Стр. 31
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 |
¦ ¦генераторы функций обычно определяются ¦ ¦
¦ ¦частотой выборки (например, Гвыб./с), которая¦ ¦
¦ ¦преобразовывается в радиочастотную область ¦ ¦
¦ ¦посредством коэффициента Найквиста - 2. Так, ¦ ¦
¦ ¦1 Гвыб./с произвольных импульсов имеет ¦ ¦
¦ ¦возможность прямого вывода 500 МГц или при ¦ ¦
¦ ¦использовании выборки с запасом по частоте ¦ ¦
¦ ¦дискретизации максимальная возможность ¦ ¦
¦ ¦прямого вывода пропорционально ниже ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.5 ¦Схемные анализаторы (панорамные измерители ¦9030 40 000 0 ¦
¦ ¦полных сопротивлений; измерители амплитуды, ¦ ¦
¦ ¦фазы и групповой задержки двух сигналов ¦ ¦
¦ ¦относительно опорного сигнала) с максимальной¦ ¦
¦ ¦рабочей частотой, превышающей 43,5 ГГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.6 ¦Микроволновые приемники-тестеры, имеющие все ¦8517 69 390 0 ¦
¦ ¦следующие характеристики: ¦ ¦
¦ ¦а) максимальную рабочую частоту, превышающую ¦ ¦
¦ ¦43,5 ГГц; и ¦ ¦
¦ ¦б) способные одновременно измерять амплитуду ¦ ¦
¦ ¦и фазу ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.7 ¦Атомные эталоны частоты: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.7.1 ¦Пригодные для применения в космосе ¦8543 20 000 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.7.2 ¦Не являющиеся рубидиевыми эталонами и имеющие¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦долговременную стабильность меньше (лучше) ¦ ¦
¦ ¦ -11 ¦ ¦
¦ ¦1 x 10 в месяц. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В отношении атомных эталонов частоты, ¦ ¦
¦ ¦указанных в пункте 3.1.2.7.2, см. также пункт¦ ¦
¦ ¦3.1.1 раздела 2 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.2.7.3 ¦Рубидиевые эталоны, непригодные для ¦8543 20 000 0 ¦
¦ ¦применения в космосе и имеющие все ¦ ¦
¦ ¦нижеследующее: ¦ ¦
¦ ¦а) долговременную стабильность меньше (лучше)¦ ¦
¦ ¦ -11 ¦ ¦
¦ ¦1 x 10 в месяц; и ¦ ¦
¦ ¦б) суммарную потребляемую мощность менее 1 Вт¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.1.3 ¦Терморегулирующие системы охлаждения ¦8419 89 989 0; ¦
¦ ¦диспергированной жидкостью, использующие ¦8424 89 000 9; ¦
¦ ¦оборудование с замкнутым контуром для ¦8479 89 970 9 ¦
¦ ¦перемещения и регенерации жидкости в ¦ ¦
¦ ¦герметичной камере, в которой жидкий ¦ ¦
¦ ¦диэлектрик распыляется на электронные ¦ ¦
¦ ¦компоненты при помощи специально ¦ ¦
¦ ¦разработанных распыляющих сопел, применяемых ¦ ¦
¦ ¦для поддержания температуры электронных ¦ ¦
¦ ¦компонентов в пределах их рабочего диапазона,¦ ¦
¦ ¦а также специально разработанные для них ¦ ¦
¦ ¦компоненты ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2 ¦Испытательное, контрольное и производственное¦ ¦
¦ ¦оборудование ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1 ¦Нижеперечисленное оборудование для ¦ ¦
¦ ¦производства полупроводниковых приборов или ¦ ¦
¦ ¦материалов и специально разработанные ¦ ¦
¦ ¦компоненты и оснастка для них: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.1 ¦Оборудование для эпитаксиального выращивания:¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.1.1 ¦Оборудование, обеспечивающее производство ¦8486 10 000 9 ¦
¦ ¦слоя из любого материала, отличного от ¦ ¦
¦ ¦кремния, с отклонением равномерности толщины ¦ ¦
¦ ¦менее +/-2,5% на расстоянии 75 мм или более ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.1.2 ¦Установки (реакторы) для химического ¦8486 20 900 9 ¦
¦ ¦осаждения из паровой фазы металлоорганических¦ ¦
¦ ¦соединений, специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦выращивания кристаллов полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦соединений с использованием материалов, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.3.3 или 3.3.4, в ¦ ¦
¦ ¦качестве исходных. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Особое примечание. ¦ ¦
¦ ¦В отношении оборудования, указанного в пункте¦ ¦
¦ ¦3.2.1.1.2, см. также пункт 3.2.1 раздела 2 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.1.3 ¦Оборудование для молекулярно-эпитаксиального ¦8486 10 000 9 ¦
¦ ¦выращивания с использованием газообразных или¦ ¦
¦ ¦твердых источников ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.2 ¦Оборудование, предназначенное для ионной ¦8486 20 900 9 ¦
¦ ¦имплантации, имеющее любую из следующих ¦ ¦
¦ ¦характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) энергию пучка (ускоряющее напряжение) ¦ ¦
¦ ¦более 1 МэВ; ¦ ¦
¦ ¦б) специально спроектированное и ¦ ¦
¦ ¦оптимизированное для работы с энергией пучка ¦ ¦
¦ ¦(ускоряющим напряжением) менее 2 кэВ; ¦ ¦
¦ ¦в) имеет возможность непосредственного ¦ ¦
¦ ¦формирования рисунка; или ¦ ¦
¦ ¦г) энергию пучка 65 кэВ или более и силу тока¦ ¦
¦ ¦пучка 45 мА или более для ¦ ¦
¦ ¦высокоэнергетической имплантации кислорода в ¦ ¦
¦ ¦нагретую подложку полупроводникового ¦ ¦
¦ ¦материала ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.3 ¦Оборудование для сухого анизотропного ¦ ¦
¦ ¦плазменного травления: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.3.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦8456 90 000 0; ¦
¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, имеющее любую ¦8486 20 900 2 ¦
¦ ¦из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦
¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦
¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦
¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦
¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦
¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦
¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦
¦ ¦диаметре ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.3.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦8456 90 000 0; ¦
¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦8486 20 900 2 ¦
¦ ¦имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) разработанное или оптимизированное для ¦ ¦
¦ ¦производства структур с критическим размером ¦ ¦
¦ ¦180 нм или менее и погрешностью (3 сигма), ¦ ¦
¦ ¦равной +/-5%; или ¦ ¦
¦ ¦б) разработанное для обеспечения чистоты ¦ ¦
¦ ¦лучше 0,04 частицы на кв.см, при этом ¦ ¦
¦ ¦измеряемый размер частицы более 0,1 мкм в ¦ ¦
¦ ¦диаметре ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.4 ¦Оборудование химического осаждения из паровой¦8419 89 300 0; ¦
¦ ¦фазы с применением плазменного разряда, ¦8486 20 900 9 ¦
¦ ¦ускоряющего процесс: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.4.1 ¦Оборудование с подачей заготовок из кассеты в¦ ¦
¦ ¦кассету и шлюзовой загрузкой, разработанное в¦ ¦
¦ ¦соответствии с техническими условиями ¦ ¦
¦ ¦производителя или оптимизированное для ¦ ¦
¦ ¦использования в производстве ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦
¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.4.2 ¦Оборудование, специально спроектированное для¦ ¦
¦ ¦систем, контролируемых по пункту 3.2.1.5, и ¦ ¦
¦ ¦разработанное в соответствии с техническими ¦ ¦
¦ ¦условиями производителя или оптимизированное ¦ ¦
¦ ¦для использования в производстве ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых устройств с критическим ¦ ¦
¦ ¦размером 180 нм или менее ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.5 ¦Автоматически загружаемые многокамерные ¦8456 10 00; ¦
¦ ¦системы с центральной загрузкой ¦8456 90 000 0; ¦
¦ ¦полупроводниковых пластин (подложек), имеющие¦8479 50 000 0; ¦
¦ ¦все следующие характеристики: ¦8486 20 900 2; ¦
¦ ¦а) интерфейсы для загрузки и выгрузки пластин¦8486 20 900 3 ¦
¦ ¦(подложек), к которым присоединяется более ¦ ¦
¦ ¦двух единиц оборудования для обработки ¦ ¦
¦ ¦полупроводников; и ¦ ¦
¦ ¦б) предназначенные для интегрированной ¦ ¦
¦ ¦системы последовательной многопозиционной ¦ ¦
¦ ¦обработки пластин (подложек) в вакууме. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.2.1.5 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦автоматические робототехнические системы ¦ ¦
¦ ¦управления загрузкой пластин (подложек), не ¦ ¦
¦ ¦предназначенные для работы в вакууме ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.6 ¦Оборудование для литографии: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.6.1 ¦Оборудование для обработки пластин с ¦8443 39 290 0 ¦
¦ ¦использованием методов оптической или ¦ ¦
¦ ¦рентгеновской литографии с пошаговым ¦ ¦
¦ ¦совмещением и экспозицией (непосредственно на¦ ¦
¦ ¦пластине) или сканированием (сканер), имеющее¦ ¦
¦ ¦любое из следующего: ¦ ¦
¦ ¦а) источник света с длиной волны короче 245 ¦ ¦
¦ ¦нм; или ¦ ¦
¦ ¦б) возможность формирования рисунка с ¦ ¦
¦ ¦минимальным разрешаемым размером элемента 180¦ ¦
¦ ¦нм и менее. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Минимальный разрешаемый размер элемента (МРР)¦ ¦
¦ ¦рассчитывается по следующей формуле: МРР = ¦ ¦
¦ ¦(длина волны источника света в нанометрах) x ¦ ¦
¦ ¦(К-фактор) / (числовая апертура), где ¦ ¦
¦ ¦К-фактор = 0,45 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.6.2 ¦Литографическое оборудование для печати, ¦8443 39; ¦
¦ ¦способное создавать элементы размером 180 нм ¦8486 20 900 ¦
¦ ¦или менее. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Пункт 3.2.1.6.2 включает: ¦ ¦
¦ ¦а) инструментальные средства для ¦ ¦
¦ ¦микроконтактной литографии; ¦ ¦
¦ ¦б) инструментальные средства для горячего ¦ ¦
¦ ¦тиснения; ¦ ¦
¦ ¦в) литографические инструментальные средства ¦ ¦
¦ ¦для нанопечати; ¦ ¦
¦ ¦г) литографические инструментальные средства ¦ ¦
¦ ¦для поэтапной и мгновенной печати ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.6.3 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦8456 10 00; ¦
¦ ¦изготовления шаблонов или производства ¦8486 20 900 3; ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов с использованием ¦8486 40 000 1 ¦
¦ ¦методов непосредственного формирования ¦ ¦
¦ ¦рисунка, имеющее все нижеследующее: ¦ ¦
¦ ¦а) использующее отклоняемый сфокусированный ¦ ¦
¦ ¦электронный, ионный или лазерный пучок; и ¦ ¦
¦ ¦б) имеющее любую из следующих характеристик: ¦ ¦
¦ ¦размер пятна менее 0,2 мкм; возможность ¦ ¦
¦ ¦формирования рисунка с размером элементов ¦ ¦
¦ ¦менее 1 мкм; или точность совмещения слоев ¦ ¦
¦ ¦лучше +/-0,20 мкм (3 сигма) ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.7 ¦Маски и промежуточные шаблоны, разработанные ¦8486 90 900 3 ¦
¦ ¦для производства интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.8 ¦Многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем. ¦8486 90 900 3 ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.2.1.8 не контролируются ¦ ¦
¦ ¦многослойные шаблоны с фазосдвигающим слоем, ¦ ¦
¦ ¦разработанные для изготовления запоминающих ¦ ¦
¦ ¦устройств, не контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.1.9 ¦Литографические шаблоны для печати, ¦8486 90 900 3 ¦
¦ ¦разработанные для интегральных схем, ¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.1 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.2 ¦Оборудование, специально разработанное для ¦ ¦
¦ ¦испытания готовых или находящихся в разной ¦ ¦
¦ ¦степени изготовления полупроводниковых ¦ ¦
¦ ¦приборов, и специально разработанные для ¦ ¦
¦ ¦этого компоненты и приспособления: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.2.1 ¦Для измерения S-параметров транзисторных ¦9031 80 380 0 ¦
¦ ¦приборов на частотах выше 31,8 ГГц ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.2.2.2 ¦Для испытания микроволновых интегральных ¦9030; ¦
¦ ¦схем, контролируемых по пункту 3.1.1.2.2 ¦9031 20 000 0; ¦
¦ ¦ ¦9031 80 380 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3 ¦Материалы ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.1 ¦Гетероэпитаксиальные структуры (материалы), ¦ ¦
¦ ¦состоящие из подложки с несколькими ¦ ¦
¦ ¦последовательно наращенными эпитаксиальными ¦ ¦
¦ ¦слоями любого из следующих материалов: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.1.1 ¦Кремний ¦3818 00 100 0; ¦
¦ ¦ ¦3818 00 900 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.1.2 ¦Германий ¦3818 00 900 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.1.3 ¦Карбид кремния; или ¦3818 00 900 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.1.4 ¦Соединения III - V на основе галлия или индия¦3818 00 900 0 ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2 ¦Материалы резистов, а также подложки, ¦ ¦
¦ ¦покрытые контролируемыми резистами: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2.1 ¦Позитивные резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦
¦ ¦полупроводниковой литографии, специально ¦ ¦
¦ ¦приспособленные (оптимизированные) для ¦ ¦
¦ ¦использования на длине волны менее 245 нм ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2.2 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦
¦ ¦использования при экспонировании электронными¦ ¦
¦ ¦или ионными пучками, с чувствительностью 0,01¦ ¦
¦ ¦мкКл/кв.мм или лучше ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2.3 ¦Все резисты, предназначенные для ¦3824 90 980 9 ¦
¦ ¦использования при экспонировании ¦ ¦
¦ ¦рентгеновскими лучами, с чувствительностью ¦ ¦
¦ ¦2,5 мДж/кв.мм или лучше ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2.4 ¦Все резисты, оптимизированные под технологии ¦3824 90 980 9 ¦
¦ ¦формирования рисунка, включая силилированные ¦ ¦
¦ ¦резисты. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Технология силилирования - это процесс, ¦ ¦
¦ ¦включающий окисление поверхности резиста, для¦ ¦
¦ ¦повышения качества мокрого и сухого ¦ ¦
¦ ¦проявления ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.2.5 ¦Все резисты, разработанные или ¦3824 90 980 9 ¦
¦ ¦приспособленные для применения с ¦ ¦
¦ ¦оборудованием для литографической печати, ¦ ¦
¦ ¦указанным в пункте 3.2.1.6.2, использующие ¦ ¦
¦ ¦термический или светоотверждающий способ ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.3 ¦Следующие органо-неорганические соединения: ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.3.1 ¦Металлоорганические соединения алюминия, ¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦галлия или индия с чистотой металлической ¦ ¦
¦ ¦основы более 99,999% ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.3.2 ¦Органические соединения мышьяка, сурьмы и ¦2931 00 950 0 ¦
¦ ¦фосфорорганические соединения с чистотой ¦ ¦
¦ ¦основы неорганического элемента более 99,999%¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.3.3 контролируются только ¦ ¦
¦ ¦соединения, металлический, частично ¦ ¦
¦ ¦металлический или неметаллический элемент в ¦ ¦
¦ ¦которых непосредственно связан с углеродом ¦ ¦
¦ ¦органической части молекулы ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.4 ¦Гидриды фосфора, мышьяка или сурьмы, имеющие ¦2848 00 000 0; ¦
¦ ¦чистоту более 99,999%, даже будучи ¦2850 00 200 0 ¦
¦ ¦растворенными в инертных газах или водороде. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.3.4 не контролируются гидриды, ¦ ¦
¦ ¦содержащие 20% и более молей инертных газов ¦ ¦
¦ ¦или водорода ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.5 ¦Подложки из карбида кремния (SiC), нитрида ¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) или ¦ ¦
¦ ¦нитрида галлия-алюминия (AlGaN) или слитки, ¦ ¦
¦ ¦були, а также другие преформы из указанных ¦ ¦
¦ ¦материалов, имеющие удельное сопротивление ¦ ¦
¦ ¦более 10000 Ом·см при 20 град. C ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.3.6 ¦Подложки, определенные в пункте 3.3.5, ¦3818 00 900 0 ¦
¦ ¦содержащие по крайней мере один ¦ ¦
¦ ¦эпитаксиальный слой из карбида кремния (SiC),¦ ¦
¦ ¦нитрида галлия (GaN), нитрида алюминия (AlN) ¦ ¦
¦ ¦или нитрида галлия-алюминия (AlGaN) ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.4 ¦Программное обеспечение ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.4.1 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки или производства¦ ¦
¦ ¦оборудования, контролируемого по пунктам ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.2 - 3.1.2.7 или по пункту 3.2 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.4.2 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для применения в любом ¦ ¦
¦ ¦нижеследующем оборудовании: ¦ ¦
¦ ¦а) контролируемом по пунктам 3.2.1.1 - ¦ ¦
¦ ¦3.2.1.6; или ¦ ¦
¦ ¦б) контролируемом по пункту 3.2.2 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.4.3 ¦Физически обоснованное программное ¦ ¦
¦ ¦обеспечение моделирования, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки процессов ¦ ¦
¦ ¦литографии, травления или осаждения с целью ¦ ¦
¦ ¦воплощения маскирующих шаблонов в конкретные ¦ ¦
¦ ¦топографические рисунки на проводниках, ¦ ¦
¦ ¦диэлектриках или полупроводниках. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Под термином "физически обоснованное" в ¦ ¦
¦ ¦пункте 3.4.3 понимается использование ¦ ¦
¦ ¦вычислений для определения последовательности¦ ¦
¦ ¦физических факторов и результатов ¦ ¦
¦ ¦воздействия, основанных на физических ¦ ¦
¦ ¦свойствах (например, температура, давление, ¦ ¦
¦ ¦коэффициент диффузии и полупроводниковые ¦ ¦
¦ ¦свойства материалов). ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦Библиотеки, проектные атрибуты или ¦ ¦
¦ ¦сопутствующие данные для проектирования ¦ ¦
¦ ¦полупроводниковых приборов или интегральных ¦ ¦
¦ ¦схем рассматриваются как технология ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.4.4 ¦Программное обеспечение, специально ¦ ¦
¦ ¦разработанное для разработки оборудования, ¦ ¦
¦ ¦контролируемого по пункту 3.1.3 ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.5 ¦Технология ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.1 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦
¦ ¦перечню для разработки или производства ¦ ¦
¦ ¦оборудования или материалов, контролируемых ¦ ¦
¦ ¦по пунктам 3.1, 3.2 или 3.3 ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Примечание. ¦ ¦
¦ ¦По пункту 3.5.1 не контролируются технологии ¦ ¦
¦ ¦для: ¦ ¦
¦ ¦а) производства оборудования или компонентов,¦ ¦
¦ ¦контролируемых по пункту 3.1.3; ¦ ¦
¦ ¦б) разработки или производства интегральных ¦ ¦
¦ ¦схем, контролируемых по пунктам 3.1.1.1.3 - ¦ ¦
¦ ¦3.1.1.1.11, имеющих все нижеперечисленные ¦ ¦
¦ ¦признаки: ¦ ¦
¦ ¦использующие технологии с разрешением 0,5 мкм¦ ¦
¦ ¦или выше (хуже); и ¦ ¦
¦ ¦не содержащие многослойных структур. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Для целей пункта "б" примечания многослойные ¦ ¦
¦ ¦структуры не включают приборов, содержащих ¦ ¦
¦ ¦максимум три металлических слоя и три слоя ¦ ¦
¦ ¦поликристаллического кремния ¦ ¦
+-----------+---------------------------------------------+---------------+
¦ 3.5.2 ¦Технологии в соответствии с общим ¦ ¦
¦ ¦технологическим примечанием к настоящему ¦ ¦
¦ ¦перечню другие, чем те, которые ¦ ¦
¦ ¦контролируются по пункту 3.5.1, для ¦ ¦
¦ ¦разработки или производства ядра микросхем ¦ ¦
¦ ¦микропроцессора, микроЭВМ или ¦ ¦
¦ ¦микроконтроллера, имеющих арифметико- ¦ ¦
¦ ¦логическое устройство с длиной выборки 32 бит¦ ¦
¦ ¦или более и любые из нижеприведенных ¦ ¦
¦ ¦особенностей или характеристик: ¦ ¦
¦ ¦а) блок векторного процессора, ¦ ¦
¦ ¦предназначенный для выполнения более двух ¦ ¦
¦ ¦вычислений с векторами для операций с ¦ ¦
¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦
¦ ¦или более массивами) одновременно. ¦ ¦
¦ ¦ ¦ ¦
¦ ¦Техническое примечание. ¦ ¦
¦ ¦Блок векторного процессора является ¦ ¦
¦ ¦процессорным элементом со встроенными ¦ ¦
¦ ¦операторами, которые выполняют многочисленные¦ ¦
¦ ¦вычисления с векторами для операций с ¦ ¦
¦ ¦плавающей запятой (одномерными 32-разрядными ¦ ¦
¦ ¦или более массивами) одновременно, имеющим, ¦ ¦
¦ ¦по крайней мере, одно векторное арифметико- ¦ ¦
¦ ¦логическое устройство; ¦ ¦
¦ ¦б) разработанных для выполнения более двух ¦ ¦
¦ ¦64-разрядных или более операций с плавающей ¦ ¦
¦ ¦запятой, проходящих за цикл; или ¦ ¦
¦ ¦в) разработанных для выполнения более четырех¦ ¦
¦ ¦16-разрядных операций умножения с накоплением¦ ¦
¦ ¦с фиксированной запятой, проходящих за цикл ¦ ¦
¦ ¦(например, цифровая обработка аналоговой ¦ ¦
¦ ¦информации, которая была предварительно ¦ ¦
¦ ¦преобразована в цифровую форму, также ¦ ¦
¦ ¦известная как цифровая обработка сигналов). ¦ ¦
Страницы: | Стр.1 | Стр.2 | Стр.3 | Стр.4 | Стр.5 | Стр.6 | Стр.7 | Стр.8 | Стр.9 | Стр.10 | Стр.11 | Стр.12 | Стр.13 | Стр.14 | Стр.15 | Стр.16 | Стр.17 | Стр.18 | Стр.19 | Стр.20 | Стр.21 | Стр.22 | Стр.23 | Стр.24 | Стр.25 | Стр.26 | Стр.27 | Стр.28 | Стр.29 | Стр.30 | Стр.31 | Стр.32 | Стр.33 | Стр.34 | Стр.35 | Стр.36 | Стр.37 | Стр.38 | Стр.39 | Стр.40 | Стр.41 | Стр.42 | Стр.43 | Стр.44 | Стр.45 | Стр.46 | Стр.47 | Стр.48 | Стр.49 | Стр.50 | Стр.51 | Стр.52 | Стр.53 | Стр.54 | Стр.55 | Стр.56 | Стр.57 | Стр.58 | Стр.59 | Стр.60 | Стр.61 | Стр.62 | Стр.63 | Стр.64 |
| 
