящего раздела списка
Категория 5
Часть 1. Телекоммуникации
5.1.1. Системы, оборудование и компоненты
5.1.1.2. Телекоммуникационные передающие
системы и аппаратура и специально
разработанные компоненты и
принадлежности, имеющие любые из
следующих характеристик, свойств
или качеств:
5.1.1.2.8. наличие радиоаппаратуры, 852520900
использующей расширение спектра
или методы перестройки частоты
(скачкообразной перестройки
частоты), имеющей любую из
следующих характеристик:
а) коды расширения,
программируемые пользователем, или
б) общую ширину полосы передачи
частот, в 100 или более раз
превышающую полосу частот любого
одного информационного канала и
составляющую более 50 кГц
Примечания: 1. По подпункту "б"
пункта 5.1.1.2.8 не контролируется
оборудование, которое используется
в системах сотовой связи для
работы на гражданских частотах.
2. По пункту 5.1.1.2.8 не
контролируется оборудование,
спроектированное для работы с
выходной мощностью 1,0 Вт или
менее.
Страницы:
Стр.1 |
Стр.2 |
Стр.3 |
Стр.4 |
Стр.5 |
Стр.6 |
Стр.7 |
Стр.8 |
Стр.9 |
Стр.10 |
Стр.11 |
Стр.12 |
Стр.13 |
Стр.14 |
Стр.15 |
Стр.16 |
Стр.17 |
Стр.18 |
Стр.19 |
Стр.20 |
Стр.21 |
Стр.22 |
Стр.23 |
Стр.24 |
Стр.25 |
Стр.26 |
Стр.27 |
Стр.28 |
Стр.29 |
Стр.30 |
Стр.31 |
Стр.32 |
Стр.33 |
Стр.34 |
Стр.35 |
Стр.36 |
Стр.37 |
Стр.38 |
Стр.39 |
Стр.40 |
Стр.41 |
Стр.42 |
Стр.43 |
Стр.44 |
Стр.45 |
Стр.46 |
Стр.47 |
Стр.48 |
Стр.49 |
Стр.50 |
Стр.51 |
Стр.52 |
Стр.53
|
